有机发光晶体管及其制造方法、发光基板及显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光晶体管及其制造方法、发光基板及显示装置。


背景技术：

2.有机发光晶体管(organic light-emitting transistor，简称olet)是集成了有机场效应晶体管(organic field-effect transistor，简称ofet)的开关功能与有机电致发光器件(organic light emitting diode，简称oled)的电致发光功能的器件。olet器件结构简单、制备工艺成熟、器件轻薄、易于微型化，成为了未来显示技术的发展趋势之一。
3.随着虚拟/增强现实(vr/ar)和3d全息显示等沉浸式视觉技术的出现，其通常需要具有复杂功能的光源。目前，有机发光晶体管主要通过设置自由空间体等光学元件来实现沉浸式视觉技术的要求。然而，该种自由空间体等光学元件存在空间体积较大等使用不便性等。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术的目的在于提出一种有机发光晶体管及其制造方法、发光基板及显示装置。
5.基于上述目的，本技术提供了有机发光晶体管，包括：
6.衬底基板；
7.栅极，设置在所述衬底基板上；
8.栅极绝缘层，设置在所述栅极远离所述衬底基板的一侧；
9.发光功能层，设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
10.源极和漏极，设置在所述所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧；
11.其中，所述发光功能层的一侧设置有亚波长线栅结构。
12.在其中一些实施例中，所述亚波长线栅结构包括第一亚波长线栅结构，包括设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板一侧的多个第一凸起；所述发光功能层靠近衬底基板的一侧具有与所述多个第一凸起相适配的多个第一凹槽。
13.在其中一些实施例中，所述第一亚波长线栅结构的周期为400nm-480nm，所述第一凸起在宽度方向的尺寸为95nm-105nm，所述第一凸起在垂直衬底基板方向的尺寸为145nm～155nm。
14.在其中一些实施例中，所述亚波长线栅结构设置在所述发光层远离所述衬底基板的一侧；所述线栅结构在所述衬底基板的正投影与所述源极在所述衬底基板的正投影和所述漏极在所述衬底基板的正投影均不交叠；
15.所述亚波长线栅结构至少包括第二亚波长线栅结构，所述第二亚波长线栅结构包括在发光层靠近衬底基板方向层叠设置的基底层和设置在所述基底层上的多个第二凸起。
16.在其中一些实施例中，所述亚波长线栅结构还包括设置在所述第二亚波长线栅结
构靠近所述发光功能层一侧的第三亚波长线栅结构，所述第三亚波长线栅结构包括多个第三凸起。
17.在其中一些实施例中，所述第二亚波长线栅结构的周期为120nm-180nm；所述第二凸起在宽度方向的尺寸为50nm-680nm；所述第二凸起在垂直衬底基板方向的尺寸为50nm-100nm；或
18.所述第三亚波长线栅结构的周期为120nm-180nm；所述第三凸起在宽度方向的尺寸为50nm-680nm；所述第二凸起与所述第三凸起在垂直衬底基板方向的尺寸的和为50nm-100nm。
19.在其中一些实施例中，还包括第四亚波长线栅结构和反射层；所述第四亚波长线栅结构设置在所述栅极层靠近所述衬底基板的一侧，所述第四亚波长线栅结构包括多个第四凸起；所述反射层设置在所述第四亚波长线栅结构靠近所述衬底基板的一侧。
20.在其中一些实施例中，所述第四亚波长线栅结构的周期为20nm-600nm,所述第四凸起在宽度方向的尺寸为50nm-500nm；所述第第四凸起在垂直衬底基板方向的尺寸为50nm-120nm。
21.在其中一些实施例中，所述第四亚波长线栅结构在衬底基板上的正投影的形状为条形、矩形或椭圆形；
22.所述发光功能层的材质为钙钛矿。
23.本技术实施例还提供一种发光基板，包括阵列排布的多个如前任一项所述的有机发光晶体管。
24.本技术实施例还提供一种显示装置，包括如前所述的发光基板。
25.本技术实施例还提供一种有机发光晶体管的制备方法，包括：
26.提供衬底基板；
27.在所述衬底基板上形成栅极；
28.在所述栅极远离所述衬底基板的一侧形成栅极绝缘层；
29.在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成发光功能层；
30.在所述所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成源极和漏极；
31.其中，还包括在所述发光功能层的一侧形成亚波长线栅结构。
32.从上面所述可以看出，本技术提供的有机发光晶体管及其制造方法、发光基板及显示装置，通过在发光层的一侧设置亚波长线栅结构，可以实现偏振转换。光波在亚波长线栅结构中发生共振，能够提供操纵入射光波的能力，例如对入射光的相位，振幅和偏振态等进行任意控制，且能够导致电致发光光谱强度增加。相较于偏光片等光学结构，亚波长线栅结构能够简化光学系统的复杂程度，减小有机发光晶体管的尺寸和体积等。
附图说明
33.为了更清楚地说明本技术或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
34.图1示出了本公开实施例所提供的示例性的一种有机发光晶体管的示意图；
35.图2为本技术实施例的一种具有亚波长线栅结构的有机发光晶体管的示意图；
36.图3为亚波长线栅结构的局部放大图；
37.图4为本技术实施例的另一种具有亚波长线栅结构的有机发光晶体管的示意图示意图；
38.图5a为本技术实施例的第四亚波长线栅结构的一种形状示意图；
39.图5b为图5a的平面示意图；
40.图6a为本技术实施例的第四亚波长线栅结构的另一种形状示意图；
41.图6b为图6a的平面示意图；
42.图7a为本技术实施例的第四亚波长线栅结构的另一种形状示意图；
43.图7b为图7a的平面示意图；
44.图8a示出了本技术实施例的示例性的有机发光晶体管的制备方法的流程示意图；
45.图8b示出了本技术实施例的示例性的有机发光晶体管的又一制备方法的流程示意图；
46.图9a示出了本技术实施例的一种单线栅结构半成品的结构示意图；
47.图9b示出了根据本公开实施例的另一种单线栅结构半成品的结构示意图；
48.图9c示出了根据本公开实施例的另一种单线栅结构半成品的结构示意图；
49.图9d示出了根据本公开实施例的另一种单线栅结构半成品的结构示意图；
50.图9e示出了根据本公开实施例的另一种单线栅结构半成品的结构示意图；
51.图9f示出了根据本公开实施例的另一种单线栅结构半成品的结构示意图；
52.图10a示出了根据本公开实施例的一种双线栅结构半成品的结构示意图；
53.图10b示出了根据本公开实施例的另一种双线栅结构半成品的结构示意图；
54.图10c示出了根据本公开实施例的另一种双线栅结构半成品的结构示意图。
具体实施方式
55.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本技术进一步详细说明。
56.需要说明的是，除非另外定义，本技术实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
57.随着虚拟/增强现实(vr/ar)和3d全息显示等沉浸式视觉技术的出现，其通常需要具有复杂功能的光源，以实现偏振、方向性、波前、光谱和光强等的动态控制。在有机发光晶体管中设置自由空间体(例如偏振片)等光学元件来实现该种功能时，会导致存在空间体积较大等使用不便性等。
58.基于此，本技术实施例提供了一种有机晶体管，通过形成超表面线栅结构，能够产
生在olet的电致发光光谱上调谐的共振响应，可以与发光功能层中包括的偶极子相互作用，以将入射至线栅结构的光线转换成近似线偏振光或者圆偏振光，和能够在一定程度上解决的问题。
59.图1示出了本公开实施例所提供的示例性有机发光晶体管的示意图。
60.如图1所示，本技术实施例提供的有机发光晶体管，可以包括：
61.衬底基板10；
62.栅极20，设置在所述衬底基板上；
63.栅极绝缘层30，设置在所述栅极远离所述衬底基板的一侧；
64.发光功能层40，设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
65.源极51和漏极52，设置在所述所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧；
66.其中，所述发光功能层40的一侧设置有亚波长线栅结构。
67.该有机发光晶体管的工作原理是：栅极20的电压在控制晶体管部分的源漏电流的同时，也控制了发光区域的面积与发光强度。这种横向排布源极51和漏极52的晶体管结构，通过在发光层的一侧设置亚波长线栅结构，可以实现偏振转换。具体的，其产生的衍射波只有零级，表现出偏振特性。其可以与发光功能层40中包括的偶极子相互作用，以将入射至发光功能层40的光线转换成近似线偏振光或者圆偏振光。光波在亚波长线栅结构中发生共振，能够提供操纵入射光波的能力，例如对入射光的相位，振幅和偏振态等进行任意控制，且能够导致电致发光光谱强度增加。相较于偏光片等光学结构，亚波长线栅结构能够简化光学系统的复杂程度，减小有机发光晶体管的尺寸和体积等。
68.其中，衬底基板10可以为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚醚砜(pes)或聚碳酸酯(pc)等合成树脂或硅片。
69.栅极20可以设置在基板之上。栅极20可以为铝(al),银(ag),钼(mo)等金属或金属合金材料,采用真空蒸度的方式沉积，厚度为10～100nm内。
70.栅极绝缘层30可以为聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，pmma)，氧化硅(siox),氮氧化硅(sion),碳化硅(sic),氧化铝(al2o3)等材料，可以采用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)的方式制备完成，栅极绝缘层30的膜厚可以为50～200nm。
71.在一些实施例中，发光功能层40可以仅包括发光层(emission layer，el)。发光层可以为钙钛矿材料，例如甲基胺碘化铅(mapbi3)。该种材料的发光层具有高发光效率，宽范围带隙可调性和优异的颜色纯度，长载流子寿命和扩散长度，以及对缺陷的高耐受性等优点。发光功能层40的膜厚可以为30～100nm。在另一些实施例中，如所示，发光功能层40除包括发光层(el，emission layer)外，还可以包括电子注入层(eil，electron injection layer)、电子传输层(etl，electron transport layer)、空穴阻挡层(hbl，hole barrier layer)、电子阻挡层(ebl，electron barrier layer)、空穴传输层(htl，hole transport layer)以及空穴注入层(hil，hole injection layer)中的一层或多层。例如，该发光功能层40可以依次设置的电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层以及空穴注入层等。
72.源极51与漏极52的材料可以相同也可以不相同。在其中一些实施例中，源极51与漏极52可以使用同一种材料如lif/al复合材料或金(au)等，膜厚可以为30～90nm。源极51
与漏极52的材料也可以不同，例如源极51为石墨烯，而漏极52为al、源极51为moo3/au和漏极52为lif/al。源极51与漏极52可以使用磁控溅射或真空蒸镀的方式制备而成。
73.在一些实施例中，如图2所示，所述亚波长线栅结构可以包括第一亚波长线栅结构。可以理解为，在栅极绝缘层30靠近发光功能层40的一侧具有第一亚波长线栅结构。第一亚波长线栅结构可以包括设置在所述栅极绝缘层30远离所述衬底基板10一侧的多个第一凸起31。栅极绝缘层30可以复用为第一亚波长线栅结构的基层。
74.在一些实施例中，第一凸起31在衬底基板10的形状可以为条形，所述多个第一凸起31可以沿第一方向排布且沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉。第一方向可以为图2中的左右方向，可以为第一凸起31的宽度方向。第二方向可以与第一方向相垂直，可以为第一凸起31的长度方向。对应地，发光功能层40靠近衬底基板10的一侧具有与所述多个第一凸起31相适配的多个第一凹槽。这样，可以在发光层与栅极绝缘层30的界面形成发光通道，并允许在源极51和漏极52之间进行高效的栅场调制和载流子传输，随着输运特性的改善，并呈现出均匀稳定的通道宽电致发光。
75.如图3所示，所述第一亚波长线栅结构的周期p可以为400nm-480nm，步长可以为10nm。所述第一凸起31在宽度方向(也即第一方向)的尺寸w可以为95nm-105nm，例如可以为接近100nm。第一凸起31在长度方向(也即延伸方向)的尺寸可以与栅极绝缘层30的相应尺寸相同。所述第一凸起31在深度方向(也即垂直衬底基板10方向)的尺寸可以为145nm～155nm，例如可以为接近150nm。
76.在一些实施例中，第一凸起31在衬底基板10的正投影的形状还可以为矩形或椭圆形等。此时，第一凸起31可以在栅极绝缘层30上阵列排布。应当理解的是，当第一凸起31在衬底基板10的正投影的形状为椭圆形时，宽度方向的尺寸对应椭圆形的短轴。
77.应当理解的是，第一凸起31的设置数量根据具体的第一凸起31的尺寸和栅极绝缘层30的尺寸确定即可。示例性地，第一凸起31的数量可以为9个。
78.在另一些实施例中，如图4所示，所述亚波长线栅结构设置在所述发光层远离所述衬底基板10的一侧。所述亚波长线栅结构在所述衬底基板10的正投影与所述源极51在所述衬底基板10的正投影和所述漏极52在所述衬底基板10的正投影均不交叠。这样，通过在出光侧设置亚波长线栅结构，能够使得入射至发光功能层40发出的光线转换为偏振光，并且几乎能够将转换后的偏振光全部出射。
79.继续参考图4，所述亚波长线栅结构可以为单线栅结构，也可以为双线栅结构。也即，所述线栅结构至少包括第二亚波长线栅结构。在一些实施例中，所述亚波长线栅结构可以为单线栅结构，可以仅包括第二亚波长线栅结构，所述第二亚波长线栅结构可以包括沿发光层靠近衬底基板10方向层叠设置的基底层61和设置在所述基底层61上的多个第二凸起62。
80.在一些实施例中，第二凸起62在衬底基板10的形状可以为条形，多个所述第二凸起62可以沿第三方向排布且沿第四方向延伸，所述第三方向与所述第四方向交叉。第三方向可以与第一方向相同，例如均为图4中的左右方向，可以为第二凸起62的宽度方向。第四方向可以与第三方向相垂直，可以为第二凸起62的长度方向。其中，基底层61的材质可以为玻璃等。第二凸起62的材质可以为金属铝等。
81.在一些实施例中，所述第二亚波长线栅结构的周期可以为120nm-180nm；所述第二
500nm；所述第四凸起22在垂直衬底基板10方向的尺寸为50nm-120nm。
92.在一些实施例中，如图6a～图6b和图7a～图7b所示，第四凸起22在衬底基板10的正投影的形状还可以为矩形或椭圆形等。此时，第四凸起22可以在栅极绝缘层30上阵列排布。应当理解的是，当第四凸起22在衬底基板10的正投影的形状为椭圆形时，宽度方向的尺寸对应椭圆形的短轴a。长度方向的尺寸b小于基底在长度方向的尺寸。
93.在一些实施例中，还可以包括设置在源极51和漏极52远离所述衬底基板10的一侧的封装层70。或者设置在基底层61远离所述衬底基板10的一侧的封装层70。
94.基于同一发明构思，本技术实施例还公开了一种有机发光晶体管的制备方法，包括：提供衬底基板10；在所述衬底基板10上形成栅极20；在所述栅极20远离所述衬底基板10的一侧形成栅极绝缘层30；在所述栅极绝缘层30远离所述衬底基板10的一侧形成发光功能层40；在所述所述发光功能层40远离所述衬底基板10的一侧形成源极51和漏极52；其中，还包括在所述发光功能层40的一侧形成亚波长线栅结构。通过在这种横向排布源极51和漏极52的晶体管结构中在发光层的一侧设置亚波长线栅结构，可以实现偏振转换。能够简化光学系统的复杂程度，且可以导致电致发光光谱强度增加，减小有机发光晶体管的尺寸和体积等。
95.图8a～图8b示出了本技术实施例的示例性的有机发光晶体管的制备方法。如图8a，该制备方法可以进一步包括下述步骤：
96.s1010a,提供衬底基板(substrate)。衬底基板10可以为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚醚砜(pes)或聚碳酸酯(pc)等合成树脂或硅片。
97.s1020a,在衬底基板10上形成栅极20(gate)。栅极20可以为铝(al),银(ag),钼(mo)等金属或金属合金材料,可以采用真空蒸度的方式沉积，厚度为10～100nm内。
98.s1030a,在衬底基板10上形成栅极绝缘层(gi)。通常该步骤可以包括形成栅极绝缘层30，在栅极绝缘层30远离所述衬底基板10一侧形成多个第一凸起31。此时，即形成了第一亚波长线栅结构。
99.在一些实施例中，栅极绝缘层30可以为聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，pmma)，氧化硅(siox),氮氧化硅(sion),碳化硅(sic),氧化铝(al2o3)等材料。可以采用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)的方式制备完成，栅极绝缘层30的膜厚可以为50～200nm。
100.在一些实施例中，可以通过纳米压印的方法在栅极绝缘层30远离衬底基板10的一侧形成多个第一凸起31。所述第一亚波长线栅结构的周期为400nm-480nm。所述第一凸起31在宽度方向的尺寸可以为95nm-105nm，所述第一凸起31在垂直衬底基板10方向的尺寸为145nm～155nm。
101.s1040a，形成发光功能层40。可以采用真空蒸镀的方式在栅极绝缘层30上沉积所述发光功能层40，所述发光功能层40靠近衬底基板10的一侧具有与所述多个第一凸起31相适配的多个第一凹槽。发光功能层40可以仅包括发光层(emission layer，el)。发光层可以为钙钛矿材料，例如甲基胺碘化铅(mapbi3)。发光功能层40的膜厚可以为30nm～100nm。该发光功能层40还可以包括依次设置的电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层以及空穴注入层等。
102.s1050a，形成源极51和漏极52。可以采用磁控溅射或真空蒸镀的方式在发光功能
层40上形成所述源极51和漏极52。源极51(source)与漏极52(drain)的材料可以相同也可以不相同。在其中一些实施例中，源极51与漏极52可以使用同一种材料如lif/al复合材料或金(au)等，膜厚可以为30～90nm。源极51与漏极52的材料也可以不同，例如源极51为石墨烯，而漏极52为al、源极51为moo3/au和漏极52为lif/al。
103.s1060a，形成封装层70。封装层70可以起到一定的保护作用。
104.至此，即得到了如图2所示的有机发光晶体管。
105.如图8b，该制备方法还可以包括下述步骤：
106.s1010b,提供衬底基板10。衬底(substrate)基板可以为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚醚砜(pes)或聚碳酸酯(pc)等合成树脂或硅片。
107.s1020b,在衬底基板10上形成栅极20(gate)。该步骤通常可以包括在衬底基板10上依次形成反射层21、第四亚波长线栅结构和栅极20。反射层21的材质可以为金属银等反射率较高的金属材质。第四亚波长线栅结构可以通过纳米压印等工艺制备。反射层21、第四亚波长线栅结构和栅极20的厚度可以为10～100nm内。
108.通常可以采用真空蒸镀的方式在衬底基板10上形成发射层。然后采用纳米压印的方法形成第四亚波长线栅结构。所述第四亚波长线栅结构设置在所述栅极20层靠近所述衬底基板10的一侧，所述第四亚波长线栅结构包括多个第四凸起22。所述第四亚波长线栅结构的周期为20nm-600nm,所述第四凸起22在宽度方向的尺寸为50nm-500nm；所述第第四凸起22在垂直衬底基板10方向的尺寸为50nm-120nm。所述第四亚波长线栅结构在衬底基板10上的正投影的形状可以为条形、矩形或椭圆形等。接着在第四亚波长线栅结构上形成采用真空蒸度的方式沉积形成栅极20。
109.s1030b,在衬底基板10上形成栅极绝缘层30(gi)。通常该步骤中栅极绝缘层30的制备工艺，材质和厚度等的与前述步骤s1030a中相同，此处不再赘述。
110.s1040b，形成发光功能层40。通常该步骤中发光功能层40的制备工艺，材质和厚度等的与前述步骤s1040a中相同，此处不再赘述。
111.s1050b，形成源极51和漏极52。通常该步骤中源极51和漏极52的制备工艺，材质和厚度等的与前述步骤s1050a中相同，此处不再赘述。
112.s1060b，在所述发光层远离所述衬底基板10的一侧形成亚波长线栅结构。所述线栅结构在所述衬底基板10的正投影与所述源极51在所述衬底基板10的正投影和所述漏极52在所述衬底基板10的正投影均不交叠。通常可以预先制作亚波长线栅结构，再将该亚波长线栅结构设置在源极51和漏极52之间。
113.在一些实施例中，如图9a～图9f所示，亚波长线栅结构包括第二亚波长线栅结构。可以通过纳米压印的方法预先制备第二亚波长线栅结构。通常第二亚波长线栅结构的制备可以包括以下步骤：
114.提供基底层61；
115.如图9a,在基底层61上形成第二凸起预制层。
116.如图9b,在第二凸起62预制层上沉积氧化硅层66。
117.如图9c,在氧化硅层66上涂覆胶层67。胶层67可以为光刻胶。
118.如图9d,压印胶层67，图案化胶层67。
119.如图9e,干刻处理，去除图案化胶层67，并将氧化硅层66和第二凸起62预制层图案
化为多个凸起。
120.如图9f,剥离处理，得到设置在所述基底层61上的多个第二凸起62。这样，即得到了第二亚波长线栅结构。所述第二亚波长线栅结构的周期为120nm-180nm；所述第二凸起62在宽度方向的尺寸为50nm-680nm；所述第二凸起62在垂直衬底基板10方向的尺寸为50nm-100nm。
121.在一些实施例中，如图10c所示，亚波长线栅结构包括第二亚波长线栅结构和设置在所述第二亚波长线栅结构靠近所述发光功能层40一侧的第三亚波长线栅结构，所述第三亚波长线栅结构可以包括多个第三凸起63。通常第二亚波长线栅结构和第三三亚波长线栅结构的制备可以包括以下步骤：
122.如图10a所示，提供基底层61；在基底层61上旋涂树脂(resin)。
123.如图10b所示，通过纳米压印的方法在树脂上形成多个第二凸起62。
124.如图10c所示，沉积第三亚波长线栅结构，形成多个第三凸起63。所述第三亚波长线栅结构的周期为120nm-180nm；所述第三凸起63在宽度方向的尺寸为50nm-680nm；所述第二凸起62与所述第三凸起63在垂直衬底基板10方向的尺寸的和为50nm-100nm。
125.如图10c所示，还可以在第三凸起63的表面旋涂填充树脂64。
126.s1070，形成封装层70。封装层70可以起到一定的保护作用。
127.基于同一发明构思，本技术实施例还提供一种发光基板，阵列排布的多个前述有机发光晶体管的任一实施例或实施例的排列、组合，并可以具有相应实施例的技术效果，在此不再赘述。
128.在一些实施例中，该发光基板可以是显示基板，并可以显示彩色图像。
129.本公开实施例还提高了一种显示装置，该显示装置可以包括前述的发光基板实施例，并可以具有相应的技术效果，在此不再赘述。
130.可以理解的是，该显示装置为具有图像显示功能的产品，例如可以是：显示器、电视、广告牌、数码相框、具有显示功能的激光打印机、电话、手机、个人数字助理(personaldigitalassistant，pda)、数码相机、便携式摄录机、取景器、导航仪、车辆、大面积墙壁、家电、信息查询设备(如电子政务、银行、医院、电力等部门的业务查询设备、监视器等)。
131.所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
132.另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本公开实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(ic)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本公开实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本公开实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本公开的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本公开实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
133.尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

技术特征：
1.一种有机发光晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；栅极，设置在所述衬底基板上；栅极绝缘层，设置在所述栅极远离所述衬底基板的一侧；发光功能层，设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；源极和漏极，设置在所述所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧；其中，所述发光功能层的一侧设置有亚波长线栅结构。2.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述亚波长线栅结构包括第一亚波长线栅结构，包括设置在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板一侧的多个第一凸起；所述发光功能层靠近所述衬底基板的一侧具有与所述多个第一凸起相适配的多个第一凹槽。3.根据权利要求2所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一亚波长线栅结构的周期为400nm-480nm，所述第一凸起在宽度方向的尺寸为95nm-105nm，所述第一凸起在垂直衬底基板方向的尺寸为145nm-155nm。4.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述亚波长线栅结构设置在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧；所述亚波长线栅结构在所述衬底基板的正投影与所述源极在所述衬底基板的正投影和所述漏极在所述衬底基板的正投影均不交叠；所述亚波长线栅结构至少包括第二亚波长线栅结构，所述第二亚波长线栅结构包括在发光功能层靠近衬底基板方向层叠设置的基底层和设置在所述基底层上的多个第二凸起。5.根据权利要求4所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述亚波长线栅结构还包括设置在所述第二亚波长线栅结构靠近所述发光功能层一侧的第三亚波长线栅结构，所述第三亚波长线栅结构包括多个第三凸起。6.根据权利要求5所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第二亚波长线栅结构的周期为120nm-180nm；所述第二凸起在宽度方向的尺寸为50nm-680nm；所述第二凸起在垂直衬底基板方向的尺寸为50nm-100nm；或所述第三亚波长线栅结构的周期为120nm-180nm；所述第三凸起在宽度方向的尺寸为50nm-680nm；所述第二凸起与所述第三凸起在垂直衬底基板方向的尺寸的和为50nm-100nm。7.根据权利要求4所述的有机发光晶体管，其特征在于，还包括第四亚波长线栅结构和反射层；所述第四亚波长线栅结构设置在所述栅极层靠近所述衬底基板的一侧，所述第四亚波长线栅结构包括多个第四凸起；所述反射层设置在所述第四亚波长线栅结构靠近所述衬底基板的一侧。8.根据权利要求7所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第四亚波长线栅结构的周期为20nm-600nm,所述第四凸起在宽度方向的尺寸为50nm-500nm；所述第四凸起在垂直衬底基板方向的尺寸为50nm-120nm。9.根据权利要求7所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第四亚波长线栅结构在衬底基板上的正投影的形状为条形、矩形或椭圆形；所述发光功能层的材质为钙钛矿。10.一种发光基板，包括阵列排布的多个如权利要求1-9任一项所述的有机发光晶体管。
11.一种显示装置，包括如权利要求10所述的发光基板。12.一种有机发光晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成栅极；在所述栅极远离所述衬底基板的一侧形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成发光功能层；在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成源极和漏极；其中，还包括在所述发光功能层的一侧形成亚波长线栅结构。

技术总结
本申请提供一种有机发光晶体管及其制造方法、发光基板及显示装置。有机发光晶体管，包括：衬底基板；栅极，设置在衬底基板上；栅极绝缘层，设置在栅极远离衬底基板的一侧；发光功能层，设置在栅极绝缘层远离衬底基板的一侧；源极和漏极，设置在发光功能层远离衬底基板的一侧；其中，发光功能层的一侧设置有亚波长线栅结构。通过在发光层的一侧设置亚波长线栅结构，可以实现偏振转换。光波在亚波长线栅结构中发生共振，能够提供操纵入射光波的能力，例如对入射光的相位，振幅和偏振态等进行任意控制，且能够导致电致发光光谱强度增加。相较于偏光片等光学结构，亚波长线栅结构能够简化光学系统的复杂程度，减小有机发光晶体管的尺寸和体积等。和体积等。和体积等。


技术研发人员：孙孟娜 王鹏 黄清雨 张娟 康亮亮 焦志强
受保护的技术使用者：北京京东方技术开发有限公司
技术研发日：2023.06.26
技术公布日：2023/9/6