一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置及方法

1.本发明属于岩土工程试验设备技术领域，尤其涉及一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置及方法。


背景技术：

2.通过测量土样的电阻率来反映岩土材料的物理力学特性是一种常用的物理测试手段，在三轴试验中，测量土样的电阻率可研究不同条件下材料的电阻率特性，对电法勘探具有重要的指导意义。
3.在土工试验的弯曲元测试中，土样需要加工成圆柱型三轴试样，并且将弯曲元的发生端和接收端，分别为片状的压电陶瓷晶片置于试样两端，通过对试样施压使得压电陶瓷晶片产生电荷，并通过回路产生电流。
4.现有技术中，并未存在利用弯曲元试验测量饱和土样电阻率的相关技术，因此提供一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置及方法，在进行弯曲元试验时，不但可以测试饱和土样的电阻率，还可以测试饱和土样的剪切波波速(s波)和压缩波(p波)波速。


技术实现要素：

5.为解决上述技术问题，本发明提出了一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置及方法，能够实现在进行弯曲元试验时，不但可以测试饱和土样的电阻率，还可以测试饱和土样的剪切波波速(s波)和压缩波(p波)波速。
6.为实现上述目的，本发明提供了一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，包括，
7.底座和与所述底座相对移动的顶帽，所述底座与所述顶帽相对的端面上分别开设有容纳槽，两所述容纳槽用于容纳试样的两端部；
8.两压电陶瓷晶片件，分别可拆卸连接在两所述容纳槽内，两所述压电陶瓷晶片件的一端分别嵌入所述试样两端内；
9.两端面封闭膜，分别包覆固定在所述试样两端，所述端面封闭膜用于将所述压电陶瓷晶片件封闭，两所述端面封闭膜分别通过一固定件与所述底座和所述顶帽固定，两所述压电陶瓷晶片件的导线端分别穿过两所述端面封闭膜并连接有一检测件；
10.开槽件，设置在所述底座与所述顶帽相互远离的端面，所述开槽件贯穿所述底座和顶帽且与所述底座和所述顶帽可拆卸连接，所述开槽件用于向所述试样两端开槽并容纳所述压电陶瓷晶片件。
11.进一步的，所述压电陶瓷晶片件包括一嵌入所述试样内的压电陶瓷晶片，所述压电陶瓷晶片远离所述试样的一端固定在底板上，所述容纳槽底端内壁开设有通槽，所述底板位于所述通槽内，且所述底板靠近所述压电陶瓷晶片的端面与所述容纳槽底端内壁齐平，所述底板两端分别固接有支撑板，所述容纳槽底端内壁开设有与所述支撑板适配的支
撑槽。
12.进一步的，所述端面封闭膜为包覆在所述试样两端的乳胶膜，所述乳胶膜的中心开孔用于供所述压电陶瓷晶片上的导线通过。
13.进一步的，所述底板靠近所述乳胶膜的一端固接有导筒，所述导筒穿过所述乳胶膜上的中心开孔并伸出所述乳胶膜外，所述压电陶瓷晶片上的导线穿过所述导筒。
14.进一步的，所述检测件包括一电流检测盒，两所述压电陶瓷晶片分别通过所述导线与所述电流检测盒电性连接。
15.进一步的，两所述固定件分别设置在所述底座与所述顶帽相对的端面上，所述固定件包括与所述底座和所述顶帽固定的若干短板，所述短板末端固接有紧固套，所述紧固套套设在所述试样外，所述乳胶膜的顶端沿所述紧固套的顶端弯折向下，所述乳胶膜的弯折段上套设有橡皮圈，所述乳胶膜通过所述橡皮圈固定在所述紧固套上。
16.进一步的，所述开槽件包括外壁与所述通槽内壁适配的竖向切箱，所述竖向切箱两端开口，且所述竖向切箱内壁与所述压电陶瓷晶片内壁适配，所述竖向切箱的一端面上固接有第一限位板，所述第一限位板位于所述底座或所述顶帽远离所述试样的一侧，所述第一限位板用于限制所述竖向切箱端面伸入所述试样内的距离；
17.所述竖向切箱内设置有切刀，所述切刀两侧壁与所述竖向切箱内壁适配，所述切刀的一端面上固定有第二限位板，所述第二限位板用于限制所述切刀伸入所述竖向切箱内的距离。
18.进一步的，所述底座和所述顶帽外分别套设有一连接环，所述底座外壁和所述顶帽外壁分别通过连接支架与所述连接环固接，两所述连接环上穿设有若干连接杆，所述连接杆上螺纹连接有固定螺栓，所述固定螺栓用于对位于下方的所述连接杆限位，所述连接杆与位于上方的连接环滑动连接。
19.进一步的，所述顶帽上方设置有挤压板，所述挤压板靠近所述顶帽的一端通过若干支柱与所述顶帽顶端接触，所述挤压板侧壁周向固接有若干滑动板，所述滑动板穿设在所述连接杆上且与所述连接杆滑动连接。
20.一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试方法，操作步骤包括，
21.s1、试样制备：制备饱和土样并固结形成试样；
22.s2、开设嵌槽：向底座的容纳槽或顶帽的容纳槽内置入试样，向通槽内插入开槽件对试样两端开槽；
23.s3、置入压电陶瓷晶片件：取下试样，向开设的嵌槽内送入压电陶瓷晶片件；
24.s4、安装试样：向试样端部包覆端面封闭膜并与固定件固定，向底座的容纳槽内送入试样的一端，向顶帽的容纳槽内送入试样的另一端；
25.s5、开始试验：向顶帽施加压力，观测检测件的数据并记录。
26.与现有技术相比，本发明具有如下优点和技术效果：
27.1.将压电陶瓷晶片件与检测件结合，当对试样施压时，压电陶瓷晶片件变形并产生电流，在导线端的作用下与检测件连接，并形成一回路，在检测件的作用下经过计算可测得试样的电阻率。此外还可以测试饱和土样的剪切波波速(s波)和压缩波(p波)波速。
28.2.通过端面封闭膜将试样两端封闭，实现弯曲元试验的正常进行。
29.3.通过设置开槽件，可在试样的两端开设与压电陶瓷晶片件适配的嵌槽，便于对
压电陶瓷晶片件的定位以及嵌入试样。
附图说明
30.构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
31.图1为测试装置的立体图；
32.图2为图1的正视图；
33.图3为乳胶膜与压电陶瓷晶片连接关系的立体图；
34.图4为图3的爆炸图；
35.图5为压电陶瓷晶片与底座连接关系的爆炸图；
36.图6为开槽件与底座连接关系的立体图；
37.图7为图6的爆炸图；
38.图8为试样外罩设压力罩状态的立体图；
39.图9为弯曲元试验时整体装置的正视图；
40.其中，1-底座，2-顶帽，3-容纳槽，4-试样，5-压电陶瓷晶片，6-底板，7-通槽，8-支撑板，9-支撑槽，10-乳胶膜，11-导线，12-导筒，13-电流检测盒，14-短板，15-紧固套，16-橡皮圈，17-竖向切箱，18-第一限位板，19-切刀，20-第二限位板，21-连接环，22-连接杆，23-固定螺栓，24-挤压板，25-滑动板，26-连接支架，27-支柱，28-透水孔，29-压力罩，30-加载架，31-轴向位移传感器，32-轴向扭矩双量程传感器，33-轴向力传感器，34-小量程位移传感器，35-真空泵，36-压力传输杆，37-上封盖。
具体实施方式
41.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
42.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
43.参照图1-9，本发明提供一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，包括，底座1和与底座1相对移动的顶帽2，底座1与顶帽2相对的端面上分别开设有容纳槽3，两容纳槽3用于容纳试样4的两端部；两压电陶瓷晶片件，分别可拆卸连接在两容纳槽3内，两压电陶瓷晶片件的一端分别嵌入试样4两端内；两端面封闭膜，分别包覆固定在试样4两端，端面封闭膜用于将压电陶瓷晶片件封闭，两端面封闭膜分别通过一固定件与底座1和顶帽2固定，两压电陶瓷晶片件的导线端分别穿过两端面封闭膜并连接有一检测件；开槽件，设置在底座1与顶帽2相互远离的端面，开槽件贯穿底座1和顶帽2且与底座1和顶帽2可拆卸连接，开槽件用于向试样4两端开槽并容纳压电陶瓷晶片件。
44.其中，底座1和顶帽2上下相对设置，并在底座1和顶帽2上分别开设有若干透水孔28。该透水孔28可为贯穿孔，或者在底座1和顶帽2内开设有与该透水孔28连通的空腔。
45.进一步的，参照图8，为了弯曲元试验的正常进行，需要在试样4外罩设压力罩29，
并向压力罩29内注入围压液。因此具体使用方式为，在将试样4安装在底座1和顶帽2上后，将压力罩29罩设在试样4外侧，并通过螺钉固定压力罩29与底座1外侧壁，同时，顶帽2位于压力罩29内，在试样4安装至顶帽2完毕后，在该压力罩29顶端封装上封盖37，在上封盖37上开设有供支柱27通过的孔，使得支柱27可在上封盖37上移动并挤压顶帽2。
46.需要注意的是，压力罩29上开设有与连接支架26匹配的过槽，同时，需要保证各连接缝处的密封效果。
47.进一步的，参照图9，在进行弯曲元试验时，将组装完毕的上述结构安装固定在加载架30上，向压力加载端安装轴向位移传感器31，并向压力传输杆36上安装轴向扭矩双量程传感器32，在压力传输杆36与挤压板24的连接处安装轴向力传感器33，并在压力传输杆36上安装小量程位移传感器34，在压力罩29外侧设置有真空泵35，真空泵35与压力罩29内连通。
48.同时，在导筒12附近应当设置孔压传感器，用于对导筒12附近压力变化进行监测。
49.此外，应当配备有匹配的压力控制柜、电脑、数字伺服控制器和采集系统以及液压源等结构，上述结构均为弯曲元试验中常用结构，其具体使用方式和连接方式不再赘述。
50.进一步优化方案，参照图3、图4、图5，压电陶瓷晶片件包括一嵌入试样4内的压电陶瓷晶片5，压电陶瓷晶片5远离试样4的一端固定在底板6上，容纳槽3底端内壁开设有通槽7，底板6位于通槽7内，且底板6靠近压电陶瓷晶片5的端面与容纳槽3底端内壁齐平，底板6两端分别固接有支撑板8，容纳槽3底端内壁开设有与支撑板8适配的支撑槽9。
51.可以理解的，通槽7的存在一方面用于放入底板6，另一方面用于供开槽件通过，当向试样4送入压电陶瓷晶片5后，将底板6送入通槽7内，在支撑板8与支撑槽9的配合下，可对底板6进行限位，使得压电陶瓷晶片5无法在容纳槽3内产生偏移。
52.具体的，压电陶瓷晶片5为片状结构。
53.进一步优化方案，参照图3、图4，端面封闭膜为包覆在试样4两端的乳胶膜10，乳胶膜10的中心开孔用于供压电陶瓷晶片5上的导线11通过。
54.可以理解的，乳胶膜10用于封堵试样4的两端，在常规的弯曲元试验中，由于压电陶瓷晶片5不需要连接导线，因此不需要破坏试样4两端的乳胶膜10，而在本技术方案中，在开设试样4两端的嵌槽时破坏了其两端的乳胶膜10，因此在置入压电陶瓷晶片5后，通过乳胶膜10将试样4两端封闭，并将连接在压电陶瓷晶片5上的导线11穿过乳胶膜10的中心开口。
55.进一步优化方案，参照图5，底板6靠近乳胶膜10的一端固接有导筒12，导筒12穿过乳胶膜10上的中心开孔并伸出乳胶膜10外，压电陶瓷晶片5上的导线11穿过导筒12。
56.可以理解的，导筒12为一硬质直筒，同时由于乳胶膜10具有一定弹性，因此导筒12可较为容易的穿过乳胶膜10上的中心开口，同时，乳胶膜10中心开口的内壁紧贴在导筒12的外壁上，提高对试样4两端的封闭效果。同时由于导筒12的存在，可便于对导线11进行调节。
57.进一步优化方案，参照图1、图2，检测件包括一电流检测盒13，两压电陶瓷晶片5分别通过导线11与电流检测盒13电性连接。
58.可以理解的，压电陶瓷晶片5-试样4-另一压电陶瓷晶片5-导线11-电流检测盒13-另一导线11可构成一回路，电流检测盒13用于对回路中的电流大小进行检测，并通过计算
可得出电阻率跟随试样4形变而产生的变化。
59.进一步优化方案，两单招图3、图4、图5，固定件分别设置在底座1与顶帽2相对的端面上，固定件包括与底座1和顶帽2固定的若干短板14，短板14末端固接有紧固套15，紧固套15套设在试样4外，乳胶膜10的顶端沿紧固套15的顶端弯折向下，乳胶膜10的弯折段上套设有橡皮圈16，乳胶膜10通过橡皮圈16固定在紧固套15上。
60.紧固套15为硬质的环形结构，乳胶膜10包覆在试样4底部后，乳胶膜10的外端面向上移动并在紧固套15的顶端端面处弯折，待弯折后将预先套设在试样4上的橡皮圈16张开送至紧固套15外侧，实现对乳胶膜10的固定。
61.当乳胶膜10包覆在试样4顶部后，乳胶膜10的外端面向下移动并在紧固套15的底端端面处弯折，待弯折后将预先套设在试样4上的另一橡皮圈16张开送至紧固套15外侧，实现对乳胶膜10的固定。
62.进一步优化方案，参照图6、图7，开槽件包括外壁与通槽7内壁适配的竖向切箱17，竖向切箱17两端开口，且竖向切箱17内壁与压电陶瓷晶片5内壁适配，竖向切箱17的一端面上固接有第一限位板18，第一限位板18位于底座1或顶帽2远离试样4的一侧，第一限位板18用于限制竖向切箱17端面伸入试样4内的距离；
63.竖向切箱17内设置有切刀19，切刀19两侧壁与竖向切箱17内壁适配，切刀19的一端面上固定有第二限位板20，第二限位板20用于限制切刀19伸入竖向切箱17内的距离。
64.可以理解的，竖向切箱17在第一限位板18的作用下仅能向试样4的端部伸入一定距离，该距离为压电陶瓷晶片5嵌入试样4内的厚度，同时，在第二限位板20的作用下，将切刀19伸入竖向切箱17内，往复移动切刀19，对位于竖向切箱17内的试样4切除去土，最终形成容纳压电陶瓷晶片5的嵌槽。
65.进一步优化方案，参照图1、图2，底座1和顶帽2外分别套设有一连接环21，底座1外壁和顶帽2外壁分别通过连接支架26与连接环21固接，两连接环21上穿设有若干连接杆22，连接杆22上螺纹连接有固定螺栓23，固定螺栓23用于对位于下方的连接杆22限位，连接杆22与位于上方的连接环21滑动连接。
66.可以理解的，连接环21和连接杆22配合对底座1进行支撑，使得底座1保持水平设置，而顶帽2在连接环21的作用下被限位并可相对于连接杆22滑动，以实现对试样4施压时顶帽2的移动。
67.进一步优化方案，顶帽2上方设置有挤压板24，挤压板24靠近顶帽2的一端通过若干支柱27与顶帽2顶端接触，挤压板24侧壁周向固接有若干滑动板25，滑动板25穿设在连接杆22上且与连接杆22滑动连接。
68.可以理解的，向挤压板24施压，通过多个支柱27将施加压力均布在顶帽2上，同时，在支柱27的作用下使得挤压板24与顶帽2之间存在有间隙，该间隙用于供导线11通过。
69.一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试方法，操作步骤包括，
70.s1、试样4制备：制备饱和土样并固结形成试样4。预先制备圆柱型的饱和土样。
71.s2、开设嵌槽：向底座1的容纳槽3或顶帽2的容纳槽3内置入试样4，向通槽7内插入开槽件对试样4两端开槽。
72.将试样4底部置入底座1的容纳槽3内，向通槽7内放入竖向切箱17并使得第一限位板18与底座1底端面贴合，向竖向切箱17内送入切刀19并使得第二限位板与第一限位板18
底端面贴合，来回往复移动切刀19，将试样4底部的多余土切下移出。随后向试样4的顶端放置顶帽2，并重复上述过程。
73.本发明的一个优选实施例中，待试样4的一端嵌槽开设完毕后，将该试样4翻转，并利用底座1对试样4的另一端开设嵌槽。
74.s3、置入压电陶瓷晶片件：取下试样4，向开设的嵌槽内送入压电陶瓷晶片件。
75.s4、安装试样4：向试样4端部包覆端面封闭膜并与固定件固定，向底座1的容纳槽3内送入试样4的一端，向顶帽2的容纳槽3内送入试样4的另一端。
76.具体的，嵌槽开设完毕后，将竖向切箱17由通槽7取出，向试样4底部嵌槽送入压电陶瓷晶片5并连接导线11，随后在试样4底部包覆一乳胶膜10，将导线11由导筒12伸出乳胶膜10后，将试样4置入容纳槽3内，同时将支撑板8送入支撑槽9内，随后将乳胶膜10通过一橡皮圈16固定在紧固套15上。
77.待试样4下部固定完毕后，将试样4上预先套设另一橡皮圈，随后在试样4顶端的嵌槽置入另一压电陶瓷晶片5，并在试样4顶部包覆另一乳胶膜10，将包覆乳胶膜10完毕的试样4顶部置入顶帽2内的容纳槽3内，最后在两连接环21上穿设连接杆22，通过固定螺栓23对位于下方的连接环21进行限位，并在位于上方的连接环21上穿设挤压板24，使得支柱27与顶帽2顶端贴合。
78.上述过程中，导筒12位于通槽7内。
79.s5、开始试验：向顶帽2施加压力，观测检测件的数据并记录。将两导线与电流检测盒13连接，对组装完毕的试样4进行弯曲元试验，并在试验过程中检测电流大小。
80.以上，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

技术特征：
1.一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：包括，底座(1)和与所述底座(1)相对移动的顶帽(2)，所述底座(1)与所述顶帽(2)相对的端面上分别开设有容纳槽(3)，两所述容纳槽(3)用于容纳试样(4)的两端部；两压电陶瓷晶片件，分别可拆卸连接在两所述容纳槽(3)内，两所述压电陶瓷晶片件的一端分别嵌入所述试样(4)两端内；两端面封闭膜，分别包覆固定在所述试样(4)两端，所述端面封闭膜用于将所述压电陶瓷晶片件封闭，两所述端面封闭膜分别通过一固定件与所述底座(1)和所述顶帽(2)固定，两所述压电陶瓷晶片件的导线端分别穿过两所述端面封闭膜并连接有一检测件；开槽件，设置在所述底座(1)与所述顶帽(2)相互远离的端面，所述开槽件贯穿所述底座(1)和顶帽(2)且与所述底座(1)和所述顶帽(2)可拆卸连接，所述开槽件用于向所述试样(4)两端开槽并容纳所述压电陶瓷晶片件。2.根据权利要求1所述的基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：所述压电陶瓷晶片件包括一嵌入所述试样(4)内的压电陶瓷晶片(5)，所述压电陶瓷晶片(5)远离所述试样(4)的一端固定在底板(6)上，所述容纳槽(3)底端内壁开设有通槽(7)，所述底板(6)位于所述通槽(7)内，且所述底板(6)靠近所述压电陶瓷晶片(5)的端面与所述容纳槽(3)底端内壁齐平，所述底板(6)两端分别固接有支撑板(8)，所述容纳槽(3)底端内壁开设有与所述支撑板(8)适配的支撑槽(9)。3.根据权利要求2所述的基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：所述端面封闭膜为包覆在所述试样(4)两端的乳胶膜(10)，所述乳胶膜(10)的中心开孔用于供所述压电陶瓷晶片(5)上的导线(11)通过。4.根据权利要求3所述的基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：所述底板(6)靠近所述乳胶膜(10)的一端固接有导筒(12)，所述导筒(12)穿过所述乳胶膜(10)上的中心开孔并伸出所述乳胶膜(10)外，所述压电陶瓷晶片(5)上的导线(11)穿过所述导筒(12)。5.根据权利要求4所述的基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：所述检测件包括一电流检测盒(13)，两所述压电陶瓷晶片(5)分别通过所述导线(11)与所述电流检测盒(13)电性连接。6.根据权利要求3所述的基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：两所述固定件分别设置在所述底座(1)与所述顶帽(2)相对的端面上，所述固定件包括与所述底座(1)和所述顶帽(2)固定的若干短板(14)，所述短板(14)末端固接有紧固套(15)，所述紧固套(15)套设在所述试样(4)外，所述乳胶膜(10)的顶端沿所述紧固套(15)的顶端弯折向下，所述乳胶膜(10)的弯折段上套设有橡皮圈(16)，所述乳胶膜(10)通过所述橡皮圈(16)固定在所述紧固套(15)上。7.根据权利要求2所述的基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：所述开槽件包括外壁与所述通槽(7)内壁适配的竖向切箱(17)，所述竖向切箱(17)两端开口，且所述竖向切箱(17)内壁与所述压电陶瓷晶片(5)内壁适配，所述竖向切箱(17)的一端面上固接有第一限位板(18)，所述第一限位板(18)位于所述底座(1)或所述顶帽(2)远离所述试样(4)的一侧，所述第一限位板(18)用于限制所述竖向切箱(17)端面伸入所述试样(4)内的距离；
所述竖向切箱(17)内设置有切刀(19)，所述切刀(19)两侧壁与所述竖向切箱(17)内壁适配，所述切刀(19)的一端面上固定有第二限位板(20)，所述第二限位板(20)用于限制所述切刀(19)伸入所述竖向切箱(17)内的距离。8.根据权利要求1所述的基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：所述底座(1)和所述顶帽(2)外分别套设有一连接环(21)，所述底座(1)外壁和所述顶帽(2)外壁分别通过连接支架(26)与所述连接环(21)固接，两所述连接环(21)上穿设有若干连接杆(22)，所述连接杆(22)上螺纹连接有固定螺栓(23)，所述固定螺栓(23)用于对位于下方的所述连接杆(22)限位，所述连接杆(22)与位于上方的连接环(21)滑动连接。9.根据权利要求8所述的基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：所述顶帽(2)上方设置有挤压板(24)，所述挤压板(24)靠近所述顶帽(2)的一端通过若干支柱(27)与所述顶帽(2)顶端接触，所述挤压板(24)侧壁周向固接有若干滑动板(25)，所述滑动板(25)穿设在所述连接杆(22)上且与所述连接杆(22)滑动连接。10.一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试方法，根据权利要求1所述的基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，其特征在于：操作步骤包括，s1、试样(4)制备：制备饱和土样并固结形成试样(4)；s2、开设嵌槽：向底座(1)的容纳槽(3)或顶帽(2)的容纳槽(3)内置入试样(4)，向通槽(7)内插入开槽件对试样(4)两端开槽；s3、置入压电陶瓷晶片件：取下试样(4)，向开设的嵌槽内送入压电陶瓷晶片件；s4、安装试样(4)：向试样(4)端部包覆端面封闭膜并与固定件固定，向底座(1)的容纳槽(3)内送入试样(4)的一端，向顶帽(2)的容纳槽(3)内送入试样(4)的另一端；s5、开始试验：向顶帽(2)施加压力，观测检测件的数据并记录。

技术总结
本发明公开一种基于弯曲元试验的饱和土样的电阻率测试装置，包括，底座和与底座相对移动的顶帽，底座与顶帽相对的端面上分别开设有容纳槽，两容纳槽用于容纳试样的两端部；两压电陶瓷晶片件，分别可拆卸连接在两容纳槽内，两压电陶瓷晶片件的一端分别嵌入试样两端内；两端面封闭膜，分别包覆固定在试样两端，端面封闭膜用于将压电陶瓷晶片件封闭，两端面封闭膜分别通过一固定件与底座和顶帽固定，两压电陶瓷晶片件的导线端分别穿过两端面封闭膜并连接有一检测件。本发明能够实现在进行弯曲元试验时，不但可以测试饱和土样的电阻率，还可以测试饱和土样的剪切波波速和压缩波波速。可以测试饱和土样的剪切波波速和压缩波波速。可以测试饱和土样的剪切波波速和压缩波波速。


技术研发人员：周正龙 张海涛 吴琪 陈国兴
受保护的技术使用者：南京工业大学
技术研发日：2023.06.25
技术公布日：2023/9/20