高热稳定性SPC地板的制作方法

高热稳定性spc地板
技术领域
1.本实用新型涉及一种地板，具体涉及一种spc地板。


背景技术：

2.随着人们生活水平的提高，对于室内装潢的要求也随之提高，美观和实用缺一不可，石塑地板装修效果好，但是在使用过程中，耐磨耐热性能不理想；拼接效果不好，拼接处易晃动，整体稳定性差。


技术实现要素：

3.发明目的：本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种耐磨，耐热，拼接稳定性高的高热稳定性spc地板。
4.技术方案：为了解决上述技术问题，本实用新型所述的高热稳定性spc地板，它包括石塑基材，在所述石塑基材上部设有彩膜装饰层、耐磨层、上底漆层ⅰ、上底漆层ⅱ和上面漆层，在所述石塑基材下部设有下底漆层ⅰ、下底漆层ⅱ和下面漆层，所述上面漆层、上底漆层ⅱ、上底漆层ⅰ、耐磨层、彩膜装饰层、石塑基材、下底漆层ⅰ、下底漆层ⅱ和下面漆层组成地板本体，所述地板本体之间通过插榫机构连接，所述插榫机构包括插口，插口开设在地板本体一侧的中部，插口中部的两侧均开设有卡接口，卡接口的内部设置有连接块，连接块的一端设置有卡块，卡块的一端设置有倾斜面ⅰ，插块设置在地板本体另一侧的中部，插块中部的两侧均开设有卡槽，卡槽的一端设置有倾斜面ⅱ。
5.进一步地，所述上底漆层ⅱ、上底漆层ⅰ、下底漆层ⅰ、下底漆层ⅱ都是防烫uv底漆层。
6.进一步地，所述上面漆层和下面漆层都是防烫uv面漆层。
7.进一步地，所述上底漆层ⅱ、上底漆层ⅰ、下底漆层ⅰ、下底漆层ⅱ的涂布量均为8.0-40.0g/m2。
8.进一步地，所述上面漆层和下面漆层的涂布量均为10.0-40.0g/m2。
9.进一步地，所述卡块设置的位置与卡槽相对应。
10.进一步地，所述插块的长度、宽度和高度与插口的长度、宽度和高度均相同。
11.所述防烫uv底漆层、防烫uv面漆层的牌号分别为2b3、2km，均由米乐感光新材料有限公司生产，面漆以高交联密度的耐高温丙烯酸有机硅改性树脂为主体材料，该类漆膜在高温环境下收缩率小，不易发生起皱与破裂，同时丙烯酸有机硅改性树脂能让面漆膜具有良好的荷叶效应达到抗污效果、长效耐污性能；底漆以两官能聚丙烯酸酯为主体材料，固化后收缩率小，填充性、附着力好等性能。其还可替换为任何一种公知的在高温环境下收缩率小，不易发生起皱与破裂的uv底漆，和公知的固化后收缩率小、填充性、附着力好的uv面漆。
12.耐磨层按照重量份数计算，包括以下成分：
13.聚氯乙烯树脂粉80-100份、纳米空心玻璃微珠15-22份、第二增塑剂18-24份、改性二硒化铌纳米粉6-12份、阻燃剂3-8份和抗氧化剂0.2-1份；
14.其中改性二硒化铌纳米粉的制备方法为：
15.s1.称取聚赖氨酸加入至三氟乙醇中，充分溶解后，得到聚赖氨酸溶液；称取甲萘醌混合至无水乙醇中，充分溶解后，得到甲萘醌溶液；其中，聚赖氨酸与三氟乙醇的质量比为1:5-10，甲萘醌与无水乙醇的质量比为1:4-8；
16.s2.向甲萘醌溶液中加入冰醋酸，混合均匀后，升温至40-50℃，缓慢加入聚赖氨酸溶液，并维持反应体系温度在40-50℃，聚赖氨酸溶液加入完毕后，升温至70-80℃，冷凝回流反应3-5h，得到混合反应液；其中，冰醋酸的加入量为甲萘醌溶液质量的0.5%-1%，聚赖氨酸溶液与甲萘醌溶液的质量比为1-1.2:1；
17.s3.向混合反应液降温至40-50℃，并加入二硒化铌纳米粉，搅拌反应6-8h后，过滤并收取固体粉末，将收取的固体粉末经过洗涤和干燥后，得到改性二硒化铌纳米粉；其中，二硒化铌纳米粉与混合反应液的质量比为1:8-12。
18.有益效果：本实用新型与现有技术相比，其显著优点是：本实用新型整体结构设置合理，耐磨层使用聚氯乙烯作为基料，加入了纳米空心玻璃微珠作为填充耐磨剂，改性二硒化铌纳米粉作为增强改性剂，以及外加阻燃剂、增塑剂和抗氧化剂的辅助，耐水性好和耐摩擦性能好，在耐磨层上表面依次设置两层上底漆层和一层上面漆层，使地板表面具有优异的防烟烫性能，并同时在地板的下表面设置两层下底漆层和一层下面漆层，这样可平衡地板加热后的翘曲性能，防止地板受热后发生收缩，拼接时，将一块地板本体上的插块对应着插口，将插块插接在插口内，在插接的过程中，插块到达卡块上的倾斜面ⅰ位置处时，插块推动卡块和连接块向连接块的内部移动，插块继续向插口的内部移动，当卡槽到达卡块位置处时，卡块卡接在卡槽的内部，从而完成两个地板本体的拼接，拼接效果好，不易晃动。
附图说明
19.图1是本实用新型的连接结构示意图；
20.图2是本实用新型中地板本体的结构示意图；
21.图3是图1中a处的局部放大图。
实施方式
22.下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。
23.如图1、图2和图3所示，本实用新型所述的高热稳定性spc地板，它包括石塑基材1，在所述石塑基材1上部设有彩膜装饰层2、耐磨层3、上底漆层ⅰ4、上底漆层ⅱ5和上面漆层6，在所述石塑基材下1部设有下底漆层ⅰ7、下底漆层ⅱ8和下面漆层9，所述上底漆层ⅱ5、上底漆层ⅰ4、下底漆层ⅰ7、下底漆层ⅱ8都是防烫uv底漆层，它们的涂布量均为8.0-40.0g/m2，所述上面漆层6和下面漆层9都是防烫uv面漆层，它们的涂布量均为10.0-40.0g/m2，所述上面漆层6、上底漆层ⅱ5、上底漆层ⅰ4、耐磨层3、彩膜装饰层2、石塑基材1、下底漆层ⅰ7、下底漆层ⅱ8和下面漆层9组成地板本体，所述地板本体之间通过插榫机构连接，所述插榫机构包括插口10，插口10开设在地板本体一侧的中部，插口10中部的两侧均开设有卡接口11，卡接口11的内部设置有连接块12，连接块12的一端设置有卡块13，卡块13的一端设置有倾斜面ⅰ，插块14设置在地板本体另一侧的中部，插块14中部的两侧均开设有卡槽15，卡槽15的一端设置有倾斜面ⅱ，所述插块14的长度、宽度和高度与插口10的长度、宽度和高度均相同，
所述卡块13设置的位置与卡槽15相对应。
24.本实用新型整体结构设置合理，耐磨层使用聚氯乙烯作为基料，加入了纳米空心玻璃微珠作为填充耐磨剂，改性二硒化铌纳米粉作为增强改性剂，以及外加阻燃剂、增塑剂和抗氧化剂的辅助，耐水性好和耐摩擦性能好，在耐磨层上表面依次设置两层上底漆层和一层上面漆层，使地板表面具有优异的防烟烫性能，并同时在地板的下表面设置两层下底漆层和一层下面漆层，这样可平衡地板加热后的翘曲性能，防止地板受热后发生收缩，拼接时，将一块地板本体上的插块对应着插口，将插块插接在插口内，在插接的过程中，插块到达卡块上的倾斜面ⅰ位置处时，插块推动卡块和连接块向连接块的内部移动，插块继续向插口的内部移动，当卡槽到达卡块位置处时，卡块卡接在卡槽的内部，从而完成两个地板本体的拼接，拼接效果好，不易晃动。
25.本实用新型提供了一种思路及方法，具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围，本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。

技术特征：
1.高热稳定性spc地板，其特征在于：它包括石塑基材（1），在所述石塑基材（1）上部设有彩膜装饰层（2）、耐磨层（3）、上底漆层ⅰ（4）、上底漆层ⅱ（5）和上面漆层（6），在所述石塑基材（1）下部设有下底漆层ⅰ（7）、下底漆层ⅱ（8）和下面漆层（9），所述上面漆层（6）、上底漆层ⅱ（5）、上底漆层ⅰ（4）、耐磨层（3）、彩膜装饰层（2）、石塑基材（1）、下底漆层ⅰ（7）、下底漆层ⅱ（8）和下面漆层（9）组成地板本体，所述地板本体之间通过插榫机构连接，所述插榫机构包括插口（10），插口（10）开设在地板本体一侧的中部，插口（10）中部的两侧均开设有卡接口（11），卡接口（11）的内部设置有连接块（12），连接块（12）的一端设置有卡块（13），卡块（13）的一端设置有倾斜面ⅰ，插块（14）设置在地板本体另一侧的中部，插块（14）中部的两侧均开设有卡槽（15），卡槽（15）的一端设置有倾斜面ⅱ。2.根据权利要求1所述的高热稳定性spc地板，其特征在于：所述上底漆层ⅱ（5）、上底漆层ⅰ（4）、下底漆层ⅰ（7）、下底漆层ⅱ（8）都是防烫uv底漆层。3.根据权利要求1所述的高热稳定性spc地板，其特征在于：所述上面漆层（6）和下面漆层（9）都是防烫uv面漆层。4.根据权利要求1所述的高热稳定性spc地板，其特征在于：所述上底漆层ⅱ（5）、上底漆层ⅰ（4）、下底漆层ⅰ（7）、下底漆层ⅱ（8）的涂布量均为8.0-40.0g/m2。5.根据权利要求1所述的高热稳定性spc地板，其特征在于：所述上面漆层（6）和下面漆层（9）的涂布量均为10.0-40.0g/m2。6.根据权利要求1所述的高热稳定性spc地板，其特征在于：所述卡块（13）设置的位置与卡槽（15）相对应。7.根据权利要求1所述的高热稳定性spc地板，其特征在于：所述插块（14）的长度、宽度和高度与插口（10）的长度、宽度和高度均相同。

技术总结
本实用新型涉及一种高热稳定性SPC地板，它包括石塑基材，在所述石塑基材上部设有彩膜装饰层、耐磨层、上底漆层Ⅰ、上底漆层Ⅱ和上面漆层，在所述石塑基材下部设有下底漆层Ⅰ、下底漆层Ⅱ和下面漆层，地板本体之间通过插榫机构连接，所述插榫机构包括插口，插口开设在地板本体一侧的中部，插口中部的两侧均开设有卡接口，卡接口的内部设置有连接块，连接块的一端设置有卡块，卡块的一端设置有倾斜面Ⅰ，插块设置在地板本体另一侧的中部，插块中部的两侧均开设有卡槽，卡槽的一端设置有倾斜面Ⅱ。本实用新型耐磨，耐热，拼接稳定性高。拼接稳定性高。拼接稳定性高。


技术研发人员：孙国强
受保护的技术使用者：无锡市博大竹木业有限公司
技术研发日：2023.03.31
技术公布日：2023/9/1