一种晶圆清洗装置的制作方法

1.本发明属于晶圆后处理技术领域，具体而言，涉及一种晶圆清洗装置。


背景技术：

2.集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。
3.化学机械抛光(chemical mechanical polishing,cmp)属于晶圆制造工序中五大核心制程之一，是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。完成化学机械抛光的晶圆需要进行清洗、干燥等后处理，以避免微量离子和金属颗粒对半导体器件的污染，保障半导体器件的性能和合格率。
4.晶圆清洗方式有：滚刷清洗、兆声清洗等，其中，兆声清洗是常用的清洗方式之一。图1是现有技术中兆声清洗装置的示意图，兆声清洗装置包括清洗槽10’，清洗槽10’的底部设置兆声振板20’，待清洗的晶圆w设置于兆声振板20’的正上方。兆声振板20’发出高频声波，以去除晶圆w表面的微小颗粒物等污染物；同时，清洗槽10’的底部配置喷管30’，喷管30’具有多个喷孔，所述喷孔斜向上喷射清洗液并从清洗槽10’的顶部溢出，以将剥离的污染物排至清洗槽10’的外部。
5.现有技术中，兆声振板20’放置在清洗槽10’的底部，其距离待清洗的晶圆较远，兆声振板20’发出的高频声波会在流体中衰减。在高频声波作用于晶圆底部时，其强度存在一定衰减，即图1中，兆声振板20’与晶圆w底端之间的竖向间距h对应的区域为声波无效衰减区域；图1中使用虚线表示了声波衰减的曲线图，其中，横坐标表示声波强度，纵坐标表示声波达到晶圆的径向位置；高频声波到达晶圆上部时，其强度可能无法有效剥离污染物，这会致使晶圆上部的清洗效果变差，不能满足工艺要求。
6.现有的清洗槽10’通常为矩形槽，喷射的清洗液在其中存在较大的回流和扰流，如图2所示，这会致使晶圆表面脱落的污染物不能及时排出而造成二次污染。此外，矩形槽的体积较大，这会消耗大量清洗液，增加晶圆清洗的成本。


技术实现要素：

7.本发明实施例提供了一种晶圆清洗装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
8.本发明的实施例提供了一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
9.箱体，其内部设置有溢流槽；
10.支撑组件，其设置于所述溢流槽中，以支撑并带动晶圆旋转；
11.喷液组件，其设置于所述溢流槽中，以朝向溢流槽底部喷射液体；
12.所述溢流槽包括槽主体、整流部和收缩部，所述槽主体为矩形槽体，所述整流部和收缩部依次设置于所述槽主体的上方；
13.所述整流部与收缩部之间设置有振板，其倾斜设置并朝向晶圆发出高频声波；
14.所述整流部为矩形槽体，其内部宽度小于槽主体的内部宽度；经由整流部上移的流体，能够将高频声波剥离的污染物从溢流槽的顶部排出。
15.在一个实施例中，所述振板设置于溢流槽竖向中心线的侧方，其朝上向外倾斜延伸设置。
16.在一个实施例中，所述振板与水平面的夹角为2-30
°
。
17.在一个实施例中，所述收缩部是纵切面为梯形的槽体，其侧板朝上向内倾斜延伸设置。
18.在一个实施例中，所述收缩部的侧板与溢流槽竖向中心线的夹角为1-15
°
。
19.在一个实施例中，所述支撑组件和喷液组件设置于所述槽主体中，所述喷液组件位于所述支撑组件的下方。
20.在一个实施例中，所述整流部的内部宽度是槽主体内部宽度的1/3-2/3。
21.在一个实施例中，所述收缩部的横向尺寸小于或等于所述槽主体的横向尺寸。
22.在一个实施例中，所述振板至少部分位于待清洗晶圆中轴线的下方。
23.在一个实施例中，所述振板的宽度为10-50mm。
24.本发明的有益效果包括：
25.a.晶圆清洗装置的溢流槽设置整流部，以对喷液组件喷射的流体进行整流，减少或避免溢流槽中的流体发生回流或扰流，防止兆声剥离的颗粒物再次附着晶圆表面；
26.b.晶圆清洗装置的溢流槽设置收缩部，以控制收缩部与晶圆之间的空间，声波可以在上述空间内反射，以维持溢流槽的声压强度；同时，溢流槽的收缩部能够缩小溢流槽腔室的大小，缩小喷液组件喷射清洗液的使用量，有利于控制晶圆清洗的成本。
27.c.将振板设置于待清洗晶圆的侧方，以缩小振板与晶圆的距离，减少高频声波的衰减，保证兆声清洗的效果；将振板设置于晶圆中轴线的下方，使得振板发出的高频声波能够覆盖晶圆的上半区域；支撑组件能够带动晶圆绕中轴线旋转，以覆盖晶圆的各个区域，实现晶圆的兆声清洗；
28.d.用于溢流排泄的喷液组件设置于溢流槽的下部，其远离振板设置，以减少或避免喷射清洗液对高频声波的干扰；喷液组件倾斜向下交错喷射清洗液，以控制溢流槽中清洗液的紊乱程度，保证整流后的流体方向为沿竖直方向。
附图说明
29.通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的优点将变得更清楚和更容易理解，这些附图只是示意性的，并不限制本发明的保护范围，其中：
30.图1是现有技术中兆声清洗装置的示意图；
31.图2是图1对应的兆声清洗装置内部的流场图；
32.图3是本发明一实施例提供的一种圆清洗装置的示意图；
33.图4是图3中对应的溢流槽的示意图；
34.图5是本发明一实施例提供的溢流槽中的声压强度曲线图；
35.图6是本发明一实施例提供的圆清洗装置内部的流场图；
36.图7是本发明另一实施例提供的一种圆清洗装置的示意图；
37.图8是图7中对应的溢流槽的示意图；
38.图9是图8示出的晶圆清洗装置之溢流槽的声压强度曲线图；
39.图10是现有技术中兆声清洗装置对应的声压强度曲线图。
具体实施方式
40.下面结合具体实施例及其附图，对本发明所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本发明实施方式及本发明保护范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本技术权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。
41.本说明书的附图为示意图，辅助说明本发明的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本发明实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
42.本发明中，晶圆(wafer,w)也称基板(substrate)，其含义和实际作用等同。术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象，并且仅用于区分所指代的对象，而不暗示所指代的对象的特定空间顺序、时间顺序、重要性顺序，等等。在一些实施例中，取值、过程、所选择的项目、所确定的项目、设备、装置、手段、部件、组件等被称为“最佳”、“最低”、“最高”、“最小”、“最大”等等。应当理解，这样的描述旨在指示可以在许多可使用的功能选择中进行选择，并且这样的选择不需要在另外的方面或所有方面比其他选择更好、更低、更高、更小、更大或者以其他方式优选。
43.图3是本发明一实施例提供的一种晶圆清洗装置100的示意图，其包括：
44.箱体10，其为矩形槽结构，箱体10的内部设置有用于晶圆清洗的部件；箱体10的顶部配置开关门(未示出)，外部的机械手可经由所述开关门将晶圆置入或取出箱体10；箱体10的内部设置有溢流槽40，溢流槽40的竖向高度小于箱体10的高度，使得溢流槽40内部的液体能够经由其顶部溢流在箱体10的内部；
45.支撑组件20，其设置于溢流槽40中，以竖向支撑待清洗晶圆w；具体地，支撑组件20包括至少一对滚轮(图2示出)，所述滚轮设置于溢流槽40的下部，使得滚轮的凹槽能够沿待清洗晶圆的边沿卡接，使得晶圆w处于竖直状态；同时，滚轮的端部还配置有驱动电机(未示出)，驱动电机能够带动滚轮绕轴线旋转，以在滚轮凹槽与晶圆之间摩擦力的作用下带动晶圆旋转；在一些实施例中，支撑组件20还包括一个测速轮，其设置于一对滚轮之间，三者卡接于晶圆的外沿，测速轮用于监测晶圆的运行状态；
46.振板30，其是溢流槽40的组成部分，或者设置于溢流槽40的内侧壁；振板30又称换能器，振板30倾斜设置于箱体10中，以从侧向提供高频振动，振板30发出的高频声波作用于待清洗晶圆的表面，以剥离晶圆表面附着的污染物。换能器是将电源的电输出转换为振动输出，产生的声波在流体中传输，在空化和声波流等作用下，剥离晶圆表面附着的颗粒物；
47.喷液组件50，喷液组件50能够朝向溢流槽40喷射流体，以将高频声波剥离的颗粒
物等污染物从溢流槽40的顶部溢流排出。具体地，溢流槽40的顶部开口，喷液组件50喷射的流体能够充满溢流槽40并从溢流槽40的顶部开口溢出，以便将剥离的污染物排至箱体10与溢流槽40之间。
48.本发明中，振板30设置于待清洗晶圆的侧方，其与晶圆w的间距较近，以减少振板30发出的高频声波的衰减，保证空化和声波流等效果，将颗粒物自晶圆的表面充分剥离，实现良好的兆声清洗效果。
49.具体地，溢流槽40沿竖向设置于箱体10中，待清洗晶圆w沿溢流槽40的竖向中心线设置，为晶圆清洗提供高频声波的振板30设置于溢流槽40的竖向中心线的侧方。即振板30设置于待清洗晶圆w的侧方，以从晶圆的侧向提供高频声波，在溢流槽40内部产生空化和声波流的效应，剥离附着于晶圆表面的颗粒物，以充分清洁晶圆表面。
50.如图3的实施例中，振板30与其他板件合围成溢流槽40，支撑组件20和喷液组件50设置于溢流槽40的底部。即待清洗的晶圆w竖向设置于溢流槽40中，如此设置，有利于缩小晶圆w兆声清洗的空间，使得高频声波能够有效作用于晶圆表面。
51.图4是本发明一实施例提供的溢流槽40的示意图，溢流槽40包括槽主体41、整流部42和收缩部43，其中，槽主体41、整流部42和收缩部43自下而上依次沿竖直方向设置，以形成顶部开口的槽体结构。
52.进一步地，槽主体41位于溢流槽40的底部，其纵切面为矩形结构。支撑组件20设置于槽主体41的内部，以竖向支撑待清洗的晶圆。
53.进一步地，与溢流槽40的其他部位相比，槽主体41的内部宽度较大，以为支撑组件20的放置提供足够的空间。本发明中，槽主体41、整流部42和收缩部43的内部宽度是指槽体内侧壁之间的横向宽度。
54.整流部42设置于槽主体41的上端。具体的，整流部42为槽体结构，其竖向设置于槽主体41的上方。
55.进一步地，整流部42的内部宽度陡然缩小。如此设置，能够规范流体的流向，避免流体在槽主体41的内部扰动，防止自晶圆剥离的颗粒物再次附着于晶圆表面，保证晶圆的清洗效果。
56.在一些实施例中，整流部42的内部宽度是槽主体41内部宽度的1/3-2/3，以实现良好的整流效果。具体地，喷液组件50朝向槽主体41的底面喷射流体，流体会在槽主体41中反复溅射而形成扰流。这些混乱的流体经过横向宽度较小的整流部42的整流处理而变得平稳；平稳的流体经由整流部42朝向上方传输，以冲洗自晶圆表面剥离的颗粒物，并将颗粒物从溢流槽40的顶部开口排出。
57.优选地，整流部42的内部宽度是槽主体41内部宽度的1/3-1/2，使得喷液组件50喷射的流体经由整流部42的整流而变得平稳。完成整流的流体能够大致沿竖直方向朝上传输，以减少回流和扰流，避免剥离的颗粒物再次附着在晶圆表面而引起二次污染，实现良好的清洁效果。
58.进一步地，振板30沿整流部42的上端向外倾斜延伸设置，如图4所示。具体地，振板30自整流部42的端部朝上向外延伸设置，使得振板30产生的高频声波能够斜向传输至晶圆表面，以利用空化和声波流等效应剥离晶圆表面的颗粒物。本发明中，溢流槽40组成部件的向外倾斜是指朝向溢流槽40的外部倾斜，溢流槽40组成部件的向内倾斜是指朝向溢流槽40
的竖向中心线倾斜。
59.进一步地，收缩部43是纵切面为梯形的槽体，收缩部43的至少一个侧板沿振板30的上端向内倾斜延伸设置，即收缩部43朝上向内延伸设置。本发明中，收缩部43的侧板是指位于溢流槽40竖向中心线侧方的板件。
60.收缩部43的内部宽度由下至上逐渐变小而形成收缩空间。振板30产生的高频声波在收缩部43与晶圆w之间的收缩空间传输，以集中朝向晶圆w的上部传输；同时，振板30产生的高频声波可在收缩空间中反射至晶圆表面，以增强溢流槽40的声压强度，提升晶圆的清洗效果。
61.图4中，使用虚线表示了振板30发出的高频声波在收缩部43的内侧壁与晶圆w之间的传输路线图，由此可知，高频声波的反射能够增强兆声清洗的效能，提升晶圆清洗的效果。
62.在一些实施例中，收缩部43与溢流槽40的竖向中心线之间的夹角为1-15
°
；优选地，收缩部43与溢流槽40的竖向中心线之间的夹角为1-10
°
，以合理地控制收缩部43的内侧壁与晶圆w之间的空间，保证高频声波的传输和反射效果。
63.为了保证收缩部43的内侧壁能够高效反射声波，收缩部43的内侧壁的粗糙度应控制在ra0.1以内。同时，收缩部43应为疏水材料，以避免颗粒物附着于收缩部43的内侧壁。若收缩部43的内侧壁附着大量颗粒物，则声波发生漫反射，这不利于维持溢流槽40的声压强度，不利于实现良好的兆声清洗效果。
64.在一些实施例中，溢流槽40的槽主体41、整流部42和收缩部43由聚四氟乙烯制成。聚四氟乙烯具有高润滑性和不黏附性，以避免兆声清洗剥离的颗粒物附着于溢流槽40的内侧壁而影响声波的反射，以控制溢流槽40的声压强度，保证良好的清洗效果。
65.图5示出了溢流槽40中声压强度曲线，由于溢流槽40的收缩部43具有声波反射的作用。在该区域的声压强度变大，这有利于加强高频声波的空化和声波流等效应，以充分剥离晶圆表面的颗粒物，实现晶圆表面颗粒物的清洁。
66.在晶圆兆声清洗时，晶圆w绕其中轴线旋转，使得振板30发出的高频声波能够全面覆盖晶圆表面，以便清洗晶圆的每一个区域，避免出现兆声清洗的盲区而影响晶圆清洗效果。
67.本发明中，振板30朝向晶圆w的待清洗面设置，以朝向待清洗面发射高频声波。图4中，振板30设置于待清洗晶圆w的一侧，即振板30朝向晶圆的正面设置，以通过兆声清洗的方式清洁晶圆表面。本发明中，所谓晶圆的正面是指排布电子器件的那个侧面；所谓晶圆的背面是指电子器件的非排布面，即晶圆正面的相反面。
68.作为本实施例的一个方面，振板30与水平面的夹角为2-30
°
；优选地，振板30与水平面的夹角为5-15
°
，使得振板30发出的高频声波倾斜向上传输，以充分剥离晶圆表面的颗粒物。在兆声清洗时，晶圆在支撑组件20的带动下，绕中轴线旋转，使得振板30发出的高频声波能够全面作用于晶圆表面。
69.本发明中，振板30倾斜设置，其发出声波的分量能够垂直于晶圆表面，这有利于提高去除速率，保证晶圆的清洗效果；同时，振板30倾斜设置，有利于降低清洗过程中气泡的干扰，增强对颗粒的振动效应。
70.作为本发明的一个实施例，振板30的宽度为10-50mm。此处，振板30的宽度是指振
板30纵切面对应的尺寸，即图4中，整流部42的上端与收缩部43的下端之间的距离。振板30宽度设置在一定范围内，能够保证振板30发出的高频声波尽量沿晶圆的半径方向覆盖，保证晶圆的清洗效果。
71.可以理解的是，振板30的宽度不宜过大，以便控制溢流槽40的尺寸，减少清洗液的使用量，控制晶圆清洗成本。优选地，振板30的宽度为15-30mm。
72.本发明中，振板30沿水平方向延伸设置(图7示出)，其横向长度应大于晶圆的直径，或者，振板30的横向长度应大于晶圆的弦长(即振板30在晶圆水平投影对应的长度)，使得振板30产生的超声波能够覆盖晶圆表面。
73.作为本发明的一个实施例，振板30由电声材料制成。具体的，振板30由压电材料制成，以便将电能转换为振动并形成高频声波。优选地，振板30由锆钛酸铅(pzt)压电陶瓷、钛酸钡(batio3)压电陶瓷等制成。
74.作为本发明的一个实施例，振板30的至少部分位于待清洗晶圆中轴线的下方，以保证振板30发出的高频声波能够沿半径方向传输。晶圆在兆声清洗过程中绕中轴线旋转，使得高频声波能够全面覆盖晶圆的所有区域。
75.图4所示的实施例中，整流部42与溢流槽40竖向中心线的水平间距小于收缩部43与溢流槽40竖向中心线的水平间距。由于收缩部43自振板30的上端朝上向内倾斜，使得收缩部43的上端与溢流槽40竖向中心线的水平间距最小。本实施例中，整流部42与溢流槽40竖向中心线的水平间距小于收缩部43与溢流槽40竖向中心线的最小水平间距。本发明中，整流部42与溢流槽40竖向中心线的水平间距是指整流部42的内侧壁与竖向中心线的水平距离，收缩部43与溢流槽40竖向中心线的水平间距是指收缩部43的内侧壁与竖向中心线的水平距离。
76.作为本实施例的一个方面，整流部42与溢流槽40竖向中心线的水平间距为2-15mm，收缩部43与溢流槽40竖向中心线的水平间距为5-25mm。如此设置，有利于控制溢流槽40的内部空间，提高溢流槽40内部的声压强度，满足晶圆兆声清洗的要求，以获取良好的清洗效果。
77.图4中，晶圆清洗面相对的收缩部43的侧板倾斜设置，而与晶圆清洗面相背的收缩部43的侧板竖向设置，以缩小溢流槽40的内部空间，控制溢流槽40的声压强度。
78.此外，由于溢流槽40配置整流部42和收缩部43，其内部体积变小，这有利于减少清洗液的使用量，控制晶圆清洗的成本。即设置于溢流槽40下部的喷液组件50只需喷射少量的清洗液就可以将溢流槽40充满，以通过溢流的方式清洁溢流槽40中的颗粒物。在一些实施例中，图3示出的晶圆清洗装置能够每小时可以节约5-20l清洗液，以控制晶圆后处理成本。在晶圆清洗时，需要定期向溢流槽40的内部供给清洗液，由于本发明提供的溢流槽40的体积较小，因此，可以减少清洗液的使用量。
79.为保证良好的溢流效果，及时清理溢流槽40中的颗粒物，喷液组件50设置于振板30的下方，使得喷液组件50喷射的流体远离振板30，避免紊乱的流体对振板30发出的高频声波的影响，避免兆声清洗与溢流排泄的相互影响。
80.进一步地，支撑组件20位于溢流槽40的槽主体41，喷液组件50位于支撑组件20的下方，喷液组件50喷射的清洗液朝向槽主体41的底部。
81.本发明中，喷液组件50的喷射方向倾斜向下，以朝向槽主体41的底面喷射流体。喷
液组件50朝向下方喷射流体，使得流体尽量远离兆声清洗的晶圆，以减少喷射的流体对兆声清洗的影响；这是因为喷液组件50喷射的流体主要用于溢流而冲洗剥离的颗粒物，而非通过冲洗作用清洁晶圆表面的颗粒物。将喷液组件50的喷射方向设置为倾斜向下，有利于保证兆声清洗的效果。
82.进一步地，喷液组件50包括至少一对喷管，其设置在溢流槽40的槽主体41，并朝向溢流槽40的内侧喷射清洗液。喷管配置有喷液口，喷液口的数量为多个，其沿喷管的长度方向间隔设置。同时，为了控制喷液组件50的喷射流体的溅射程度，相邻喷液口间隔设置，并且，相邻喷管的喷液口相互交错，以减少流体在槽主体41内部的对冲和/或交叉，尽量控制流体的扰动程度，以在一定程度上保证经由整流部42的流体变得相对平稳。
83.可以理解的是，喷液口可以为喷管，或者在喷液口的位置安装喷嘴，以朝向溢流槽40定点供给清洗液。在一些实施例中，喷液口安装的喷嘴可以为柱状喷嘴或锥形喷嘴，以使喷射的流体弥散于槽主体41的腔室中。
84.图6是本发明一实施例提供的圆清洗装置内部的流场图，其具体示出了溢流槽40中清洗液的流动情况。槽主体41内部的清洗液经过整流部42的整流处理后，流体的流动方向大致为竖直向上，以有效减少流体在溢流槽40中的扰动和回流。
85.具体的，喷液组件50(图4示出)朝向溢流槽40喷射的清洗液沿竖直方向流动，以推动兆声清洗剥离的颗粒物向上移动，最后经由溢流槽40的上沿流动至溢流槽40与箱体10之间。
86.图7是本发明另一实施例提供的一种晶圆清洗装置100的示意图，与图3示出的实施例相比，溢流槽40的结构和振板30的数量不同。
87.图8是图7示出的实施例中溢流槽40的示意图，晶圆清洗装置100配置一对振板30，其对称设置于溢流槽40的两侧。即配置的一对振板30能够分别清洗晶圆w的正面和背面，实现晶圆的双面清洗。
88.振板30设置于整流部42与收缩部43之间，并且，振板30由整流部42的上端倾斜朝上向外设置，使得振板30发出的高频声波能够朝向晶圆的表面传播，以在空化和声波流等效应的作用下，剥离晶圆表面的颗粒物。
89.与图4示出的溢流槽40的结构相比，收缩部43采用对称结构。即在溢流槽40的上端形成收缩结构，溢流槽40的流体经由所述收缩结构时，其流速会适当变大，含有颗粒物的清洗液能够快速地从溢流槽40的顶部溢出。
90.可以理解的是，当晶圆的单侧需要兆声清洗时，也可以采用图8示出的溢流槽40的对称结构，以保证清洗液的快速溢流，将兆声清洗剥离的颗粒物通过溢流的方式排放至溢流槽40与箱体10之间。即整流部42以上部分也采用相对于竖向中心线的对称结构，根据实际需要，在整流部42与收缩部43之间设置一件或两件振板30。
91.需要说明的是，晶圆正面和晶圆背面设置的振板30的倾斜角度、性能参数可以不同，以适应晶圆正面和背面的特性，提升兆声清洗的效果。
92.图9是图7示出的晶圆清洗装置100之溢流槽40的声压强度曲线，其中，横坐标是晶圆竖向位置，具体的，横坐标以晶圆的下沿为零点定义晶圆的位置；纵坐标是溢流槽40对应位置的声压。
93.图7中，振板30设置于晶圆中轴线靠下的位置，即振板30设置于100mm-150mm的坐
标范围内。由图9可知，振板30发出的高频声波的强度没有明显衰减，溢流槽40的整体声压维持在较高范围内。
94.图10是现有技术中兆声清洗装置(图1示出)对应的声压强度曲线，其横坐标和纵坐标的含义与图9相同。由于兆声振板20’放置在清洗槽10’的底部，其距离待清洗晶圆较远，兆声振板20’发出的高频声波在流体中衰减较大，使得溢流槽40中的声压强度降低，这不利于充分剥离晶圆表面的颗粒物。
95.本发明中振板30的倾斜设置且设置于晶圆中轴线略微靠下的区域，有效降低声压衰减小，使得溢流槽40的整体声压较高，以充分剥离晶圆表面的颗粒物，配置的溢流槽40能够对内部的流体进行整流，避免颗粒物回沾，以获取洁净度符合要求的晶圆。
96.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
97.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

技术特征：
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：箱体，其内部设置有溢流槽；支撑组件，其设置于所述溢流槽中，以支撑并带动晶圆旋转；喷液组件，其设置于所述溢流槽中，以朝向溢流槽底部喷射液体；所述溢流槽包括槽主体、整流部和收缩部，所述槽主体为矩形槽体，所述整流部和收缩部依次设置于所述槽主体的上方；所述整流部与收缩部之间设置有振板，其倾斜设置并朝向晶圆发出高频声波；所述整流部为矩形槽体，其内部宽度小于槽主体的内部宽度；经由整流部上移的流体，能够将高频声波剥离的污染物从溢流槽的顶部排出。2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述振板设置于溢流槽竖向中心线的侧方，其朝上向外倾斜延伸设置。3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述振板与水平面的夹角为2-30
°
。4.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述收缩部是纵切面为梯形的槽体，其侧板朝上向内倾斜延伸设置。5.如权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述收缩部的侧板与溢流槽竖向中心线的夹角为1-15
°
。6.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述支撑组件和喷液组件设置于所述槽主体中，所述喷液组件位于所述支撑组件的下方。7.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述整流部的内部宽度是槽主体内部宽度的1/3-2/3。8.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述收缩部的横向尺寸小于或等于所述槽主体的横向尺寸。9.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述振板至少部分位于待清洗晶圆中轴线的下方。10.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述振板的宽度为10-50mm。

技术总结
本发明公开了一种晶圆清洗装置，其包括箱体，其内部设置有溢流槽；支撑组件，其设置于所述溢流槽中，以支撑并带动晶圆旋转；喷液组件，其设置于所述溢流槽中，以朝向溢流槽底部喷射液体；所述溢流槽包括槽主体、整流部和收缩部，所述槽主体为矩形槽体，所述整流部和收缩部依次设置于所述槽主体的上方；所述整流部与收缩部之间设置有振板，其倾斜设置并朝向晶圆发出高频声波；所述整流部为矩形槽体，其内部宽度小于槽主体的内部宽度；经由整流部上移的流体，能够将高频声波剥离的污染物从溢流槽的顶部排出。部排出。部排出。


技术研发人员：陈贺 李长坤 赵德文
受保护的技术使用者：华海清科股份有限公司
技术研发日：2023.06.30
技术公布日：2023/9/22