三极管的匹配精度检测方法、控制器及存储介质与流程

1.本技术涉及集成电路设计技术领域，具体涉及一种三极管的匹配精度检测方法、控制器及存储介质。


背景技术：

2.现有技术中，在集成电路设计过程中，三极管的匹配结果是一项重要指标，因为匹配结果较差时会导致电路的性能下降，而导致三极管匹配结果较差的失配可以分为随机失配和系统失配两种，在电路设计和版图设计过程中需要减小这两种失配以达到较高的匹配结果；
3.而目前传统的三极管匹配精度检测方法是通过覆盖特定层次来进行密度和虚拟陪衬的相关检查，无法直接有效的检测需要匹配的三极管之间的匹配结果，导致需要进行人工进行匹配结果检测，而人工检查费时且不能保证检查完整性和准确率，导致现有的精度检测方法的检测效率和精确率较差，且现有技术仅在版图设计阶段进行检测，一旦出现问题，可能需要重新进行电路设计，导致版图设计无法有效进行。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种三极管的匹配精度检测方法、控制器及计算机存储介质，至少能保证，本技术方案通过分别在电路设计阶段和版图设计阶段进行匹配结果检测，有效缩短检测时间，提升检测效率，并分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性等匹配特性进行检测，有效保证检查三极管匹配结果检测的完整性和准确率。
5.第一方面，本技术实施例提供了一种三极管的匹配精度检测方法，所述方法包括：
6.获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的电路图参数；
7.根据预设的电路图匹配标准对所述电路图参数进行匹配精度检测处理，得到电路图匹配结果，并根据所述电路图匹配结果修改所述电路图参数；
8.获取根据所述待检测电路图生成的待检测版图，并获取所述待检测版图中多个所述需要匹配的三极管的版图参数；
9.根据预设的多个版图匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据所述版图匹配结果修改所述版图参数，其中，所述版图匹配标准包括：紧凑性匹配标准、一致性匹配标准、对称性匹配标准和分散性匹配标准。
10.在一些实施例中，所述电路图参数包括三极管类型、射极长度、射极宽度、射极面积和倍数，所述获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的电路图参数，包括：
11.获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的所述三极管类型、所述射极长度、所述射极宽度、所述射极长度和所述倍数；
12.根据所述射极宽度和射极长度得到所述射极面积。
13.在一些实施例中，所述电路图参数包括三极管类型、射极长度、射极宽度、射极面积和倍数，所述射极面积为所述射极长度和所述射极宽度的乘积，所述根据预设的电路图
匹配标准对所述电路图参数进行匹配精度检测处理，得到电路图匹配结果，并根据所述电路图匹配结果修改所述电路图参数，包括：
14.在多个所述需要匹配的三极管的三极管类型不同，或者射极长度不同，或者射极宽度不同的情况下，得到第一电路匹配结果，并根据所述第一电路匹配结果修改所述电路图参数；
15.在多个所述需要匹配的三极管的三极管类型、射极长度和射极宽度相同，射极长度和射极宽度不相等的情况下，得到第二电路匹配结果，并根据所述第二电路匹配结果和第一预设匹配要求修改所述电路图参数；
16.在多个所述需要匹配的三极管的三极管类型、射极长度和射极宽度相同，射极长度和射极宽度相等，倍数和的开平方根不为整数的情况下，得到第三电路匹配结果，并根据所述第三电路匹配结果和第二预设匹配要求修改所述电路图参数；
17.在多个所述需要匹配的三极管的三极管类型、射极长度和射极宽度相同，射极长度和射极宽度相等，倍数和的开平方根为整数的情况下，根据所述待检测电路图生成所述待检测版图。
18.在一些实施例中，所述版图参数包括三极管最小单元的射极信息、集电极信息、基极信息和接触孔信息；
19.所述射极信息包括三极管射极长度、射极宽度和射极中心点坐标；
20.所述集电极信息包括集电极环上的多个顶点坐标信息；
21.所述基极信息包括基极极环上的多个顶点坐标信息；
22.所述接触孔信息包括射极、集电极和基极对应的多个接触孔的尺寸、个数和相对位置，其中，所述相对位置为接触孔在射极、集电极和基极的相对位置。
23.在一些实施例中，所述根据预设的多个版图匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据所述版图匹配结果修改所述版图参数，包括：
24.在多个所述需要匹配的三极管的所述版图参数相同的情况下，根据预设的多个版图匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据所述版图匹配结果修改所述版图参数；
25.在多个所述需要匹配的三极管的所述版图参数不同的情况下，输出中断检测报告，并根据所述中断检测报告修改所述版图参数。
26.在一些实施例中，所述根据预设的多个版图匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，包括：
27.根据所述版图参数计算生成所述三极管对应的三极管阵列分布图形；
28.根据所述三极管阵列分布图形得到对应的三极管阵列的阵列长度和阵列宽度，并根据所述紧凑性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理；
29.根据所述三极管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的三极管的质心坐标，并根据所述一致性匹配标准、所述对称性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理；
30.根据所述三极管阵列分布图形得到对应的三极管阵列各行各列中的行三极管个数和列三极管个数，并根据所述分散性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理。
31.在一些实施例中，所述根据所述紧凑性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检
测处理，包括：
32.根据所述阵列长度和所述阵列宽度得到长宽比值：
33.在所述三极管阵列分布图形的形状不为矩形的情况下，得到第一紧凑性匹配结果；
34.在所述三极管阵列分布图形的形状为矩形，且所述长宽比值处于第一预设比值范围内的情况下，得到第二紧凑性匹配结果；
35.在所述三极管阵列分布图形的形状为矩形，且所述长宽比值处于第二预设比值范围内的情况下，得到第三紧凑性匹配结果；
36.在所述三极管阵列分布图形的形状为正方形的情况下，得到第四紧凑性匹配结果；
37.其中，在得到所述第一紧凑性匹配结果的情况下，对所述版图参数进行修改；在得到所述第二紧凑性匹配结果或所述第三紧凑性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。
38.在一些实施例中，所述根据一致性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，包括：
39.计算出多个所述质心坐标和所述参考质心坐标之间的距离；
40.在所述距离大于或者等于第一距离阈值的情况下，得到第一一致性匹配结果；
41.在所述距离小于所述第一距离阈值，且大于或者等于第二距离阈值的情况下，得到第二一致性匹配结果；
42.在所述距离小于所述第二距离阈值，且大于0的情况下，得到第三一致性匹配结果；
43.在所述距离等于0的情况下，得到第四一致性匹配结果；
44.其中，在得到所述第一一致性匹配结果的情况下，对所述版图参数进行修改；在得到所述第二一致性匹配结果或所述第三一致性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。
45.在一些实施例中，根据所述对称性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，包括：
46.以所述参考质心坐标为原点建立x轴和y轴；
47.在多个所述需要匹配的三极管的质心坐标不关于所述参考质心坐标中心对称的情况下，得到第一对称性匹配结果；
48.在多个所述需要匹配的三极管的质心坐标关于所述参考质心坐标中心对称，且不关于所述x轴和所述y轴对称的情况下，得到第二对称性匹配结果；
49.在多个所述需要匹配的三极管的质心坐标关于所述参考质心坐标中心对称，且关于所述x轴或者所述y轴其中之一对称的情况下，得到第三对称性匹配结果；
50.在多个所述需要匹配的三极管的质心坐标关于所述参考质心坐标中心对称，且关于所述x轴和所述y轴对称的情况下，得到第四对称性匹配结果；
51.其中，在得到所述第一对称性匹配结果的情况下，对所述版图参数进行修改；在得到所述第二对称性匹配结果或所述第三对称性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。
52.在一些实施例中，根据所述分散性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，包括：
53.根据多个所述行三极管个数和所述列三极管个数得到各行各列的最小单元个数比值；
54.获取最小单元个数比值等于所述三极管的总倍数比值的行数比例和列数比例；
55.在所述行数比例小于预设比例，或者所述列数比例小于所述预设比例的情况下，得到第一分散性匹配结果；
56.在所述行数比例和所述列数比例大于所述预设比例，且所述行数比例和所述列数比例不等于1的情况下，得到第二分散性匹配结果；
57.在所述行数比例和所述列数比例大于所述第一预设比例，且所述行数比例或者所述列数比例等于1的情况下，得到第三分散性匹配结果；
58.在所述行数比例和所述列数比例等于1的情况下，得到第四分散性匹配结果；
59.其中，在得到所述第一分散性匹配结果的情况下，对所述版图参数进行修改；在得到所述第二分散性匹配结果或所述第三分散性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。
60.在一些实施例中，所述方法包括：
61.在得到所述电路图匹配结果或者多个版图匹配标准对应的版图匹配结果时，根据所述电路图匹配结果或者所述版图匹配结果生成匹配精度报告，并输出所述匹配精度报告。
62.第二方面，本技术实施例提供了一种控制器，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面中任意一项实施例所述的三极管的匹配精度检测方法。
63.第三方面，本技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行如第一方面中任意一项实施例所述的三极管的匹配精度检测方法。
64.本技术至少具有以下有益效果：本技术提出了一种三极管的匹配精度检测方法，通过获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的电路图参数；根据预设的电路图匹配标准对所述电路图参数进行匹配精度检测处理，得到电路图匹配结果，并根据所述电路图匹配结果修改所述电路图参数；获取根据所述待检测电路图生成的待检测版图，并获取所述待检测版图中多个所述需要匹配的三极管的版图参数；根据预设的多个版图匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据所述版图匹配结果修改所述版图参数，其中，本技术方案通过分别在电路设计阶段和版图设计阶段进行匹配结果检测，保证能在电路设计阶段和版图设计阶段均能及时的进行匹配精度检测，发现问题，有效缩短检测时间，提升检测效率，并分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性等匹配特性进行检测，有效保证检查三极管匹配结果检测的完整性和准确率，提高三极管检测的自动化程，使版图设计能有效进行。
65.相对于现有技术至少存在以下改进：
66.1)在一些实施例中，在电路图中对需要匹配的三极管进行匹配结果检测，且提出了匹配结果标准，可以在电路图设计阶段及时的发现问题；
67.2)在一些实施例中，在检测版图中需要匹配的三极管的匹配结果时加入了中断检测流程的判断(在多个所述需要匹配的三极管的所述版图参数不同的情况下，输出中断检测报告)，可以在版图设计阶段及时的发现问题；
68.3)在一些实施例中，检测版图过程中分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性等匹配特性进行检测，提高版图匹配结果检测的完整性和准确率；
69.4)在一些实施例中，检测版图过程中对三极管匹配的四个特性的检测分别给出了匹配结果标准(不匹配、低度匹配、中度匹配、高度匹配)及其默认值，且匹配结果标准(低度匹配、中度匹配)可根据实际需求(预设版图匹配要求)调整，更加灵活有效；
70.5)将所有检测结果写入一个结果报告中，方便用户查看，并对三极管参数进行修改，有效提高用户体验。
附图说明
71.图1为本技术一实施例提出的三极管的匹配结果检测系统的流程图；
72.图2为本技术另一实施例提出的三极管的电路图形式和版图形式的示意图；
73.图3为本技术另一实施例提出的版图中三极管阵列的示意图；
74.图4为本技术另一实施例提出的三极管的匹配精度检测方法中，根据预设的电路图匹配标准对电路图参数进行匹配精度检测处理的流程图；
75.图5为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测中，根据预设的多个版图匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理的流程图；
76.图6为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测中，根据紧凑性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理的流程图；
77.图7为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测中，根据一致性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理的流程图；
78.图8为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测中，根据对称性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理的流程图；
79.图9为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测中，根据分散性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理的流程图；
80.图10为本技术另一实施例提出的控制器的结构图。
81.附图标记：301、三极管阵列分布图形；302、三极管最小单元。
具体实施方式
82.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
83.在一些实施例中，虽然在系统示意图中进行了功能模块划分，在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于系统中的模块划分，或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书和权利要求书及上述附图中的术语第一、第二等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
84.此外，除非另有明确的规定和限定，术语“连接/相连”应做广义理解，例如，可以是
固定连接或活动连接，也可以是可拆卸连接或不可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。
85.在本技术实施例的描述中，参考术语“一个实施例/实施方式”、“另一实施例/实施方式”或“某些实施例/实施方式”、“在上述实施例/实施方式”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术公开的至少两个实施例或实施方式中。在本技术公开中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的示实施例或实施方式。需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。
86.在集成电路设计过程中，各种模拟电路中都有三极管匹配的需求，比如差分对、电流镜等。但是在芯片制造过程中，三极管常常存在失配的情况，三极管失配的原因可以分为随机失配和系统失配两种。随机失配是指三极管的尺寸、掺杂浓度、氧化层厚度等影响三极管特性的参量发生微观波动所引起的失配。系统失配是指由于工艺偏差、接触孔电阻、扩散区之间的相互影响、机械压力和温度梯度、工艺参数梯度等引起的三极管失配。在电路设计和版图设计过程中，需要减小随机失配和系统失配才能达到较高的匹配结果，所以需要对需要匹配的三极管的匹配结果进行检测，目前对三极管的匹配结果的检测方法是：将所有需要匹配的三极管用特定层次覆盖住，然后进行密度和虚拟陪衬相关的检查，匹配结果不同，相关的检查也不同。但传统方法并不能检测需要匹配的三极管之间的匹配结果，三极管之间的匹配结果检查不得不用人工检查的方式，这种方法比较费时，且不能保证检查完整性和准确率，且现有技术仅在版图设计阶段进行检测，一旦出现问题，可能需要重新进行电路设计，导致版图设计无法有效进行。
87.为至少解决上述问题，本技术提出了能快速检测需要匹配的三极管的匹配结果，并保证检测的完整性和准确率的三极管的匹配精度检测方法，通过获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的电路图参数；根据预设的电路图匹配标准对电路图参数进行匹配精度检测处理，得到电路图匹配结果，并根据电路图匹配结果修改电路图参数；获取根据待检测电路图生成的待检测版图，并获取待检测版图中多个需要匹配的三极管的版图参数；根据预设的多个版图匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据版图匹配结果修改版图参数，其中，本技术方案通过分别在电路设计阶段和版图设计阶段进行匹配结果检测，保证能在电路设计阶段和版图设计阶段均能及时的进行匹配精度检测，发现问题，有效缩短检测时间，提升检测效率，并分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性等匹配特性进行检测，有效保证检查三极管匹配结果检测的完整性和准确率，提高三极管检测的自动化程，使版图设计能有效进行。
88.下面结合附图，对本技术实施例作进一步描述。
89.参考图1，图1为本技术一实施例提出的三极管的匹配精度检测方法的流程图；在一些实施例中，三极管的匹配精度检测方法至少包括以下步骤：
90.步骤s110，获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的电路图参数；
91.步骤s120，根据预设的电路图匹配标准对电路图参数进行匹配精度检测处理，得到电路图匹配结果，并根据电路图匹配结果修改电路图参数；
92.步骤s130，获取根据待检测电路图生成的待检测版图，并获取待检测版图中多个需要匹配的三极管的版图参数；
93.步骤s140，根据预设的多个版图匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据版图匹配结果修改版图参数，其中，版图匹配标准包括：紧凑性匹配标准、一致性匹配标准、对称性匹配标准和分散性匹配标准。
94.在一些实施例中，本技术获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的电路图参数，和获取待检测版图中多个需要匹配的三极管的版图参数，是通过电路仿真软件进行仿真分析或通过版图编辑软件将版图导入，然后进行版图设计分析得到的，用于提取电路图或版图参数的仿真或设计软件是本领域技术人员的常规技术手段，如何获取参数不对本技术方案的实现构成限制，本技术侧重于获取那些具体的参数，并如何根据获取参数进行匹配结果检测。
95.在一些实施例中，本技术分别在电路设计阶段和版图设计阶段进行匹配结果检测，可以想到的是，在传统的版图设计流程中，三极管的匹配结果检测通常是在版图设计完成后进行的。如果检测结果不符合设计要求，就需要对电路图和版图进行修改，再重新进行电路仿真和版图设计，这会导致设计周期的延长。而本方案中，将匹配结果的检测提前到电路设计阶段，这意味着若在电路图设计阶段三极管的匹配结果不能满足设计要求，设计者可以在不影响后续步骤的前提下及时进行修改，从而可以减少设计周期的延长，提高电路设计效率。
96.在一些实施例中，步骤s110至步骤s120对应的电路图匹配是三极管检测，通过匹配预设的电路图标准和待检测电路图参数，可以得到更精确的匹配结果，减少误判和漏检的情况，提高检测准确性，同时通过根据电路图匹配结果对电路图参数进行修改，进一步提高电路图匹配的精度和鲁棒性；版图匹配是三极管检测的第二步，包括紧凑性匹配、一致性匹配、对称性匹配和分散性匹配等，通过匹配预设的版图匹配标准和待检测版图参数，可以得到更准确的匹配结果，提高检测准确性，且通过根据版图匹配结果对版图参数进行修改，进一步提高版图匹配的准确性和鲁棒性，有效提高三极管检测的准确性和效率。
97.参考图2，图2为本技术另一实施例提出的三极管的电路图形式和版图形式的示意图，其中，图2中(a)代表电路图中的三极管单元包括射极、集电极和基极，对应射极长度、射极宽度、射极面积、倍数等参数信息，(b)是与(a)对应的在版图设计中的三极管2个(m＝2)最小单元，在检测各个需要匹配的三极管是否满足匹配的基本条件的步骤中，即需要保证版图设计中的三极管最小单元完全相同。
98.参考图3，图3为本技术另一实施例提出的版图中三极管阵列的示意图，其中，在三极管版图匹配结果检测过程中，通过获取的参数信息计算三极管阵列的分布图形301，如图3所示，三极管阵列分布图形301为能完全覆盖所有三极管最小单元302的最小图形，即包括多个需要匹配的三极管最小单元302版图的匹配阵列版图，匹配阵列的阵列长度与阵列宽度即为三极管紧凑性的匹配结果检测过程中的阵列长度与阵列宽度，匹配阵列分为行列数对应三极管分散性的匹配结果检测过程中三极管阵列的行列数。
99.参考图4，图4为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测系统的另一流程图；电路图参数包括三极管类型、射极长度、射极宽度、射极面积、倍数，获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的电路图参数，至少包括以下步骤：获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的射极长度(el)、射极宽度(ew)、倍数(m)；根据射极宽度和射极长度得到射极面积(ae)，射极面积(ae)＝射极长度(el)*射极宽度(ew)。
100.根据预设的电路图匹配标准对电路图参数进行匹配精度检测处理，得到电路图匹配结果，并根据电路图匹配结果修改电路图参数，至少包括以下步骤：
101.步骤s401，获取各个需要匹配的三极管的电路图参数；
102.在多个需要匹配的三极管的三极管类型不同，或者射极长度不同，或者射极宽度不同的情况下，得到第一电路匹配结果，并根据第一电路匹配结果修改电路图参数；
103.步骤s402，判断三极管类型、射极长度或者射极宽度是否相同；
104.在多个需要匹配的三极管的三极管类型、射极长度和射极宽度相同，射极长度和射极宽度不相等的情况下，得到第二电路匹配结果，并根据第二电路匹配结果和第一预设匹配要求修改电路图参数；
105.步骤s403，判断射极长度和射极宽度是否相等；
106.在多个需要匹配的三极管的三极管类型、射极长度和射极宽度相同，射极长度和射极宽度相等，倍数和的开平方根不为整数的情况下，得到第三电路匹配结果，并根据第三电路匹配结果和第二预设匹配要求修改电路图参数；
107.步骤s404，判断倍数和的开平方根是否为整数；
108.在多个需要匹配的三极管的三极管类型、射极长度和射极宽度相同，射极长度和射极宽度相等，倍数和的开平方根为整数的情况下，根据待检测电路图生成待检测版图。
109.在一些实施例中，第一电路匹配结果即为不匹配，三极管类型不同或各三极管的射极长度不同或射极宽度不同；第二电路匹配结果即为低度匹配，三极管类型相同，各三极管的射极长度和射极宽度相同，但各三极管的射极长度与射极宽度并不相等；第三电路匹配结果即为中度匹配，三极管类型相同，各三极管的射极长度和射极宽度相同，同时各三极管的射极长度与射极宽度相等，但倍数和的开平方根不为整数；在三极管类型相同，各三极管的射极长度(l)和射极宽度(fw)相同，各三极管的射极长度和射极宽度相同，倍数和的开平方根为整数的情况下，电路图匹配结果即为高度匹配，此时无需对三极管参数进行修改。
110.在一些实施例中，对匹配结果为不匹配的电路图参数根据第一电路匹配结果进行修改，对匹配结果为低度匹配和中度匹配的电路图参数根据分别根据预设匹配要求进行修改，对匹配结果为高度匹配的电路图参数不进行修改，以保证匹配结果可调，可以使本方法能适应更多的应用场景和应用需求，匹配结果为低度匹配和中度匹配的匹配结果标准的默认值能适应大部分应用场景和应用需求，若有特殊应用场景和应用需求，在合理范围内调整低度匹配和中度匹配的匹配结果标准或电路图参数，以满足用户需求。
111.上述步骤s401至步骤s404对应本技术中检测电路图中需要匹配的三极管的匹配结果的过程，完整过程如下：
112.1)获取电路图中需要匹配的三极管的参数信息；
113.2)根据获取的各个需要匹配的三极管的参数信息检测需要匹配的三极管的匹配结果；
114.3)输出检测结果报告；
115.4)根据检测结果报告在电路图中修改三极管的参数；
116.5)重复1-4步，直至检测结果满足要求；
117.6)完成检测。
118.通过上述步骤，直至输出三极管参数符合精度要求的电路图，以保证后续版图设
计阶段，不存在发现三极管的匹配结果不满足设计要求，导致需要重做电路的前仿真，版图设计需要重新设计的隐患。
119.在一些实施例中，版图参数包括三极管最小单元的射极信息、集电极信息、基极信息和接触孔信息；射极信息包括三极管射极长度、射极宽度和射极中心点坐标；集电极信息包括集电极环上的多个顶点坐标信息；基极信息包括基极极环上的多个顶点坐标信息；接触孔信息包括射极、集电极和基极对应的多个接触孔的尺寸、个数和相对位置，其中，相对位置为接触孔在射极、集电极和基极的相对位置。
120.具体的，获取各个需要匹配的三极管最小单元的射极信息、集电极信息、基极信息、各极的接触孔信息，其中，射极信息包括：射极长度(el)、射极宽度(ew)、射极中心点坐标；集电极信息包括：集电极环上各个顶点的坐标；基极信息包括：基极环上各个顶点的坐标；各极接触孔信息：单个接触孔的尺寸、接触孔的个数、接触孔在各极的相对位置等。
121.在一些实施例中，根据预设的多个版图匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据版图匹配结果修改版图参数，包括：在多个需要匹配的三极管的版图参数相同的情况下，根据预设的多个版图匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据版图匹配结果修改版图参数；在多个需要匹配的三极管的版图参数不同的情况下，输出中断检测报告，并根据中断检测报告修改版图参数。
122.具体的，检测各个需要匹配的三极管是否满足匹配的基本条件，基本条件包括：各个需要匹配的三极管的射极长度(el)、射极宽度(ew)、集电极环上对应的各个顶点到射极中心点的距离、基极环上对应的各个顶点到射极中心点的距离、各极接触孔信息都相同，即图2中最小单元完全相同，若不满足基本条件则检测为不匹配，检测中断，并输出中断检测报告，并在版图中对三极管的参数进行修改，重复该检测，直至满足匹配的基本条件，以保证后续步骤中能匹配的四个特性分别检测可以更全面的了解版图中需要匹配的三极管的匹配结果。
123.参考图5，图5为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测系统的另一流程图，在一些实施例中，根据预设的多个版图匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理，至少包括以下步骤：
124.步骤s510，根据版图参数计算生成三极管对应的三极管阵列分布图形；
125.步骤s520，根据三极管阵列分布图形得到对应的三极管阵列的阵列长度和阵列宽度，并根据紧凑性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理；
126.步骤s530，根据三极管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的三极管的质心坐标，并根据一致性匹配标准、对称性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理；
127.步骤s540，根据三极管阵列分布图形得到对应的三极管阵列各行各列中的行三极管个数和列三极管个数，并根据分散性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理。
128.在一些实施例中，根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配结果，包括：根据版图参数计算生成三极管对应的三极管阵列分布图形；根据三极管阵列分布图形得到三极管阵列长度和三极管阵列宽度，根据三极管阵列分布图形的形状、三极管阵列长度和三极管阵列宽度得到紧凑性匹配结果；根据三极管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的三极管的质心坐标：根据多个需要匹配的三极管的质心坐标与参考质心坐标之间的距离和预设距离范围，得到一致性匹配结果；根据三极管阵列分布图形得到参
考质心坐标和多个需要匹配的三极管的质心坐标，根据参考质心坐标建立x轴和y轴，得到分散性匹配结果。
129.对应图6至图9，即为根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配结果，并根据版图匹配结果修改版图参数的具体过程如下：
130.参考图6，图6为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测中，根据紧凑性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理的流程图，根据紧凑性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理，包括以下步骤：
131.步骤s601，根据阵列长度和阵列宽度得到长宽比值：
132.步骤s602，判断三极管阵列分布图形的形状是否为矩形，若是，则跳转至步骤s603，若否，则得到不匹配结果；在三极管阵列分布图形的形状不为矩形的情况下，得到第一紧凑性匹配结果。
133.步骤s603，判断长宽比值是否小于1.2，若是，则跳转至步骤s604，若否，则得到低度匹配结果；在三极管阵列分布图形的形状为矩形，且长宽比值处于第一预设比值范围内的情况下，得到第二紧凑性匹配结果，大于或者等于1.2即为优选的预设比值范围；
134.步骤s604，判断长宽比值是否等于1，若是，则得到高度匹配结果，若否，则得到中度匹配结果；长宽比值等于1则说明三极管阵列分布图形的形状为正方形，在三极管阵列分布图形的形状为矩形，且长宽比值处于第二预设比值范围内的情况下，得到第三紧凑性匹配结果；在三极管阵列分布图形的形状为正方形的情况下，得到第四紧凑性匹配结果。
135.其中，第一紧凑性匹配结果即为不匹配结果，第二紧凑性匹配结果即为低度匹配结果，第三紧凑性匹配结果即为中度匹配结果，第四紧凑性匹配结果即为高度匹配结果；在得到第一紧凑性匹配结果的情况下，对版图参数进行修改；在得到第二紧凑性匹配结果或第三紧凑性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改版图参数。
136.具体的，通过获取的参数信息计算三极管阵列的分布图形，该图形为能完全覆盖所有三极管的最小单元的最小图形，并检测得到该图形的形状及各边的尺寸，根据检测结果判断匹配结果，匹配结果判断标准如下：不匹配：该图形不是矩形；低度匹配：该图形为矩形，且射极长度与宽度的比值大于等于1.2(可设置其他数值)；中度匹配：该图形为矩形，且射极长度与宽度的比值大于1小于1.2(可设置其他数值)；高度匹配：该图形为正方形；在得到检测结果后，并将检测结果写入匹配精度报告中，以便用户查看。
137.参考图7，图7为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测中，根据一致性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理的流程图；根据一致性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理，包括以下步骤：
138.步骤s701，计算出多个质心坐标和参考质心坐标之间的距离；
139.步骤s702，判断距离是否小于1pitch，若是，则跳转至步骤s703，若否，则得到不匹配结果；其中，1pitch：相邻三极管最小单元的射极中心坐标的间距，1pitch的设置的距离大小可调，可根据实际情况修改；在距离大于或者等于第一距离阈值的情况下，得到第一一致性匹配结果；
140.步骤s703，判断距离是否小于0.2pitch，若是，则跳转至步骤s704，若否，则得到低度匹配结果；在距离小于第一距离阈值，且大于或者等于第二距离阈值的情况下，得到第二一致性匹配结果；
141.步骤s704，判断距离是否等于0，若是，则得到高度匹配结果，若否，则得到中度匹配结果；在距离小于第二距离阈值，且大于0的情况下，得到第三一致性匹配结果；在距离等于0的情况下，得到第四一致性匹配结果；
142.其中，第一一致性匹配结果即为不匹配结果，第二一致性匹配结果即为低度匹配结果，第三一致性匹配结果即为中度匹配结果，第四一致性匹配结果即为高度匹配结果；在得到第一一致性匹配结果的情况下，对版图参数进行修改；在得到第二一致性匹配结果或第三一致性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改版图参数。
143.具体过程如下：
144.根据检测得到的三极管阵列分布图形，取该图形的中心点设为匹配阵列的参考质心。根据检测的各个需要匹配的三极管的参数信息，计算得到各个需要匹配的三极管的质心坐标，检测各个需要匹配的三极管的质心坐标与参考质心坐标的距离判断匹配结果，匹配结果判断标准如下：不匹配：各个需要匹配的三极管的质心坐标与参考质心坐标的距离大于等于1pitch；低度匹配：各个需要匹配的三极管的质心坐标与参考质心坐标的距离大于等于0.1pitch且小于1pitch；中度匹配：各个需要匹配的三极管的质心坐标与参考质心坐标的距离小于0.1pitch；高度匹配：各个需要匹配的三极管的质心坐标与参考质心坐标完全重合；得到检测结果后，并将检测结果写入匹配精度报告中。
145.参考图8，图8为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测中，根据对称性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理的流程图；根据对称性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理，包括以下步骤：
146.步骤s801，以参考质心坐标为原点建立x轴和y轴；
147.步骤s802，质心坐标是否关于参考质心坐标中心对称，若是，则跳转至步骤s803，若否，则得到不匹配结果；在多个需要匹配的三极管的质心坐标不关于参考质心坐标中心对称的情况下，得到第一对称性匹配结果；
148.步骤s803，质心坐标是否关于x轴或者y轴对称，若是，则跳转至步骤s804，若否，则得到低度匹配结果；在多个需要匹配的三极管的质心坐标关于参考质心坐标中心对称，且不关于x轴和y轴对称的情况下，得到第二对称性匹配结果；
149.步骤s804，质心坐标是否关于x轴和y轴均对称，若是，则得到高度匹配结果，若否，则得到中度匹配结果；在多个需要匹配的三极管的质心坐标关于参考质心坐标中心对称，且关于x轴或者y轴其中之一对称的情况下，得到第三对称性匹配结果；在多个需要匹配的三极管的质心坐标关于参考质心坐标中心对称，且关于x轴和y轴对称的情况下，得到第四对称性匹配结果；
150.其中，第一对称性匹配结果即为不匹配结果，第二对称性匹配结果即为低度匹配结果，第三对称性匹配结果即为中度匹配结果，第四对称性匹配结果即为高度匹配结果；在得到第一对称性匹配结果的情况下，对版图参数进行修改；在得到第二对称性匹配结果或第三对称性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改版图参数
151.具体过程如下：
152.根据检测得到的三极管阵列分布图形，取该图形的中心点设为匹配阵列的参考质心。以参考质心为原点建立坐标系，得到x轴和y轴，三极管阵列分布图形分别关于x轴和y轴对称，关于原点中心对称。检测阵列中各个需要匹配的三极管关于x轴、y轴、原点的对称性
判断匹配结果，匹配结果判断标准如下：不匹配：阵列中各个需要匹配的三极管关于原点不中心对称；低度匹配：阵列中各个需要匹配的三极管关于原点中心对称，且关于x轴和y轴均不对称；中度匹配：阵列中各个需要匹配的三极管关于原点中心对称，且只关于x轴或y轴其中之一对称；高度匹配：阵列中各个需要匹配的三极管关于原点中心对称，且关于x轴和y轴均对称；得到检测结果后，并将检测结果写入匹配精度报告中。
153.参考图9，图9为本技术另一实施例提出的三极管的匹配结果检测中，根据分散性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理的流程图；根据分散性匹配标准对版图参数进行匹配精度检测处理，包括以下步骤：
154.步骤s901，根据多个行三极管个数和列三极管个数得到各行各列的最小单元个数比值；获取最小单元个数比值等于三极管的总倍数比值的行数比例和列数比例；
155.步骤s902，行数比例和列数比例大于或者等于0.5，若是，则跳转至步骤s903，若否，则得到不匹配结果；在行数比例小于预设比例，或者列数比例小于预设比例的情况下，得到第一分散性匹配结果；
156.步骤s903，行数比例或者列数比例等于1，即判断是否所有行和一半以上列的个数比与总倍数比或所有列和一半以上行的个数比与总倍数比相同，若是，则跳转至步骤s904，若否，则得到低度匹配结果；在行数比例和列数比例大于预设比例，且行数比例和列数比例不等于1的情况下，得到第二分散性匹配结果；
157.步骤s904，行数比例和列数比例等于1，即判断是否所有行和列的个数比与总倍数相同，若是，则得到高度匹配结果，若否，则得到中度匹配结果；在行数比例和列数比例大于第一预设比例，且行数比例或者列数比例等于1的情况下，得到第三分散性匹配结果；
158.在行数比例和列数比例等于1的情况下，得到第四分散性匹配结果；
159.其中，第一分散性匹配结果即为不匹配结果，第二分散性匹配结果即为低度匹配结果，第三分散性匹配结果即为中度匹配结果，第四分散性匹配结果即为高度匹配结果；在得到第一分散性匹配结果的情况下，对版图参数进行修改；在得到第二分散性匹配结果或第三分散性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改版图参数。
160.具体过程如下：
161.匹配三极管按阵列分布，分为a行b列，根据获得的各个需要匹配的三极管的位置信息检测每行每列中各个需要匹配的三极管最小单元的个数，计算每行每列各个需要匹配的三极管最小单元的个数比值，该个数比值与总倍数比值(m)比进行对比来判断匹配结果，匹配结果判断标准如下：不匹配：预设百分比以下行或预设百分比以下列的各个需要匹配的三极管最小单元的个数比值与各个需要匹配的三极管总倍数比值(m)比相同；低度匹配：预设百分比以上行和预设百分比以上列的各个需要匹配的三极管最小单元的个数比值与各个需要匹配的三极管总倍数比值(m)比相同；中度匹配：所有行和预设百分比以上列的各个需要匹配的三极管最小单元的个数比值与各个需要匹配的三极管总倍数比值(m)比相同，或所有列和预设百分比以上行的各个需要匹配的三极管最小单元的个数比值与各个需要匹配的三极管总倍数比值(m)比相同；高度匹配：所有行和所有列的各个需要匹配的三极管最小单元的个数比值与各个需要匹配的三极管总倍数比值(m)比都相同；这里设置的预设百分比可根据实际情况修改成具体数字，预设百分比优选为50％，可以更加有效的进行三极管分散性的匹配结果检测；得到检测结果后，并将检测结果写入匹配精度报告中。
162.在一些实施例中，在完成上述三极管紧凑性、一致性、对称性、分散性的匹配结果检测后，输出包括所有检测项目的匹配结果的检测结果报告，能有效帮助版图设计者全面了解三极管的匹配情况，提高版图设计的效率。
163.在一些实施例中，根据版图匹配结果修改版图参数，包括：在得到第一紧凑性匹配结果、第一一致性匹配结果、第一对称性匹配结果或者第一分散性匹配结果的情况下，修改版图参数；在得到第二紧凑性匹配结果、第二一致性匹配结果、第二对称性匹配结果或者第二分散性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改版图参数，可以想到的是，根据检测结果修改相应的版图，然后重复以上检测，直到各个检查项的匹配结果都满足要求，对不匹配的检测项进行修改，对低度匹配和中度匹配的检测项可根据三极管的匹配要求来进行修改，对高度匹配的检测项不修改，进而完成检测。
164.上述图6至图9对应了三极管的紧凑性、一致性、对称性、分散性的匹配结果检测，本技术根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配结果，并根据版图匹配结果修改版图参数的完整过程如下：
165.1)获取版图中需要匹配的三极管的参数信息；
166.2)检测各个需要匹配的三极管是否满足匹配的基本条件；
167.3)三极管紧凑性的匹配结果检测；
168.4)三极管一致性的匹配结果检测；
169.5)三极管对称性的匹配结果检测；
170.6)三极管分散性的匹配结果检测；
171.7)输出所有检测项目的检测结果报告；
172.8)根据检测结果修改相应的版图，然后重复以上检测，直到各个检查项的匹配结果都满足要求；
173.9)完成检测。
174.在一些实施例中，方法包括，在得到电路图匹配结果或者多个版图匹配标准对应的版图匹配结果时，根据电路图匹配结果或者版图匹配结果生成匹配精度报告，并输出匹配精度报告。
175.综上，本技术至少具有以下有益效果：
176.在电路设计阶段就能判断需要匹配的三极管的匹配结果，大大缩短项目周期。若在版图设计完成后才发现需要匹配的三极管的匹配结果不满足设计要求，则需要在电路图中修改三极管尺寸，电路的前仿真要重做，版图要重新设计，相当于设计周期变成原来的两倍。若在电路设计阶段就发现三极管的匹配结果不满足设计要求，电路的前仿真可以不需要重做，版图设计也不存在由此带来的重新设计的隐患。
177.在检测版图中匹配三极管的匹配结果时加入中断检测流程的判断可大大缩短检测的时间。因为三极管没有满足匹配的基本要求，后面的检测就可以不进行，版图中检测花费的时间可大大缩短。
178.匹配的四个特性分别检测可以更全面的了解版图中需要匹配的三极管的匹配结果。根据最后的检测结果报告，就能直观的检查到导致三极管版图不匹配的地方，版图设计师可以制定最佳的版图修改方案，缩短版图设计时间。
179.匹配结果可调，可以使本方法能适应更多的应用场景和应用需求。匹配结果标准
的默认值能适应大部分应用场景和应用需求，若有特殊应用场景和应用需求，在合理范围内调整匹配结果标准也是支持的。
180.将结果写入一个结果报告中，能帮助版图设计者全面了解三极管的匹配情况，提高版图设计的效率。
181.值得注意的是，本技术根据检测结果、结果报告和中断报告修改不匹配或者低度匹配、中度匹配的三极管参数，以使三极管参数到达较高的匹配结果，本领域技术人员可以根据实际情况选择修改三极管参数的方式，该方式对本技术中三极管的匹配结果的检测方法不构成限制，本技术的主旨在于如何在集成电路设计过程中高效的进行三极管匹配结果检测，保证其完整性和准确率。
182.参考图10,图10是本技术实施例提供的控制器的结构示意图。
183.本技术的一些实施例提供了一种控制器，控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述任意一项实施例的三极管的匹配精度检测方法，例如，执行以上描述的图1中的方法步骤s110至步骤s140、图4中的方法步骤s401至步骤s404、图6中的方法步骤s601至步骤s604、图7中的方法步骤s701至步骤s704、图8中的方法步骤s801至步骤s804、图9中的方法步骤s901至步骤s904。
184.本技术实施例的控制器1000包括一个或多个处理器1010和存储器1020，图10中以一个处理器1010及一个存储器1020为例。
185.处理器1010和存储器1020可以通过总线或者其他方式连接，图10中以通过总线连接为例。
186.存储器1020作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器1020可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器1020可选包括相对于处理器1010远程设置的存储器1020，这些远程存储器可以通过网络连接至控制器1000，同时，上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
187.在一些实施例中，处理器执行计算机程序时按照预设间隔时间执行上述任意一项实施例的三极管的匹配精度检测方法。
188.本领域技术人员可以理解，图10中示出的装置结构并不构成对控制器1000的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
189.在图10所示的控制器1000中，处理器1010可以用于调用存储器1020中储存的三极管的匹配精度检测方法，从而实现三极管的匹配精度检测方法。
190.基于上述控制器1000的硬件结构，提出本技术的三极管的匹配结果检测系统的各个实施例，同时，实现上述实施例的三极管的匹配精度检测方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器中，当被处理器执行时，执行上述实施例的三极管的匹配精度检测方法。
191.此外，本技术实施例的还提供了一种三极管的匹配结果检测系统，该三极管的匹配结果检测系统包括由上述的控制器。
192.在一些实施例中，由于本技术实施例的三极管的匹配结果检测系统具有上述实施
例的控制器，并且上述实施例的控制器能够执行上述实施例的三极管的匹配精度检测方法，因此，本技术实施例的三极管的匹配结果检测系统的具体实施方式和技术效果，可以参照上述任一实施例的三极管的匹配精度检测方法的具体实施方式和技术效果。
193.本技术实施例的还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行上述的三极管的匹配精度检测方法，例如，可使得上述一个或多个处理器执行上述方法实施例中的三极管的匹配精度检测方法，执行以上描述的图1中的方法步骤s110至步骤s140、图4中的方法步骤s401至步骤s404、图6中的方法步骤s601至步骤s604、图7中的方法步骤s701至步骤s704、图8中的方法步骤s801至步骤s804、图9中的方法步骤s901至步骤s904。
194.以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络节点上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
195.本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机可读存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机可读存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机可读存储介质包括但不限于ram、rom、eeprom、闪存或其他存储器技术、cd-rom、数字多功能盘(dvd)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
196.以上是对本技术的较佳实施进行了具体说明，但本技术并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术精神的前提下还可作出种种等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本技术权利要求所限定的范围内。

技术特征：
1.一种三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述方法包括：获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的电路图参数；根据预设的电路图匹配标准对所述电路图参数进行匹配精度检测处理，得到电路图匹配结果，并根据所述电路图匹配结果修改所述电路图参数；获取根据所述待检测电路图生成的待检测版图，并获取所述待检测版图中多个所述需要匹配的三极管的版图参数；根据预设的多个版图匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据所述版图匹配结果修改所述版图参数，其中，所述版图匹配标准包括：紧凑性匹配标准、一致性匹配标准、对称性匹配标准和分散性匹配标准。2.根据权利要求1所述的三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述电路图参数包括三极管类型、射极长度、射极宽度、射极面积和倍数，所述射极面积为所述射极长度和所述射极宽度的乘积，所述根据预设的电路图匹配标准对所述电路图参数进行匹配精度检测处理，得到电路图匹配结果，并根据所述电路图匹配结果修改所述电路图参数，包括：在多个所述需要匹配的三极管的三极管类型不同，或者射极长度不同，或者射极宽度不同的情况下，得到第一电路匹配结果，并根据所述第一电路匹配结果修改所述电路图参数；在多个所述需要匹配的三极管的三极管类型、射极长度和射极宽度相同，射极长度和射极宽度不相等的情况下，得到第二电路匹配结果，并根据所述第二电路匹配结果和第一预设匹配要求修改所述电路图参数；在多个所述需要匹配的三极管的三极管类型、射极长度和射极宽度相同，射极长度和射极宽度相等，倍数和的开平方根不为整数的情况下，得到第三电路匹配结果，并根据所述第三电路匹配结果和第二预设匹配要求修改所述电路图参数；在多个所述需要匹配的三极管的三极管类型、射极长度和射极宽度相同，射极长度和射极宽度相等，倍数和的开平方根为整数的情况下，根据所述待检测电路图生成所述待检测版图。3.根据权利要求1所述的三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述版图参数包括三极管最小单元的射极信息、集电极信息、基极信息和接触孔信息；所述射极信息包括三极管射极长度、射极宽度和射极中心点坐标；所述集电极信息包括集电极环上的多个顶点坐标信息；所述基极信息包括基极极环上的多个顶点坐标信息；所述接触孔信息包括射极、集电极和基极对应的多个接触孔的尺寸、个数和相对位置，其中，所述相对位置为接触孔在射极、集电极和基极的相对位置。4.根据权利要求3所述的三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述根据预设的多个版图匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据所述版图匹配结果修改所述版图参数，包括：在多个所述需要匹配的三极管的所述版图参数相同的情况下，根据预设的多个版图匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，得到多个版图匹配结果，并根据所述版图匹配结果修改所述版图参数；在多个所述需要匹配的三极管的所述版图参数不同的情况下，输出中断检测报告，并
根据所述中断检测报告修改所述版图参数。5.根据权利要求4所述的三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述根据预设的多个版图匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，包括：根据所述版图参数计算生成所述三极管对应的三极管阵列分布图形；根据所述三极管阵列分布图形得到对应的三极管阵列的阵列长度和阵列宽度，并根据所述紧凑性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理；根据所述三极管阵列分布图形得到参考质心坐标和多个需要匹配的三极管的质心坐标，并根据所述一致性匹配标准、所述对称性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理；根据所述三极管阵列分布图形得到对应的三极管阵列各行各列中的行三极管个数和列三极管个数，并根据所述分散性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理。6.根据权利要求5所述的三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述根据所述紧凑性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，包括：根据所述阵列长度和所述阵列宽度得到长宽比值：在所述三极管阵列分布图形的形状不为矩形的情况下，得到第一紧凑性匹配结果；在所述三极管阵列分布图形的形状为矩形，且所述长宽比值处于第一预设比值范围内的情况下，得到第二紧凑性匹配结果；在所述三极管阵列分布图形的形状为矩形，且所述长宽比值处于第二预设比值范围内的情况下，得到第三紧凑性匹配结果；在所述三极管阵列分布图形的形状为正方形的情况下，得到第四紧凑性匹配结果；其中，在得到所述第一紧凑性匹配结果的情况下，对所述版图参数进行修改；在得到所述第二紧凑性匹配结果或所述第三紧凑性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。7.根据权利要求5所述的三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述根据一致性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，包括：计算出多个所述质心坐标和所述参考质心坐标之间的距离；在所述距离大于或者等于第一距离阈值的情况下，得到第一一致性匹配结果；在所述距离小于所述第一距离阈值，且大于或者等于第二距离阈值的情况下，得到第二一致性匹配结果；在所述距离小于所述第二距离阈值，且大于0的情况下，得到第三一致性匹配结果；在所述距离等于0的情况下，得到第四一致性匹配结果；其中，在得到所述第一一致性匹配结果的情况下，对所述版图参数进行修改；在得到所述第二一致性匹配结果或所述第三一致性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。8.根据权利要求5所述的三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，根据所述对称性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，包括：以所述参考质心坐标为原点建立x轴和y轴；在多个所述需要匹配的三极管的质心坐标不关于所述参考质心坐标中心对称的情况下，得到第一对称性匹配结果；
在多个所述需要匹配的三极管的质心坐标关于所述参考质心坐标中心对称，且不关于所述x轴和所述y轴对称的情况下，得到第二对称性匹配结果；在多个所述需要匹配的三极管的质心坐标关于所述参考质心坐标中心对称，且关于所述x轴或者所述y轴其中之一对称的情况下，得到第三对称性匹配结果；在多个所述需要匹配的三极管的质心坐标关于所述参考质心坐标中心对称，且关于所述x轴和所述y轴对称的情况下，得到第四对称性匹配结果；其中，在得到所述第一对称性匹配结果的情况下，对所述版图参数进行修改；在得到所述第二对称性匹配结果或所述第三对称性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。9.根据权利要求5所述的三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，根据所述分散性匹配标准对所述版图参数进行匹配精度检测处理，包括：根据多个所述行三极管个数和所述列三极管个数得到各行各列的最小单元个数比值；获取最小单元个数比值等于所述三极管的总倍数比值的行数比例和列数比例；在所述行数比例小于预设比例，或者所述列数比例小于所述预设比例的情况下，得到第一分散性匹配结果；在所述行数比例和所述列数比例大于所述预设比例，且所述行数比例和所述列数比例不等于1的情况下，得到第二分散性匹配结果；在所述行数比例和所述列数比例大于所述第一预设比例，且所述行数比例或者所述列数比例等于1的情况下，得到第三分散性匹配结果；在所述行数比例和所述列数比例等于1的情况下，得到第四分散性匹配结果；其中，在得到所述第一分散性匹配结果的情况下，对所述版图参数进行修改；在得到所述第二分散性匹配结果或所述第三分散性匹配结果的情况下，根据预设版图匹配要求修改所述版图参数。10.根据权利要求1所述的三极管的匹配精度检测方法，其特征在于，所述方法包括：在得到所述电路图匹配结果或者多个版图匹配标准对应的版图匹配结果时，根据所述电路图匹配结果或者所述版图匹配结果生成匹配精度报告，并输出所述匹配精度报告。

技术总结
本申请公开了一种三极管的匹配精度检测方法、控制器及存储介质，方法包括通过获取待检测电路图中多个需要匹配的三极管的电路图参数，并根据预设的电路图匹配标准得到电路图匹配结果，并根据电路图匹配结果修改电路图参数；获取根据待检测电路图生成的待检测版图，并获取待检测版图中多个需要匹配的三极管的版图参数；根据预设的多个版图匹配标准和版图参数得到版图匹配结果，并根据版图匹配结果修改版图参数，保证能在电路设计阶段和版图设计阶段均能及时的进行匹配精度检测，发现问题，提升检测效率，并分别按照紧凑性、一致性、对称性、分散性等匹配特性进行版图检测，有效保证检查三极管匹配结果检测的完整性和准确率。检查三极管匹配结果检测的完整性和准确率。检查三极管匹配结果检测的完整性和准确率。


技术研发人员：熊剑锋 刘弋波 赖鼐 龚晖
受保护的技术使用者：珠海妙存科技有限公司
技术研发日：2023.05.09
技术公布日：2023/9/12