暂态基板组件及其制备方法、发光器件的转移方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种暂态基板组件及其制备方法、发光器件的转移方法。


背景技术：

2.微发光二极管(micro light emitting diode，micro led)显示面板具有低功耗、高亮度、高色彩饱和度、反应速度快、厚度薄以及寿命长等优势，具有广泛的应用前景。
3.现有micro led的巨量转移方法主要激光转移技术，但目前激光转移技术在采用激光剥离(laser lift off，llo)的方式剥离micro led的生长基板之后，会产生异物聚集的现象，异物附着会影响激光释放层的去除，导致后续激光释放良率下降。


技术实现要素：

4.本发明提供了一种暂态基板组件及其制备方法、发光器件的转移方法，以提高激光释放良率。
5.根据本发明的一方面，提供了一种暂态基板组件，包括暂态基板以及位于所述暂态基板一侧的牺牲层、激光释放层和多个发光器件；
6.所述牺牲层上形成有多个通槽，所述多个通槽和所述多个发光器件对应设置；
7.所述激光释放层位于所述通槽中，所述发光器件与对应的所述通槽中的所述激光释放层键合连接。
8.根据本发明的另一方面，提供了一种暂态基板组件的制备方法，包括：
9.在暂态基板一侧制备牺牲材料层；
10.在所述牺牲材料层上制备多个通槽，形成牺牲层；
11.在所述牺牲层背离所述暂态基板的一侧制备激光释放材料层；
12.对所述激光释放材料层进行刻蚀，以暴露所述牺牲层，形成激光释放层，所述激光释放层位于所述通槽中；
13.将位于生长基板上的发光器件与所述激光释放层进行键合连接；
14.剥离所述生长基板。
15.根据本发明的另一方面，提供了一种发光器件的转移方法，包括：
16.提供第一方面所述的暂态基板组件；
17.去除所述暂态基板组件上的所述牺牲层；
18.将所述暂态基板组件上的至少部分所述发光器件转移到转移基板上。
19.本发明实施例提供的暂态基板组件及其制备方法、发光器件的转移方法，在暂态基板一侧设置牺牲层，并在牺牲层上形成与多个发光器件对应的多个通槽，在通槽中设置激光释放层，发光器件与对应通槽中的激光释放层连接。如此设置，在形成暂态基板组件的过程中，剥离生长基板产生的异物会附着到牺牲层上，后续在将暂态基板组件上的至少部分发光器件由暂态基板转移至转移基板上时，附着在牺牲层上的异物可随牺牲层一起被去
除，从而可保证相邻发光器件之间不会被受异物影响而残留的激光释放层粘结在一起，在后续将部分发光器件由暂态基板转移时，发光器件不会受到残留的激光释放层影响而无法被正常释放，提高了激光释放良率。
20.应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
21.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1为本发明实施例提供的一种暂态基板组件的结构示意图；
23.图2为图1沿a-a’方向的截面结构示意图；
24.图3为相关技术中的一种发光器件的转移流程示意图；
25.图4为相关技术中的另一种发光器件的转移流程示意图；
26.图5为相关技术中的又一种发光器件的转移流程示意图；
27.图6为本发明实施例提供的一种发光器件的转移流程示意图；
28.图7为本发明实施例提供的另一种发光器件的转移流程示意图；
29.图8为本发明实施例提供的又一种发光器件的转移流程示意图；
30.图9为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
31.图10为本发明实施例提供的另一种暂态基板组件的结构示意图；
32.图11为图10沿b-b’方向的截面结构示意图；
33.图12为图11在c处的放大结构示意图；
34.图13为本发明实施例提供的又一种发光器件的转移流程示意图；
35.图14为本发明实施例提供的一种发光器件的截面结构示意图；
36.图15为图14在d处的放大结构示意图；
37.图16为本发明实施例提供的一种暂态基板组件的制备流程示意图；
38.图17为本发明实施例提供的一种发光器件的局部截面结构示意图；
39.图18为本发明实施例提供的另一种暂态基板组件的制备流程示意图；
40.图19为本发明实施例提供的一种暂态基板组件的制备方法的流程示意图；
41.图20为本发明实施例提供的一种发光器件的转移方法的流程示意图。
具体实施方式
42.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
43.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第
二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
44.图1为本发明实施例提供的一种暂态基板组件的结构示意图，图2为图1沿a-a’方向的截面结构示意图，如图1和图2所示，本发明实施例提供的暂态基板组件包括暂态基板10以及位于暂态基板10一侧的牺牲层11、激光释放层12和多个发光器件13，牺牲层11上形成有多个通槽111，多个通槽111和多个发光器件13对应设置，激光释放层12位于通槽111中，发光器件13与对应的通槽111中的激光释放层12连接。
45.具体的，图3为相关技术中的一种发光器件的转移流程示意图，图4为相关技术中的另一种发光器件的转移流程示意图，图5为相关技术中的又一种发光器件的转移流程示意图，如图3-图5所示，在显示面板的制备过程中，会先在生长基板20’上通过蚀刻、沉积、金属蒸镀等半导体工艺制作成发光器件13’结构，后续需要将发光器件13’由生长基板20’转移至暂态基板10’上，再根据最终显示面板的分辨率需求将至少部分发光器件13’由暂态基板10’转移至转移基板21’上。
46.其中，如图3所示，在将发光器件13’由生长基板20’转移至暂态基板10’的过程中，需要先在暂态基板10’上整层制备激光释放层12’，通过该激光释放层12’将生长基板20’上的发光器件13’粘附至暂态基板10’上，然后通过激光将生长基板20’剥离，从而实现将生长基板20’上的发光器件13’转移至暂态基板10’上。
47.继续参考图4和图5，后续在将至少部分发光器件13’由暂态基板10’转移至转移基板21’上时，需要先将相邻发光器件13’之间的激光释放层12’去除，然后通过激光束31’将需要转移至转移基板21’的发光器件13’所粘结的激光释放层12’进行解粘，使需要转移的发光器件13’释放到转移基板21’上。
48.如图3-图5所示，发明人经研究发现，在通过激光将生长基板20’剥离的过程中，发光器件13’上的部分材料会分解形成气体，气体会经发光器件13’的边缘释放，同时，激光能量在发光器件13’的不同区域之间会存在差异，从而造成不同区域的应力以及剥离效果存在差异，如此，发光器件13’在气体冲击的情况下容易产生异物30’，产生的异物30’会附着到相邻发光器件13’之间的激光释放层12’上。
49.继续参考图4和图5，在将相邻发光器件13’之间的激光释放层12’去除时，通常采用干法刻蚀工艺，例如，采用等离子体(plasma)表面处理工艺去除相邻发光器件13’之间的激光释放层12’，而附着在激光释放层12’上的异物30’无法在干法刻蚀工艺中被有效去除，从而会使有异物30’附着激光释放层12’会无法被刻蚀干净，在后续将至少部分发光器件13’由暂态基板10’转移至转移基板21’上时，会存在发光器件13’受到残留的激光释放层12’影响而无法被正常释放，导致激光释放良率下降。
50.基于上述技术问题，继续参考图1和图2，在本发明实施例中，在暂态基板10一侧设置牺牲层11，并在牺牲层11上形成与多个发光器件13对应的多个通槽111，其中，通槽111是指沿暂态基板10厚度方向贯穿牺牲层11的凹槽，通槽111的底部与暂态基板10的表面连通。
51.进一步地，如图1和图2所示，在牺牲层11的通槽111中设置有激光释放层12，一个通槽111对应设置一个发光器件13，发光器件13与对应通槽111中的激光释放层12连接。
52.图6为本发明实施例提供的一种发光器件的转移流程示意图，如图6所示，采用本发明实施例所提供的暂态基板组件，在将发光器件13由生长基板20转移至暂态基板10的过程中，通过通槽111中的激光释放层12将生长基板20上的发光器件13粘附至暂态基板10上，然后通过激光将生长基板20剥离，以将生长基板20上的发光器件13转移至暂态基板10上。
53.其中，在通过激光将生长基板20剥离的过程中，产生的异物30会附着到牺牲层11上。
54.图7为本发明实施例提供的另一种发光器件的转移流程示意图，图8为本发明实施例提供的又一种发光器件的转移流程示意图，如图7和图8所示，后续在将暂态基板组件上的至少部分发光器件13由暂态基板10转移至转移基板21上时，可将牺牲层11去除，然后通过激光束31将需要转移至转移基板21的发光器件13所粘结的激光释放层12进行解粘，使需要转移的发光器件13释放到转移基板21上。
55.其中，在去除牺牲层11时，可以采用湿法刻蚀工艺，附着在牺牲层11上的异物30会随牺牲层11一起被去除，从而可以达到很好的去除异物30的效果，并可保证相邻发光器件13之间不会再被残留的激光释放层12粘结在一起，在后续将至少部分发光器件13由暂态基板10转移至转移基板21上时，需要转移的发光器件13不会受到残留的激光释放层12的影响，均可被正常释放，从而可提高激光释放良率。
56.需要说明的是，在本发明实施例中，可设置暂态基板10的透光率大于或等于85％，从而在后续通过激光束31将暂态基板组件上的发光器件13释放到转移基板21上时，可使更多的激光束31透过暂态基板10到达激光释放层12，进而保证暂态基板组件上的发光器件13能够被释放到转移基板21上。
57.可选的，暂态基板10的材料可包括蓝宝石或石英，以具有较高的强度和透光率，但不限于此。
58.在一些实施例中，激光释放层12的材料可采用聚酰亚胺(polyimide，pi)，聚酰亚胺为光敏材料，能够基于激光照射降低粘性，从而便于通过激光束31照射将暂态基板组件上的发光器件13与暂态基板10分离，实现暂态基板组件上发光器件13的释放与转移，但不限于此。
59.此外，在本发明中，暂态基板组件上发光器件13的数量以及发光器件13的排布方式可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不做具体限定。
60.综上所述，本发明实施例提供的暂态基板组件，在暂态基板一侧设置牺牲层，并在牺牲层上形成与多个发光器件对应的多个通槽，在通槽中设置激光释放层，发光器件与对应通槽中的激光释放层连接。如此设置，在形成暂态基板组件的过程中，剥离生长基板产生的异物会附着到牺牲层上，后续在将暂态基板组件上的至少部分发光器件由暂态基板转移至转移基板上时，附着在牺牲层上的异物可随牺牲层一起被去除，从而可保证相邻发光器件之间不会被受异物影响而残留的激光释放层粘结在一起，在后续将部分发光器件由暂态基板转移时，发光器件不会受到残留的激光释放层影响而无法被正常释放，提高了激光释放良率。
61.继续参考图1和图2，可选的，发光器件13包括发光主体131和电极132，电极132位
于发光主体131靠近暂态基板10的一侧，电极132与激光释放层12连接，发光主体131在暂态基板10上的垂直投影覆盖通槽111在暂态基板10上的垂直投影。
62.具体的，发光器件13可以包括micro-led、mini-led或其他类型的led芯片，其中，micro-led是指晶粒尺寸在100微米以下的led芯片，能够实现0.05毫米或更小尺寸像素颗粒的显示屏，micro-led的耗电量很低，并具有较佳的材料稳定性且无影像残留。mini-led是指晶粒尺寸约在100微米至1000微米之间的led芯片，采用mini-led时，良率高，具有异形切割特性，搭配软性基板亦可形成高曲面的背光形式，拥有更好的演色性。
63.图9为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图，如图9所示，示例性的，发光器件13的发光主体131可以包括第一型半导体1311、发光层1312和第二型半导体1313，发光层1312位于第一型半导体1311和第二型半导体1313之间。电极132可以包括第一电极1321和第二电极1322，第一电极1321与第一型半导体1311电连接，且位于第一型半导体1311朝向第二型半导体1313的一侧，第二电极1322与第二型半导体1313电连接，第二电极1322位于第二型半导体1313的远离第一型半导体1311的一侧。
64.其中，通过第一电极1321和第二电极1322向发光主体131注入电流，可以驱动发光主体131发光。
65.需要说明的是，第一型半导体1311可以为n型半导体，第二型半导体1313为p型半导体，在其他实施例中，也可设置第一型半导体1311为p型半导体，第二型半导体1313为n型半导体，本发明实施例对此不作具体限定。
66.示例性的，以第一型半导体1311为n型半导体，第二型半导体1313为p型半导体为例，在第一电极1321和第二电极1322上输入驱动信号之后，第一型半导体1311向发光层1312注入电子，第二型半导体1313向发光层1312注入空穴，电子和空穴在发光层1312复合释放能量而发光。
67.继续参考图2和图6，电极132位于发光主体131靠近暂态基板10的一侧，在将发光器件13由生长基板20转移至暂态基板10的过程中，通槽111中的激光释放层12至少粘附发光器件13的电极132，以将生长基板20上的发光器件13粘附至暂态基板10上。
68.进一步地，如图2和图6所示，将生长基板20上的发光器件13粘附到暂态基板10上时，发光主体131在暂态基板10上的垂直投影覆盖通槽111在暂态基板10上的垂直投影，即，在暂态基板10的厚度方向上，发光主体131覆盖通槽111，如此设置，在后续通过激光剥离生长基板20时，发光主体131可以对位于通槽111中的激光释放层12和电极132起到遮挡作用，从而可避免剥离生长基板20时产生的异物30进入到通槽111中，进而避免异物30粘附在通槽111中的激光释放层12和电极132上，在保证后续激光释放层12释放发光器件13良率的同时，还可对电极132起到保护作用，降低异物30对发光器件13发光性能的影响。
69.继续参考图1和图2，可选的，通槽111在暂态基板10上的垂直投影覆盖电极132在暂态基板10上的垂直投影。
70.具体的，如图1和图2所示，在暂态基板10的厚度方向上，设置通槽111覆盖电极132，即，在平行于暂态基板10所在平面的方向上，通槽111的尺寸大于电极132的尺寸。如此设置，如图6所示，在将生长基板20上的发光器件13粘附到暂态基板10上时，可使发光器件13的电极132位于通槽111所在区域内，保证电极132能够伸入通槽111中，实现电极132与通槽111中激光释放层12的接触连接，同时，电极132可以伸入通槽111中的激光释放层12内，
可提高电极132和激光释放层12之间粘附的牢靠程度。
71.图10为本发明实施例提供的另一种暂态基板组件的结构示意图，图11为图10沿b-b’方向的截面结构示意图，图12为图11在c处的放大结构示意图，如图10-图12所示，可选的，发光主体131在暂态基板10上的垂直投影和牺牲层11在暂态基板10上的垂直投影至少部分交叠。
72.其中，如图10-图12所示，沿暂态基板10的厚度方向，发光主体131和牺牲层11之间存在交叠区域，即，在平行于暂态基板10所在平面的方向上，发光主体131的尺寸大于通槽111的尺寸。
73.图13为本发明实施例提供的又一种发光器件的转移流程示意图，如图10-图13所示，在将生长基板20上的发光器件13粘附到暂态基板10上时，沿暂态基板10的厚度方向，发光主体131的覆盖面积大于通槽111面积，从而在后续通过激光剥离生长基板20时，发光主体131可以对通槽111中的激光释放层12和电极132起到完全遮挡的作用，可避免生长基板20和暂态基板10之间的对位误差造成剥离生长基板20时产生的异物30能够进入到通槽111中，进而避免异物30粘附在通槽111中的激光释放层12和电极132上，在保证后续激光释放层12释放发光器件13良率的同时，可对电极132起到保护作用，降低异物30对发光器件13发光性能的影响。
74.图14为本发明实施例提供的一种发光器件的截面结构示意图，图15为图14在d处的放大结构示意图，如图14和图15所示，可选的，通槽111的深度为h1，电极132的厚度为h2，其中，h1≥h2。
75.具体的，如图13-图15所示，通过设置通槽111的深度h1大于或等于电极132的厚度h2，在将生长基板20上的发光器件13粘附到暂态基板10上时，发光器件13的发光主体131可以压合在牺牲层11上，此时，牺牲层11靠近发光主体131一侧的表面和发光主体131靠近牺牲层11一侧的表面紧密接触，可使发光主体131对通槽111的开口起到密封作用，从而在剥离生长基板20时，可以完全阻隔异物30进入通槽111，进而避免异物30粘附在通槽111中的激光释放层12和电极132上，在保证后续激光释放层12释放发光器件13良率的同时，可对电极132起到保护作用，降低异物30对发光器件13发光性能的影响。
76.同时，通槽111的深度h1大于或等于电极132的厚度h2，在将生长基板20上的发光器件13粘附到暂态基板10上时，发光器件13的电极132不会被大力按压在暂态基板10上，从而可避免电极132按压在硬质的暂态基板10上而导致电极132损坏。
77.继续参考图14和图15，可选的，沿暂态基板10的厚度方向，电极132与暂态基板10之间的最短距离d大于0。
78.其中，如图13-图15所示，通过设置电极132与暂态基板10之间的最短距离d大于0，在将生长基板20上的发光器件13粘附到暂态基板10上时，发光器件13的电极132不会与暂态基板10接触，从而可避免电极132按压在硬质的暂态基板10上而导致电极132损坏。
79.继续参考图14和图15，可选的，通槽111的深度为h1，激光释放层12的厚度为h3，其中，h1≥h3。
80.其中，通过设置通槽111的深度h1大于或等于激光释放层12的厚度h3，可采用整层刻蚀的方式制备激光释放层12，无需采用掩模(mask)工艺，从而可降低激光释放层12的制备成本，且工艺容易实现。
81.示例性的，图16为本发明实施例提供的一种暂态基板组件的制备流程示意图，如图16所示，在制备暂态基板组件的过程中，先在暂态基板10一侧制备整层的牺牲材料层110，对牺牲材料层110进行图形化处理，以在牺牲材料层110上制备多个通槽111，形成牺牲层11。然后，在牺牲层11背离暂态基板10的一侧制备整层的激光释放材料层120，激光释放材料层120覆盖牺牲层11，需要对激光释放材料层120进行刻蚀，暴露出牺牲层11，以在后续便于利用湿法刻蚀工艺去除牺牲层11。
82.其中，在对激光释放材料层120进行刻蚀时，通常采用干法刻蚀工艺，例如，采用等离子体(plasma)表面处理工艺对激光释放材料层120进行整面刻蚀，从而对激光释放材料层120进行减薄，直到暴露出牺牲层11。在此过程中，为了保证能够暴露出牺牲层11，对激光释放材料层120进行整面刻蚀后，最终得到的激光释放层12的厚度会等于或小于牺牲层11的厚度，并且，牺牲层11会全部暴露出来，从而在后续便于利用湿法刻蚀工艺将牺牲层11去除干净。
83.需要说明的是，图14-图16仅以通槽111的深度h1等于激光释放层12的厚度h3为例进行示意，但并不局限于此。
84.图17为本发明实施例提供的一种发光器件的局部截面结构示意图，图18为本发明实施例提供的另一种暂态基板组件的制备流程示意图，如图17和图18所示，在对激光释放材料层120进行整面刻蚀时，为了确保能够暴露出牺牲层11，可以将激光释放材料层120的减薄程度适当加大，最终得到的激光释放层12的厚度小于牺牲层11的厚度，保证牺牲层11能够全部暴露出来，从而在后续便于利用湿法刻蚀工艺将牺牲层11去除干净。
85.继续参考图17，可选的，通槽111的深度为h1，电极132的厚度为h2，激光释放层12的厚度为h3，其中，h3≥h1-h2。
86.具体的，如图17所示，通过设置激光释放层12的厚度h3大于或等于通槽111深度h1与电极132厚度h2之间的差值，可以确保电极132和通槽111中的激光释放层12之间能够接触连接。
87.其中，通槽111的深度h1、电极132的厚度h2以及激光释放层12的厚度h3的具体数值可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不做具体限定。
88.可以理解的是，激光释放层12的厚度h3越大，发光器件13的电极132能够伸入激光释放层12中的深度越深，从而可提高电极132和激光释放层12之间粘附的牢靠程度。
89.需要说明的是，在本发明实施例中，通槽111的深度h1等于牺牲层11的厚度，通过调整牺牲层11的厚度，即可对通槽111的深度h1进行调整。
90.其中，牺牲层11厚度可以为5μm～7μm，如此设置，一方面，牺牲层11不会过薄而导致激光释放层12太薄，影响到激光释放层12粘附电极132的牢靠程度；另一方面，牺牲层11不会过厚而增大制备难度，增加制备成本。
91.相应的，电极132的厚度可以为2μm～3μm，在保证电极132导电性能的同时，使电极132的厚度小于牺牲层11的厚度，在将生长基板20上的发光器件13粘附到暂态基板10上时，发光器件13的发光主体131压合在牺牲层11上，发光器件13的电极132不会接触到暂态基板10，从而可避免电极132按压在硬质的暂态基板10上而导致电极132损坏。
92.可选的，牺牲层11的弹性模量小于暂态基板10的弹性模量。
93.其中，通过设置牺牲层11的弹性模量小于暂态基板10的弹性模量，使得牺牲层11
具有一定的弹性，牺牲层11的表面会更加柔软，在将生长基板20上的发光器件13粘附到暂态基板10上时，发光器件13的发光主体131按压在牺牲层11上，此时，牺牲层11可以起到缓冲的作用，从而可以对发光器件13起到保护作用，避免发光器件13损坏，同时，发光器件13还可与牺牲层11的表面紧密压合，有利于隔绝异物30，防止异物30进入通槽111污染激光释放层12和电极132。
94.可选的，牺牲层11的材料包括有机材料。
95.在本实施例中，设置牺牲层11为有机材料，使得牺牲层11具有一定的弹性，在保证发光器件13可与牺牲层11的表面紧密压合的同时，还可提高缓冲性能。
96.其中，牺牲层11可以由密胺树脂或聚苯乙烯树脂等材料构成，但并不局限于此。
97.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种暂态基板组件的制备方法，该制备方法可以用于制备上述实施例提供的任一暂态基板组件，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。
98.图19为本发明实施例提供的一种暂态基板组件的制备方法的流程示意图，如图19所示，该制备方法包括：
99.s110、在暂态基板一侧制备牺牲材料层。
100.具体的，如图16所示，可利用旋涂、刮涂或喷涂的方式在暂态基板10的一侧制备整层的牺牲材料层110。
101.其中，牺牲材料层110的材料可以包括密胺树脂或聚苯乙烯树脂等有机材料，但并不局限于此。
102.可选的，牺牲材料层110的厚度可以为5μm～7μm，但并不局限于此。
103.此外，暂态基板10的材料可包括蓝宝石或石英，以具有较高的强度和透光率，但不限于此。
104.s120、在牺牲材料层上制备多个通槽，形成牺牲层。
105.继续参考图16，可利用黄光工艺对牺牲材料层110进行图形化处理，以在牺牲材料层110上形成多个通槽111，进而形成牺牲层11。
106.其中，通槽111的尺寸可以小于或等于发光器件的尺寸，以在后续通过激光剥离发光器件的生长基板时，发光器件可以对通槽111起到覆盖遮挡的作用，避免剥离生长基板时产生的异物进入到通槽111中。
107.可选的，通槽111的深度可以大于发光器件的电极厚度，后续在将生长基板上的发光器件粘附到暂态基板10上时，发光器件的发光主体可以压合在牺牲层上，一方面，牺牲层11靠近发光主体一侧的表面和发光主体靠近牺牲层11一侧的表面紧密接触，可使发光主体对通槽111的开口起到密封作用，从而在剥离生长基板时，可以完全阻隔异物进入通槽111，另一方面，发光器件的电极不会被大力按压在暂态基板10上，从而可避免电极按压在硬质的暂态基板10上而导致电极损坏。
108.s130、在牺牲层背离暂态基板的一侧制备激光释放材料层。
109.继续参考图16，在牺牲层11上形成一层整面性的激光释放材料层120，激光释放材料层120覆盖牺牲层11。
110.s140、对激光释放材料层进行刻蚀，以暴露牺牲层，形成激光释放层，激光释放层位于通槽中。
111.继续参考图16，可利用干法刻蚀工艺对激光释放材料层120进行整面性刻蚀，以裸露牺牲层11，形成激光释放层12，以便后续利用湿法刻蚀工艺去除牺牲层11。
112.s150、将位于生长基板上的发光器件与激光释放层进行连接。
113.继续参考图6和图13，将生长有发光器件13的生长基板20与暂态基板10进行贴合，以使生长基板20上的发光器件13与对应通槽111中的激光释放层12进行连接。
114.s160、剥离生长基板。
115.继续参考图6和图13，在生长基板20一侧进行激光照射，以通过激光剥离(laser lift off，llo)的方式去除生长基板20。
116.其中，剥离生长基板20时产生的异物30会附着到牺牲层11上，后续在将暂态基板组件上的至少部分发光器件13由暂态基板10转移至转移基板上时，附着在牺牲层11上的异物30可随牺牲层11一起被去除，从而可保证相邻发光器件13之间不会被受异物30影响而残留的激光释放层12粘结在一起，在后续将至少部分发光器件13由暂态基板10转移时，需要转移的发光器件13不会受到残留的激光释放层12的影响，均可被正常释放，从而提高激光释放良率。
117.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种发光器件的转移方法，该制备方法可以应用于上述实施例提供的任一暂态基板组件，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。
118.图20为本发明实施例提供的一种发光器件的转移方法的流程示意图，如图20所示，该转移方法包括：
119.s210、提供暂态基板组件。
120.其中，如图8所示，暂态基板组件可以为上述实施例提供的任一暂态基板组件。暂态基板组件具体可包括暂态基板10以及位于暂态基板10一侧的牺牲层11、激光释放层12和多个发光器件13，牺牲层11上形成有多个通槽111，多个通槽111和多个发光器件13对应设置，激光释放层12位于通槽111中，发光器件13与对应的通槽111中的激光释放层12连接
121.s220、去除暂态基板组件上的牺牲层。
122.其中，如图8所示，可以对暂态基板10进行湿法刻蚀，以去除暂态基板10上的牺牲层11，此时，附着在牺牲层11上的异物30会随牺牲层11一起被去除。
123.s230、将暂态基板组件上的至少部分发光器件转移到转移基板上。
124.具体的，可根据最终显示面板的分辨率需求确认需要转移至转移基板21上的发光器件13。其中，可将暂态基板组件上的部分发光器件13由暂态基板10转移至转移基板21上，也可将暂态基板组件上的全部发光器件13由暂态基板10转移至转移基板21上，本发明实施例对此不做具体限定。
125.继续参考图8，由于附着在牺牲层11上的异物30随牺牲层11一起被去除，在将暂态基板组件上至少部分发光器件13由暂态基板10转移至转移基板21上时，可保证需要转移的发光器件13不会受到残留的激光释放层12的影响，均可被正常释放，从而提高激光释放良率。
126.应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
127.上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

技术特征：
1.一种暂态基板组件，其特征在于，包括暂态基板以及位于所述暂态基板一侧的牺牲层、激光释放层和多个发光器件；所述牺牲层上形成有多个通槽，所述多个通槽和所述多个发光器件对应设置；所述激光释放层位于所述通槽中，所述发光器件与对应的所述通槽中的所述激光释放层连接。2.根据权利要求1所述的暂态基板组件，其特征在于，所述发光器件包括发光主体和电极，所述电极位于所述发光主体靠近所述暂态基板的一侧，所述电极与所述激光释放层连接；所述发光主体在所述暂态基板上的垂直投影覆盖所述通槽在所述暂态基板上的垂直投影。3.根据权利要求2所述的暂态基板组件，其特征在于，所述通槽在所述暂态基板上的垂直投影覆盖所述电极在所述暂态基板上的垂直投影。4.根据权利要求2所述的暂态基板组件，其特征在于，所述发光主体在所述暂态基板上的垂直投影和所述牺牲层在所述暂态基板上的垂直投影至少部分交叠。5.根据权利要求4所述的暂态基板组件，其特征在于，所述通槽的深度为h1，所述电极的厚度为h2，其中，h1≥h2。6.根据权利要求5所述的暂态基板组件，其特征在于，沿所述暂态基板的厚度方向，所述电极与所述暂态基板之间的最短距离大于0。7.根据权利要求1所述的暂态基板组件，其特征在于，所述通槽的深度为h1，所述激光释放层的厚度为h3，其中，h1≥h3。8.根据权利要求5所述的暂态基板组件，其特征在于，所述通槽的深度为h1，所述电极的厚度为h2，所述激光释放层的厚度为h3，其中，h3≥h1-h2。9.根据权利要求1所述的暂态基板组件，其特征在于，所述牺牲层的弹性模量小于所述暂态基板的弹性模量。10.根据权利要求1所述的暂态基板组件，其特征在于，所述牺牲层的材料包括有机材料。11.一种暂态基板组件的制备方法，其特征在于，包括：在暂态基板一侧制备牺牲材料层；在所述牺牲材料层上制备多个通槽，形成牺牲层；在所述牺牲层背离所述暂态基板的一侧制备激光释放材料层；对所述激光释放材料层进行刻蚀，以暴露所述牺牲层，形成激光释放层，所述激光释放层位于所述通槽中；将位于生长基板上的发光器件与所述激光释放层进行连接；剥离所述生长基板。12.一种发光器件的转移方法，其特征在于，包括：提供权利要求1-10任一项所述的暂态基板组件；去除所述暂态基板组件上的所述牺牲层；
将所述暂态基板组件上的至少部分所述发光器件转移到转移基板上。

技术总结
本发明公开了一种暂态基板组件及其制备方法、发光器件的转移方法。其中，暂态基板组件包括暂态基板以及位于暂态基板一侧的牺牲层、激光释放层和多个发光器件，牺牲层上形成有多个通槽，多个通槽和多个发光器件对应设置，激光释放层位于通槽中，发光器件与对应的通槽中的激光释放层键合连接。本发明实施例提供的暂态基板组件及其制备方法、发光器件的转移方法，剥离生长基板产生的异物会附着到牺牲层上，后续在将暂态基板组件上的至少部分发光器件由暂态基板释放转移时，附着在牺牲层上的异物可随牺牲层一起被去除，从而在后续将部分发光器件由暂态基板转移时，发光器件不会受到残留的激光释放层影响而无法被正常释放，提高了激光释放良率。激光释放良率。激光释放良率。


技术研发人员：黄安
受保护的技术使用者：天马新型显示技术研究院（厦门）有限公司
技术研发日：2023.06.13
技术公布日：2023/8/31