薄膜组结构、光电器件和光电器件的调节方法与流程

1.本技术实施例涉及光学薄膜领域技术领域，尤其涉及一种薄膜组结构、光电器件和光电器件的调节方法。


背景技术：

2.在光学薄膜领域中，光学薄膜影响光在介质界面传播时的反射、透射、相位和偏振等特性，早已广泛应用于光学和光电子技术领域。对于激光器的谐振腔，端面的增透或增反膜结构影响着光波在谐振腔内的振荡反馈。对于探测器的增透膜，该结构能够提升入射光的透射率，提高吸收区吸收光子的效率。对于光学透镜，光学薄膜能够优化或改变透镜的性能，赋予透镜各种功能性。在一定程度上，光学薄膜还起到物理保护的作用，凭借其轻便有效的特性已应用于绝大多数光学器件和光学系统。
3.随着微纳光电技术的发展，对光学薄膜特性的要求也越来越多，逐渐开发出多层薄膜组和微结构薄膜等应用于各个细分领域，然而不同的光电器件往往会对光学薄膜有不同的要求，导致光学薄膜需要进行定制化生产，生产线适配性差，对光学薄膜大相径庭的定制化需求导致生产成本升高，且制备形成的光学薄膜使用条件单一，光学器件的性能固化。


技术实现要素：

4.本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
5.为此，本发明的第一方面提供了一种薄膜组结构。
6.本发明的第二方面提供了一种光电器件。
7.本发明的第三方面提供了一种光电器件的调节方法。
8.有鉴于此，根据本技术实施例的第一方面提出了一种薄膜组结构，包括：
9.多个薄膜层；
10.电极，所述电极连接于多个所述薄膜层中的至少一个薄膜层，在与所述电极连接的薄膜层的偏置电压发生变化的情况下，与所述电极连接的薄膜层的折射率随之变化。
11.在一种可行的实施方式中，制备所述薄膜层的材料包括：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌镓、氧化锌铝和掺氟氧化锡中的至少一种。
12.在一种可行的实施方式中，所述电极通过光刻工艺形成于多个所述薄膜层上；或
13.所述电极通过点胶固晶工艺形成于多个所述薄膜层上；或
14.所述电极通过共晶固晶工艺形成于多个所述薄膜层上。
15.根据本技术实施例的第二方面提出了一种光电器件，包括：
16.光电器件本体；
17.如上述任一技术方案所述的薄膜组结构，所述薄膜组件连接于所述光电器件本体。
18.在一种可行的实施方式中，所述光电器件本体包括：
19.边发射激光器芯片，所述薄膜组件设置于所述边发射激光器芯片的两侧端面。
20.在一种可行的实施方式中，所述光电器件本体包括：
21.面发射激光器芯片，所述薄膜组件设置于所述面发射激光器芯片的发射端面上；
22.隔断，所述隔断设置在薄膜组件的电极和所述面发射激光器芯片的电极之间。
23.在一种可行的实施方式中，所述光电器件本体包括：
24.探测器芯片，所述薄膜组件设置于所述探测器芯片的接收光敏面上。
25.在一种可行的实施方式中，所述光电器件本体包括：
26.外腔激光器，所述薄膜组件的多个薄膜层设置在所述外腔激光器的表面；或
27.透镜，所述所述薄膜组件设置于所述透镜的表面。
28.根据本技术实施例的第三方面提出了一种光电器件的调节方法，应用于如上述任一技术方案所述的光电器件，所述调节方法包括：
29.通过电极调节多个所述薄膜层中至少一个薄膜层的折射率；
30.基于调节后的折射率对光电器件的性能进行调节。
31.在一种可行的实施方式中，所述基于调节后的折射率对光电器件的性能进行调节包括：
32.在所述光电器件本体包括激光器芯片的情况下，通过调节后的折射率调节激光器芯片的光增益；
33.在所述光电器件本体包括探测器芯片的情况下，通过调节后的折射率调节探测器芯片的的最大响应波长。
34.相比现有技术，本发明至少包括以下有益效果：
35.本技术实施例提供的薄膜组结构包括了多个薄膜层和连接于多个薄膜层中至少一个薄膜层的电极，通过多个薄膜层的设置便于条件薄膜组结构的厚度，通过电极的设置可以为多个薄膜层中的至少一个薄膜层施加偏电压，通过调整施加在某层薄膜上的偏置电压就可以调控该层光学薄膜的折射率。进一步地根据等效介质理论和菲涅尔公式，该层折射率的变化会改变薄膜组结构整体的等效折射率，进而影响薄膜组的反射率和透射率等特性。将这种电控光学薄膜组结构应用在激光器、探测器和其他光电器件上，可以通过调节加在薄膜组的的电压来调整优化其性能，同时通过薄膜组结构的反射率和透射率可调节，可以使得一个薄膜组结构适用于不同的使用场景，使得薄膜组结构具备通用性，通过一个薄膜结构可以满足不同的需求，可以降低产品之间的差异性，利于降低产品的生产成本，同时对于装配有该薄膜组结构的光电器件，光电器件的性能参数可调节，适用范围更广，更加容易达到最优的工作状态。
附图说明
36.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
37.图1为本技术提供的一种实施例的薄膜组结构的示意性结构图；
38.图2为本技术提供的另一种实施例的薄膜组结构的示意性结构图；
39.图3为本技术提供的另一种实施例的薄膜组结构的多个薄膜层的示意性结构图；
40.图4为本技术提供的第一种实施例的光学器件的示意性结构图；
41.图5为本技术提供的第二种实施例的光学器件的示意性结构图；
42.图6为本技术提供的第三种实施例的光学器件的示意性结构图；
43.图7为本技术提供的第四种实施例的光学器件的示意性结构图；
44.图8为本技术提供的第五种实施例的光学器件的示意性结构图；
45.图9为本技术提供的一种实施例的光学器件调节方法的示意性步骤流程图。
46.其中，图1至图8中附图标记与部件名称之间的对应关系为：
47.100薄膜组结构；
48.110薄膜层、120电极；
49.131边发射激光器芯片、132面发射激光器芯片、133探测器芯片、134透镜、135基板。
具体实施方式
50.为了更好的理解上述技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本技术实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本技术实施例以及实施例中的具体特征是对本技术实施例技术方案的详细的说明，而不是对本技术技术方案的限定，在不冲突的情况下，本技术实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
51.如图1至图3所示，根据本技术实施例的第一方面提出了一种薄膜组结构100，包括：多个薄膜层110；电极120，电极120连接于多个薄膜层110中的至少一个薄膜层110，在与电极120连接的薄膜层110的偏置电压发生变化的情况下，与电极120连接的薄膜层110的折射率随之变化。
52.本技术实施例提供的薄膜组结构100包括了多个薄膜层110和连接于多个薄膜层110中至少一个薄膜层110的电极120，通过多个薄膜层110的设置便于条件薄膜组结构100的厚度，通过电极120的设置可以为多个薄膜层110中的至少一个薄膜层110施加偏电压，通过调整施加在某层薄膜上的偏置电压就可以调控该层光学薄膜的折射率。进一步地根据等效介质理论和菲涅尔公式，该层折射率的变化会改变薄膜组结构100整体的等效折射率，进而影响薄膜组的反射率和透射率等特性。将这种电控光学薄膜组结构100应用在激光器、探测器和其他光电器件上，可以通过调节加在薄膜组的的电压来调整优化其性能，同时通过薄膜组结构100的反射率和透射率可调节，可以使得一个薄膜组结构100适用于不同的使用场景，使得薄膜组结构100具备通用性，通过一个薄膜结构可以满足不同的需求，可以降低产品之间的差异性，利于降低产品的生产成本，同时对于装配有该薄膜组结构100的光电器件，光电器件的性能参数可调节，适用范围更广，更加容易达到最优的工作状态。
53.如图1和图2所示，多个薄膜层110可以堆叠设置，多个薄膜层110的宽度可以相同或不同。
54.以将该产品应用在激光器上为例，谐振腔是激光器的重要组成部分之一，当光在谐振腔内振荡的增益大于损耗后才能发生激射。其中的损耗一方面是传输介质的光子吸收，另一方面是端面损耗。在发射激光的阈值处，存在腔中一个来回的光增益恰好能抵消过程中的光损耗。此时的光增益可见公式(1)：
55.56.g：光增益；α：吸收系数；l：谐振腔腔长；r1和r2分别为两个端面的反射率。
57.从式(1)中可知，端面的反射率影响着谐振腔的光增益，即会影响激光器的阈值电流、出射功率和斜效率等主要性能参数。通过在激光器上设置本技术实施例提供的薄膜组结构100可以对折射率进行调节，进而即可对反射率进行调节，因此激光器在设置本技术实施例提供的薄膜组结构100时可以对光增益进行调节，能够使激光器稳定并准确地制作端面的增透或增反膜。
58.以将该薄膜组结构100应用在探测器结构中为例，探测器结构中的增透膜可以有效地提高入射光进入吸收区的强度，提高探测效率。对于不同波长的光，当薄膜的有效光学厚度为1/4波长的奇数倍时，在该波长位置会出现极值。当折射率大于基底时，表现为反射率的极大值，即增反；当折射率小于基底时，表现为反射率的极小值，即增透。由于常见半导体材料的折射率大于增透膜，对于最大透射率位置的波长，近似可见公式(2)：
59.λ＝4dn
eff
(2)
60.λ：波长；d：增透膜厚度；n
eff
：增透膜等效折射率。
61.其中的n
eff
与薄膜组结构100各薄膜层110的厚度和折射率相关，当薄膜组结构100各层的材料、厚度和制作方法一定时，可以理论计算出整体的等效折射率。然而在实际的制作过程中，因工艺条件的波动，制作出的薄膜特性会上下浮动，这使产品的最大透射波长可能会偏离设计目标。同时，制作完成的薄膜参数已经确定，无法在不损伤其他部件的条件下完全去除。因此工艺波动造成的异常，很可能报废处理，这严重影响良率成本和生产研发周期。通过将本技术实施例提供的薄膜组结构100作为探测器的增透膜时，可以对增透膜的折射率和反射率进行调节，能够使探测器处于最优的工作状态。
62.在一种可行的实施方式中，制备薄膜层110的材料包括：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌镓、氧化锌铝和掺氟氧化锡中的至少一种。
63.在该技术方案中，进一步提供了制备薄膜层110的材料，制备薄膜层110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌镓(gzo)、氧化锌铝(azo)和掺氟氧化锡(fto)中的一种或多种，这些材料的适用波长范围根据掺杂比例不同也会发生改变。随着给ito薄膜施加的偏置电压增大，其折射率n发生明显下降，变化最大从1.9降至0.5，且消光系数κ也明显降低。基于这种变化性质，在可见光和红外波段会出现介电常数实部由正转负的现象，基于此通过上述材料制备薄膜层110，在通过电极120施加偏置电压产生变化时，薄膜层110的折射率即可随之变化。
64.在一种可行的实施方式中，电极120通过光刻工艺形成于多个薄膜层110上；或电极120通过点胶固晶工艺形成于多个薄膜层110上；或电极120通过共晶固晶工艺形成于多个薄膜层110上。
65.在该技术方案中，进一步提供了电极120的制备方式，电极120可以通过光刻工艺形成于薄膜层110之上，如此提高电极120的稳定性。
66.在该技术方案中，也可以通过点胶固晶工艺和共晶固晶工艺制备电极120，如此设置便于电极120的制备。
67.如图4至图8所示，根据本技术实施例的第二方面提出了一种光电器件，包括：光电器件本体；如上述任一技术方案的薄膜组结构100，薄膜组件连接于光电器件本体。
68.本技术实施例提供的光电器件因包括了上述任一技术方案的薄膜组结构100，因
此该光电器件具备上述技术方案的薄膜组结构100的全部有益效果。
69.本技术实施例提供的光电器件包括了光电器件本体和薄膜组结构100，薄膜组结构100包括了多个薄膜层110和连接于多个薄膜层110中至少一个薄膜层110的电极120，通过多个薄膜层110的设置便于条件薄膜组结构100的厚度，通过电极120的设置可以为多个薄膜层110中的至少一个薄膜层110施加偏电压，通过调整施加在某层薄膜上的偏置电压就可以调控该层光学薄膜的折射率。进一步地根据等效介质理论和菲涅尔公式，该层折射率的变化会改变薄膜组结构100整体的等效折射率，进而影响薄膜组的反射率和透射率等特性。反射率和透射率的变化作用在光电器件本体之上，即可对光电器件本体的性能和参数进行调节，可以通过调节加在薄膜组的的电压来调整优化其性能，同时通过薄膜组结构100的反射率和透射率可调节，可以使得一个薄膜组结构100适用于不同的使用场景，使得薄膜组结构100具备通用性，通过一个薄膜结构可以满足不同的需求，可以降低产品之间的差异性，利于降低产品的生产成本，同时对于装配有该薄膜组结构100的光电器件，光电器件的性能参数可调节，适用范围更广，更加容易达到最优的工作状态。
70.如图4所示，在一种可行的实施方式中，光电器件本体包括：边发射激光器芯片131，薄膜组件设置于边发射激光器芯片131的两侧端面。
71.在该技术方案中，光电器件本体可以包括边发射激光器芯片131，谐振腔是边发射激光器芯片131的重要组成部分之一，当光在谐振腔内振荡的增益大于损耗后才能发生激射。其中的损耗一方面是传输介质的光子吸收，另一方面是端面损耗。在发射激光的阈值处，存在腔中一个来回的光增益恰好能抵消过程中的光损耗。此时的光增益可见公式(1)：
[0072][0073]
g：光增益；α：吸收系数；l：谐振腔腔长；r1和r2分别为两个端面的反射率。
[0074]
从式(1)中可知，端面的反射率影响着谐振腔的光增益，即会影响激光器的阈值电流、出射功率和斜效率等主要性能参数。通过在激光器上设置本技术实施例提供的薄膜组结构100可以对折射率进行调节，进而即可对反射率进行调节，因此边发射激光器芯片131通过薄膜组结构100时可以对光增益进行调节，能够使边发射激光器芯片131稳定并准确地制作端面的增透或增反膜。
[0075]
如图5所示，在一种可行的实施方式中，光电器件本体包括：面发射激光器芯片132，薄膜组件设置于面发射激光器芯片132的发射端面上；隔断，隔断设置在薄膜组件的电极120和面发射激光器芯片132的电极120之间。
[0076]
在该技术方案中，光电器件本体还可以包括面发射激光器芯片132，通过在面发射激光器芯片132的发射端面上设置薄膜组件，同样可以对面发射激光器芯片132的光增益进行调节，能够使面发射激光器芯片132稳定并准确地制作端面的增透或增反膜。
[0077]
在该技术方案，薄膜组件的电极120和面发射激光器芯片132的电极120之间还可以设置有隔断，通过隔断的设置，可以防止加在薄膜层110的偏置电压影响驱动芯片工作的电流注入。
[0078]
如图6所示，在一种可行的实施方式中，光电器件本体包括：探测器芯片133，薄膜组件设置于探测器芯片133的接收光敏面上。
[0079]
在该技术方案中，光电器件本体可以包括探测器芯片133，薄膜组件设置于探测器
芯片133的接收光敏面上作为探测器的增透膜，增透膜可以有效地提高入射光进入吸收区的强度，提高探测效率。对于不同波长的光，当薄膜的有效光学厚度为1/4波长的奇数倍时，在该波长位置会出现极值。当折射率大于基底时，表现为反射率的极大值，即增反；当折射率小于基底时，表现为反射率的极小值，即增透。由于常见半导体材料的折射率大于增透膜，对于最大透射率位置的波长，近似可见公式(2)：
[0080]
λ＝4dn
eff
(2)
[0081]
λ：波长；d：增透膜厚度；n
eff
：增透膜等效折射率。
[0082]
其中的n
eff
与薄膜组结构100各薄膜层110的厚度和折射率相关，当薄膜组结构100各层的材料、厚度和制作方法一定时，可以理论计算出整体的等效折射率。然而在实际的制作过程中，因工艺条件的波动，制作出的薄膜特性会上下浮动，这使产品的最大透射波长可能会偏离设计目标。同时，制作完成的薄膜参数已经确定，无法在不损伤其他部件的条件下完全去除。因此工艺波动造成的异常，很可能报废处理，这严重影响良率成本和生产研发周期。通过将本技术实施例提供的薄膜组结构100作为探测器的增透膜时，可以对增透膜的折射率和反射率进行调节，能够使探测器芯片133处于最优的工作状态。
[0083]
如图7所示，在一种可行的实施方式中，光电器件本体包括：外腔激光器，薄膜组件的多个薄膜层110设置在外腔激光器的表面。
[0084]
在该技术方案中，光电器件本体还可以包括外腔激光器，通过在外腔激光器的表面设置薄膜组件，可以调整优化器件和系统的性能。
[0085]
在一些示例中，光电器件本体还可以包括反射镜、相位板和光栅。
[0086]
在一些示例中，薄膜组件也可以布置在光电器件的基板135上，通过将电极120布置在基板135上，一方面，便于电极120的布置；另一方面，便于通过电极120为薄膜层110施加偏置电压。
[0087]
如图8所示，在一种可行的实施方式中，光电器件本体包括：透镜134，薄膜组件设置于透镜134的表面。
[0088]
在该技术方案中，光电器件本体还可以包括透镜134，通过在透镜134之上设置薄膜组件，通过薄膜组件的折射率的变化可以使得透镜134的折射率可调节，能够提高透镜134的适用范围。
[0089]
如图9所示，根据本技术实施例的第三方面提出了一种光电器件的调节方法，应用于如上述任一技术方案的光电器件，调节方法包括：
[0090]
步骤101：通过电极调节多个薄膜层中至少一个薄膜层的折射率；
[0091]
步骤102：基于调节后的折射率对光电器件的性能进行调节。
[0092]
本技术实施例提供的光电器件的调节方法，因应用于上述任一技术方案的光电器件，因此该调节方法具备上述技术方案的光电器件的全部有益效果。
[0093]
本技术实施例提供的光电器件的调节方法通过电极为多个薄膜层中至少一个薄膜层施加偏置电压，引起偏置电压的变化，进而即可引起薄膜层的折射率的变化，进而即可改变整个薄膜组结构的有效折射率的变化，进一步即可对装配有该薄膜组结构的光电器件的性能进行调节，如此设置可以使光电器件处于最佳的作业状态，同时可以调节薄膜组结构的作业方式。
[0094]
在一种可行的实施方式中，基于调节后的折射率对光电器件的性能进行调节包：
[0095]
在光电器件本体包括激光器芯片的情况下，通过调节后的折射率调节激光器芯片的光增益；
[0096]
在光电器件本体包括探测器芯片的情况下，通过调节后的折射率调节探测器芯片的的最大响应波长。
[0097]
通过本技术实施例提供的光电器件的调节方法可以便捷地调节优化光电器件的性能。对于激光器，该方法可以随时调节谐振腔的反馈，并依此调整激光器的阈值、功率和中心波长等特性。对于探测器，该方法能够随时调节增透膜对不同波长的透射率，将入射波长位置的透射率调整至最大，有针对性地提升探测器对该波长的探测效果。对于其他光学器件和光学系统，该方法也能够方便地通过调整薄膜组的反射率和透射率等特性，来调整优化器件和系统的性能，开发出特殊的作用。此外，该方法可以解决部分因工艺波动造成的光学薄膜制作异常的问题，提高工艺制作的容错率，保证光学薄膜环节的良率，可降低报废成本并缩短研发周期。
[0098]
在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0099]
本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本发明的限制。
[0100]
在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0101]
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种薄膜组结构，其特征在于，包括：多个薄膜层；电极，所述电极连接于多个所述薄膜层中的至少一个薄膜层，在与所述电极连接的薄膜层的偏置电压发生变化的情况下，与所述电极连接的薄膜层的折射率随之变化。2.根据权利要求1所述的薄膜组结构，其特征在于，制备所述薄膜层的材料包括：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌镓、氧化锌铝和掺氟氧化锡中的至少一种。3.根据权利要求1所述的薄膜组结构，其特征在于，所述电极通过光刻工艺形成于多个所述薄膜层上；或所述电极通过点胶固晶工艺形成于多个所述薄膜层上；或所述电极通过共晶固晶工艺形成于多个所述薄膜层上。4.一种光电器件，其特征在于，包括：光电器件本体；如权利要求1至3中任一项所述的薄膜组结构，所述薄膜组件连接于所述光电器件本体。5.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件本体包括：边发射激光器芯片，所述薄膜组件设置于所述边发射激光器芯片的两侧端面。6.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件本体包括：面发射激光器芯片，所述薄膜组件设置于所述面发射激光器芯片的发射端面上；隔断，所述隔断设置在薄膜组件的电极和所述面发射激光器芯片的电极之间。7.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件本体包括：探测器芯片，所述薄膜组件设置于所述探测器芯片的接收光敏面上。8.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件本体包括：外腔激光器，所述薄膜组件的多个薄膜层设置在所述外腔激光器的表面；或透镜，所述所述薄膜组件设置于所述透镜的表面。9.一种光电器件的调节方法，其特征在于，应用于如权利要求4至8中任一项所述的光电器件，所述调节方法包括：通过电极调节多个所述薄膜层中至少一个薄膜层的折射率；基于调节后的折射率对光电器件的性能进行调节。10.根据权利要求9所述的光电器件，其特征在于，所述基于调节后的折射率对光电器件的性能进行调节包括：：在所述光电器件本体包括激光器芯片的情况下，通过调节后的折射率调节激光器芯片的光增益；在所述光电器件本体包括探测器芯片的情况下，通过调节后的折射率调节探测器芯片的的最大响应波长。

技术总结
本申请实施例公开了一种薄膜组结构、光电器件和光电器件的调节方法，薄膜组结构包括了多个薄膜层和连接于多个薄膜层中至少一个薄膜层的电极，通过电极的设置可以为多个薄膜层中的至少一个薄膜层施加偏电压，通过调整施加在某层薄膜上的偏置电压就可以调控该层光学薄膜的折射率。使得一个薄膜组结构适用于不同的使用场景，使得薄膜组结构具备通用性，通过一个薄膜结构可以满足不同的需求，可以降低产品之间的差异性，利于降低产品的生产成本，同时对于装配有该薄膜组结构的光电器件，光电器件的性能参数可调节，适用范围更广，更加容易达到最优的工作状态。达到最优的工作状态。达到最优的工作状态。


技术研发人员：周江昊 周志强 姚齐 罗绍迪
受保护的技术使用者：武汉敏芯半导体股份有限公司
技术研发日：2023.05.19
技术公布日：2023/9/20