曝光方法及曝光装置、晶圆的处理方法与流程

1.本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种曝光方法及曝光装置、晶圆的处理方法。


背景技术：

2.目前，半导体集成电路(ic)产业已经经历了指数式增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了数代ic，其中，每代ic都比前一代ic具有更小和更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了ic部件变得更小和更复杂之外，在其上制造ic的晶圆变得越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。
3.光刻是半导体结构的制造过程中用于形成图案结构的重要工艺步骤。在光刻工艺中，负性光刻胶是常用的一种光刻胶材料。负性光刻胶在曝光后，会因交联而变得不可溶解并会硬化。一旦硬化，交联的负性光刻胶就不能在溶剂中被洗掉，因为光刻胶上的图形与投影掩膜版上的图形相反。对于未曝光的负性光刻胶，因为没有发生交联反应，因此，曝露在显影化学溶剂中时就会溶解。在光刻制程中，由于晶圆本身原因或者光刻机台出现突发状况而引起宕机等原因，晶圆上部分的负性光刻胶未曝光或者仅部分曝光时就被送去显影，从而影响最终形成的半导体结构的产率和性能。
4.因此，如何改善半导体结构的性能，提高半导体结构的产率，是当前亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

5.本公开提供一种曝光方法及曝光装置、晶圆的处理方法，用于改善半导体结构的性能，并提高半导体结构的产率。
6.根据一些实施例，本公开提供了一种一种曝光方法，包括如下步骤：
7.提供晶圆，所述晶圆的表面上覆盖有负性光刻胶层，所述负性光刻胶层中包括待曝光区域；
8.对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理；
9.判断所述待曝光区域是否全部曝光，若否，则对所述晶圆上全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理。
10.在一些实施例中，所述晶圆表面和所述负性光刻胶层之间有半导体结构。
11.在一些实施例中，对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理的具体步骤包括：
12.对所述负性光刻胶层的边缘区域进行曝光处理；
13.对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理。
14.在一些实施例中，在第一曝光机台中对所述负性光刻胶层的边缘区域进行曝光处理，且在第二曝光机台中对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理；判断所
述待曝光区域是否全部曝光的具体步骤包括：
15.判断所述第二曝光机台是否发出警报，若是，则确认所述待曝光区域未全部曝光。
16.在一些实施例中，对所述晶圆上全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理的具体步骤包括：
17.将所述晶圆自所述第二曝光机台传输至所述第一曝光机台；
18.在所述第一曝光机台内，驱动所述晶圆沿第一方向平移运动，并同时驱动所述晶圆围绕沿第二方向延伸的轴线转动，以对全部所述负性光刻胶层进行曝光处理，所述第一方向与所述第二方向垂直相交。
19.在一些实施例中，驱动所述晶圆沿第一方向平移运动，并同时驱动所述晶圆围绕沿第二方向延伸的轴线转动，以对全部所述负性光刻胶层进行曝光处理的具体步骤包括：
20.于所述第一曝光机台中设置用于承载所述晶圆的承载台、以及位于所述承载台外部的平移结构，所述承载台上方具有曝光光源；
21.放置所述晶圆至所述第一曝光机台内，使得所述晶圆的一端位于所述承载台上、另一端与所述平移结构连接；
22.驱动所述承载台旋转，并驱动所述平移结构沿所述第一方向平移所述晶圆。
23.在一些实施例中，在所述第一曝光机台对全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理的具体步骤包括：
24.根据所述负性光刻胶层的厚度，获取对全部所述负性光刻胶层进行曝光所需要的能量；
25.根据所述能量获取所述曝光光源的照射功率；
26.控制所述曝光光源采用所述照射功率对全部所述负性光刻胶层进行曝光处理。
27.在一些实施例中，对所述晶圆上全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理之后，还包括如下步骤：
28.对所述负性光刻胶层进行加热处理，和/或对所述负性光刻胶层进行显影处理。
29.根据另一些实施例，本公开还提供了一种晶圆的处理方法，包括如下步骤：
30.提供晶圆，所述晶圆的整个上表面覆盖有负性光刻胶层；
31.采用如上所述的曝光方法对所述负性光刻胶层进行曝光处理，形成光阻层；
32.对所述光阻层进行灰化处理。
33.根据又一些实施例，本公开还提供了一种曝光装置，用于采用如上所述的曝光方法对所述晶圆中全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理，其特征在于，包括：
34.承载台，用于承载所述晶圆，所述承载台能够围绕沿第二方向延伸的轴线旋转；
35.平移结构，位于所述承载台的外部，用于驱动所述晶圆沿水平方向平移运动。
36.本公开一些实施例提供的曝光方法及曝光装置、晶圆的处理方法，通过在确认负性光刻胶层中的待曝光区域未全部曝光时，则对全部的所述负性光刻胶层进行补充曝光处理，避免包括未曝光或者曝光不充分的负性光刻胶层的半导体结构进入下一流程或者因负性光刻胶层未曝光或者曝光不充分而导致的半导体结构不能进行后续流程的问题，从而改善了半导体结构的性能，并提高了半导体结构的产率。
附图说明
37.附图1是本公开具体实施方式中曝光方法流程图；
38.附图2是本公开具体实施方式中第一曝光机台的结构示意图；
39.附图3是本公开具体实施方式中对负性光刻胶层进行补充曝光时的俯视示意图；
40.附图4是本公开具体实施方式中晶圆的处理方法流程图。
具体实施方式
41.下面结合附图对本公开提供的曝光方法及曝光装置、晶圆的处理方法的具体实施方式做详细说明。
42.本具体实施方式提供了一种曝光方法，附图1是本公开具体实施方式中曝光方法流程图，附图2是本公开具体实施方式中第一曝光机台的结构示意图，附图3是本公开具体实施方式中对负性光刻胶层进行补充曝光时的俯视示意图。如图1、图2和图3所示，所述曝光方法，包括如下步骤：
43.步骤s11，提供晶圆21，所述晶圆21的表面上覆盖有负性光刻胶层30，所述负性光刻胶层30中包括待曝光区域；
44.步骤s12，对所述负性光刻胶层30中的所述待曝光区域进行曝光处理；
45.步骤s13，判断所述待曝光区域是否全部曝光，若否，则对所述晶圆21上全部所述负性光刻胶层30进行补充曝光处理。
46.在一些实施例中，所述晶圆21表面和所述负性光刻胶层30之间有半导体结构。在一示例中，所述半导体结构可以是但不限于dram(dynamic random access memory，动态随机存储器)。在对所述晶圆21中形成图案结构的过程中，涂布负性光刻胶材料于所述晶圆21的表面，形成所述负性光刻胶层30。于所述负性光刻胶层30中定义所述待曝光区域、以及位于所述待曝光区域外部的图案区域，后续通过对所述待曝光区域进行曝光处理，使得所述待曝光区域的所述负性光刻胶层30发生反应，从而使得所述待曝光区域的所述负性光刻胶层30的性质(包括物理性质和/或化学性质)与所述图案区域的所述负性光刻胶层30的性质(包括物理性质和/或化学性质)不同。后续通过去除所述图案区域的所述负性光刻胶层30，在所述负性光刻胶层30中形成刻蚀窗口，并沿所述刻蚀窗口向下刻蚀所述晶圆21或者刻蚀所述晶圆21上的半导体层，以在所述晶圆21中或者所述晶圆21上的所述半导体层中形成刻蚀图案。
47.在一些实施例中，对所述负性光刻胶层30中的所述待曝光区域进行曝光处理的具体步骤包括：
48.对所述负性光刻胶层30的边缘区域进行曝光处理；
49.对所述负性光刻胶层30中的所述待曝光区域进行曝光处理。
50.具体来说，由于光刻胶涂布工艺本身的限制或者涂布机台本身的结构限制，使得在涂布所述负性光刻胶材料并形成所述负性光刻胶层30之后，所述负性光刻胶层30的边缘区域的厚度或者分布均匀性与所述负性光刻胶层30中间区域(所述边缘区域围绕所述中间区域的外周分布)的厚度或者分布均匀性的差异较大，因而，需要在对所述待曝光区域进行曝光之前，先对所述负性光刻胶层30的所述边缘区域进行曝光处理，以避免对所述晶圆21或者所述晶圆21上的所述半导体结构的边缘区域造成影响。在一示例中，所述负性光刻胶
层30的所述边缘区域的曝光处理和所述负性光刻胶层30中所述待曝光区域的曝光处理分别在不同的曝光机台中进行，以提高曝光的精确度。在另一示例中，所述负性光刻胶层的所述边缘区域的曝光处理和所述负性光刻胶层30中所述待曝光区域的曝光处理在同一个曝光机台中进行，以进一步简化光刻工艺。
51.在一些实施例中，在第一曝光机台中对所述负性光刻胶层30的边缘区域进行曝光处理，且在第二曝光机台中对所述负性光刻胶层30中的所述待曝光区域进行曝光处理；判断所述待曝光区域是否全部曝光的具体步骤包括：
52.判断所述第二曝光机台是否发出警报，若是，则确认所述待曝光区域未全部曝光。
53.举例来说，所述第一曝光机台可以为wee(wafer edge exposure，晶圆边缘曝光)机台，所述第二曝光机台为与所述第一曝光机台不同类型的曝光机台，例如对准曝光机台等。所述第一曝光机台用于对所述负性光刻胶层30的边缘区域进行曝光处理，以降低厚度不均的所述负性光刻胶层30的边缘区域对光刻效果的影响。所述第二曝光机台用于对所述负性光刻胶层30中的所述待曝光区域进行曝光处理，以便于将掩模板中的图案转移至所述负性光刻胶层30中。在一示例中，当所述第二曝光机台发出停机警报或者报错警报等警报时，则确认所述负性光刻胶层30中的所述待曝光区域未全部曝光。当所述第二曝光机台未发出所述警报时，则确认所述待曝光区域已全部曝光，此时，则可以将覆盖有所述负性光刻胶层30的所述晶圆21传输至下一流程(例如烘烤流程)。
54.在一些实施例中，对所述晶圆21上全部所述负性光刻胶层30进行补充曝光处理的具体步骤包括：
55.将所述晶圆21自所述第二曝光机台传输至所述第一曝光机台；
56.在所述第一曝光机台内，驱动所述晶圆21沿第一方向d1平移运动，并同时驱动所述晶圆21围绕沿第二方向d2延伸的轴线转动，以对全部所述负性光刻胶层30进行曝光处理，所述第一方向d1与所述第二方向d2垂直相交。
57.本具体实施方式在确认所述待曝光区域未全部曝光之后，将所述晶圆21自所述第二曝光机台传输至所述第一曝光机台，直接在所述第一曝光机台对所述待曝光区域进行补充曝光处理，而无需设置其他的补充曝光机台，有助于进一步节省光刻成本。
58.在一些实施例中，驱动所述晶圆21沿第一方向d1平移运动，并同时驱动所述晶圆21围绕沿第二方向d2延伸的轴线转动，以对全部所述负性光刻胶层30进行曝光处理的具体步骤包括：
59.于所述第一曝光机台中设置用于承载所述晶圆21的承载台20、以及位于所述承载台20外部的平移结构22，所述承载台20上方具有曝光光源25；
60.放置所述晶圆21至所述第一曝光机台内，使得所述晶圆21的一端位于所述承载台20上、另一端与所述平移结构22连接；
61.驱动所述承载台20旋转，并驱动所述平移结构22沿所述第一方向d1平移所述晶圆21。其中，沿所述第二方向d2延伸的轴线可以为穿过所述承载台20的承载面的中心且沿所述第二方向d2延伸的轴线，所述承载面用于承载所述晶圆21。
62.以下以所述第一曝光机台为晶圆边缘曝光机台为例进行说明。举例来说，如图2所示，所述第一曝光机台包括所述承载台20、位于所述承载台20上方的所述曝光光源25、位于所述曝光光源25与所述承载台20之间的透镜24、以及位于所述承载台20外部的所述平移结
构22。在将所述晶圆21转移至所述第一曝光机台内部之后，使得所述晶圆21的一端位于所述承载台20上、另一端位于所述承载台20的外部且与所述平移结构22连接。在一示例中，所述平移结构22沿所述第一方向d1位于所述承载部20的外部，所述第一方向d1平行于所述承载台20用于承载所述晶圆21的承载面，所述第二方向d2垂直于所述承载面。在对所述晶圆21上的所述负性光刻胶层30进行补充曝光的过程中，驱动所述承载台20自转，所述承载台20的转动带动位于所述承载台20上的所述晶圆21的转动；同时，所述平移结构22驱动所述晶圆21沿所述第一方向d1平移运动。所述曝光光源25朝向所述承载台20的方向发射光线，所述光线经过所述透镜24的聚焦、准直之后传输至所述承载台20上的所述晶圆21上的所述负性光刻胶层30，图2中的实线箭头表示所述曝光光源25发射的所述光线的传输方向。由于所述晶圆21中的所述负性光刻胶层30仅部分位于所述承载台20上，因此，在所述晶圆21沿所述第一方向d1平移的过程中，仅与所述承载台20上的所述承载面正对的部分所述负性光刻胶层30处于所述曝光光源25的照射范围内。随着所述晶圆21沿所述第一方向d1的平移，所述晶圆21中的所述负性光刻胶层30沿边缘指向中心的方向依次处于所述曝光光源25的照射范围内。随着所述平移结构22沿所述第一方向d1平移运动，且所述承载台20围绕沿所述第二方向d2延伸的轴线转动，从而能够逐步使得所述负性光刻胶层30全部都被所述曝光光源25曝光。例如，如图3所示，所述负性光刻胶层30中的第一区域31、第二区域32、第三区域33和第四区域34依次被曝光，其中，所述第三区域33环绕所述第四区域34的外周分布，所述第二区域32环绕所述第三区域33的外周分布，所述第一区域31环绕所述第二区域32的外周分布。以上是以所述负性光刻胶层30中分四个区域(即所述第一区域31、所述第二区域32、所述第三区域33和所述第四区域34)依次曝光为例进行说明，本领域技术人员可以根据需要任意调整依次曝光的区域的数量，例如根据所述平移结构22驱动所述晶圆21沿所述第一方向d1平移的具体方式确定。
63.在一示例中，所述平移结构22驱动所述晶圆21持续沿所述第一方向d1平移运动。在另一示例中，所述平移结构22驱动所述晶圆21间歇性的沿所述第一方向d1平移运动，即所述平移结构22驱动所述晶圆21沿所述第一方向d1平移一预设距离后，停止平移运动一预设时间，之后再驱动所述晶圆21沿所述第一方向d1平移一预设距离，如此往复，直至全部的所述负性光刻胶层30都能经过所述承载台20的正上方位置，从而进一步确保所述待曝光区域曝光的充分性。
64.在一些实施例中，在所述第一曝光机台对全部所述负性光刻胶层30进行补充曝光处理的具体步骤包括：
65.根据所述负性光刻胶层30的厚度，获取对全部所述负性光刻胶层30进行曝光所需要的能量；
66.根据所述能量获取所述曝光光源25的照射功率；
67.控制所述曝光光源25采用所述照射功率对所述负性光刻胶层30进行曝光处理。
68.举例来说，为了确保所述待曝光区域能够被充分的曝光，可以根据所述负性光刻胶层30的材料和厚度来计算使得所述负性光刻胶层30全部曝光所需要的能量j。由于所述负性光刻胶层30在所述第一曝光机台中沿所述第一方向d1平移运动且同时围绕沿所述第二方向d2延伸的所述轴线转动，通过所述平移结构22驱动所述晶圆21沿所述第一方向d1运动的速度和移动频率可以计算出所述负性光刻胶层30中的各个区域(例如所述第一区域
31、所述第二区域32、所述第三区域33和所述第四区域34)在所述曝光光源25的照射范围内(即所述承载台20的正上方)停留的时间s。接着，可以根据公式w＝j/s计算得到所述曝光光源25的照射功率w，以确保所述负性光刻胶层30中的所述待曝光区域能够被充分的曝光。在一示例中，所述曝光光源25为用于发射紫外光的汞灯。
69.在一示例中，还可以在所述第一曝光机台中设置光照传感器23，所述光照传感器23用于检测所述曝光光源25发射的光照强度，以便于根据检测到的光照强度和根据公式w＝j/s计算得到的照射功率w实时调整所述曝光光源25的光照强度，以进一步改善所述负性光刻胶层30的曝光效果。在一示例中，所述光照传感器23可以位于所述透镜24背离所述曝光光源25的一侧，例如位于所述承载台20的上或者位于所述承载台20下方。在一示例中，所述光照传感器23可以为ccd(charge-coupled device，电荷耦合器件)。
70.在一些实施例中，对所述待曝光区域进行补充曝光处理之后，还包括如下步骤：
71.对所述负性光刻胶层30进行加热处理，和/或对所述负性光刻胶层30进行显影处理。
72.具体来说，在所述第一曝光机台中对全部所述负性光刻胶层30进行补充曝光处理之后，可以对所述负性光刻胶层30进行烘烤等加热处理，以进一步促进所述待曝光区域的所述负性光刻胶层30的光酸反应，从而进一步改善光刻质量。
73.本具体实施方式还提供了一种晶圆的处理方法，附图4是本公开具体实施方式中晶圆的处理方法流程图。如图4所示，所述晶圆的处理方法，包括如下步骤：
74.步骤s41，提供晶圆21，所述晶圆21的整个上表面覆盖有负性光刻胶层30；
75.步骤s42，采用如上所述的曝光方法对所述负性光刻胶层30进行曝光处理，形成光阻层；
76.步骤s43，对所述光阻层进行灰化处理。
77.所述灰化处理，包括通入氧气，与所述光阻层进行反应。
78.具体来说，可以采用如图1-图3所示的曝光方法对所述晶圆21上的所述负性光刻胶层30进行曝光处理，以形成所述光阻层。由于对所述负性光刻胶层30中的待曝光区域未全部曝光时，对所述晶圆21上的全部所述负性光刻胶层30进行了补充曝光处理，从而使得全部的所述负性光刻胶层30能够充分曝光，从而形成所述光阻层。之后，对经过所述曝光方法形成的全部的所述光阻层进行显影和灰化处理，由于全部的所述负性光刻胶层30均进行了补充曝光处理，使得由所述负性光刻胶层30形成的所述光阻层在显影工序之后全部得以保留，从而避免了灰化过程中的氧气等灰化材料与所述晶圆21和/或者所述晶圆21上的所述半导体结构发生反应，从而避免灰化工艺对所述晶圆21和/或所述晶圆21上的所述半导体结构造成损伤。
79.本具体实施方式还提供了一种曝光装置，用于采用如上所述的曝光方法对所述晶圆21中的全部所述负性光刻胶层30进行补充曝光处理。本具体实施方式提供的曝光装置可以是采用如上所述的曝光方法对所述晶圆21上的全部所述负性光刻胶层30进行补充曝光处理的第一曝光机台，其结构参见图2。如图2所示，所述曝光装置包括：
80.承载台20，用于承载所述晶圆21，所述承载台20能够围绕沿第二方向延伸的轴线旋转；
81.平移结构22，位于所述承载台20的外部，用于驱动所述晶圆21沿水平方向平移运
动。
82.如图2所示，所述曝光装置包括所述承载台20、位于所述承载台20上方的曝光光源25、位于所述曝光光源25与所述承载台20之间的透镜24、以及位于所述承载台20外部的所述平移结构22。在将所述晶圆21转移至所述曝光装置内部之后，使得所述晶圆21的一端位于所述承载台20上、另一端位于所述承载台20的外部且与所述平移结构22连接。在一示例中，所述平移结构22沿所述第一方向d1位于所述承载部20的外部，所述第一方向d1平行于所述承载台20用于承载所述晶圆21的承载面，所述第二方向d2垂直于所述承载面。在对所述晶圆21上的所述负性光刻胶层30进行曝光的过程中，驱动所述承载台20自转，所述承载台20的转动带动位于所述承载台20上的所述晶圆21的转动；同时，所述平移结构22驱动所述晶圆21沿所述第一方向d1平移运动。所述曝光光源25朝向所述承载台20的方向发射光线，所述光线经过所述透镜24的聚焦、准直之后传输至所述承载台20上的所述晶圆21上，图2中的实线箭头表示所述曝光光源25发射的所述光线的传输方向。由于所述晶圆21中的所述负性光刻胶层30仅部分位于所述承载台20上，因此，在所述晶圆21沿所述第一方向d1平移的过程中，仅与所述承载台20上的所述承载面正对的部分所述负性光刻胶层30处于所述曝光光源25的照射范围内。随着所述晶圆21沿所述第一方向d1的平移，所述晶圆21中的全部所述负性光刻胶层30沿边缘指向中心的方向依次处于所述曝光光源25的照射范围内。
83.在一示例中，所述平移结构22驱动所述晶圆21持续沿所述第一方向d1平移运动。在另一示例中，所述平移结构22驱动所述晶圆21间歇性的沿所述第一方向d1平移运动，即所述平移结构22驱动所述晶圆21沿所述第一方向d1平移一预设距离后，停止平移运动一预设时间，之后再驱动所述晶圆21沿所述第一方向d1平移一预设距离，如此往复，直至全部的所述光阻层都能经过所述承载台20的正上方位置，从而进一步确保所述光阻层曝光的充分性。
84.在一示例中，所述曝光装置还包括控制器和存储器，所述存储器中存储有对所述负性光刻胶层30进行曝光所需要的能量j，所述控制器连接所述存储器和所述曝光光源，用于根据所述存储器中所述的所述能量调整所述曝光光源25的照射功率，以确保所述负性光刻胶层30能够被充分的曝光。在一示例中，可以根据所述光阻层的材料和厚度来计算使得所述负性光刻胶层30全部曝光所需要的能量j。通过所述平移结构22驱动所述晶圆21沿所述第一方向d1运动的速度和移动频率可以计算出所述负性光刻胶层30中的各个区域(例如所述第一区域31、所述第二区域32、所述第三区域33和所述第四区域34)在所述曝光光源25的照射范围内(即所述承载台20的正上方)停留的时间s。接着，可以根据公式w＝j/s计算得到所述曝光光源25的照射功率w。在一示例中，所述曝光光源25为用于发射紫外光的汞灯。
85.在一示例中，还可以在所述曝光装置中设置光照传感器23，所述光照传感器23用于检测所述曝光光源25发射的光照强度，以便于根据检测到的光照强度和根据公式w＝j/s计算得到的照射功率w实时调整所述曝光光源25的光照强度，以进一步改善所述负性光刻胶层30的曝光效果。在一示例中，所述光照传感器23可以位于所述透镜24背离所述曝光光源25的一侧，例如位于所述承载台20的上或者位于所述承载台20下方。在一示例中，所述光照传感器23可以为ccd(charge-coupled device，电荷耦合器件)。
86.为了进一步简化所述曝光装置的结构，并减小所述曝光装置的尺寸，在一些实施例中，所述平移结构22包括：
87.轨道，用于承载所述晶圆21；
88.步进式马达，连接所述轨道，用于驱动所述轨道沿水平方向平移运动。
89.举例来说，所述轨道沿所述第一方向d1延伸，所述晶圆21位于所述轨道上。所述步进式马达连接所述轨道，并驱动所述轨道沿所述第一方向d1平移运动，所述轨道的运动带动位于所述轨道上的所述晶圆21沿所述第一方向d1平移运动。
90.本具体实施方式一些实施例提供的曝光方法及曝光装置、晶圆的处理方法，通过在确认负性光刻胶层中的待曝光区域未全部曝光时，则对全部的所述负性光刻胶层进行补充曝光处理，避免包括未曝光或者曝光不充分的负性光刻胶层的半导体结构进入下一流程或者因负性光刻胶层未曝光或者曝光不充分而导致的半导体结构不能进行后续流程的问题，从而改善了半导体结构的性能，并提高了半导体结构的产率。
91.以上所述仅是本公开的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本公开原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。

技术特征：
1.一种曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：提供晶圆，所述晶圆的表面上覆盖有负性光刻胶层，所述负性光刻胶层中包括待曝光区域；对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理；判断所述待曝光区域是否全部曝光，若否，则对所述晶圆上全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理。2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述晶圆表面和所述负性光刻胶层之间有半导体结构。3.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理的具体步骤包括：对所述负性光刻胶层的边缘区域进行曝光处理；对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理。4.根据权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，在第一曝光机台中对所述负性光刻胶层的边缘区域进行曝光处理，且在第二曝光机台中对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理；判断所述待曝光区域是否全部曝光的具体步骤包括：判断所述第二曝光机台是否发出警报，若是，则确认所述待曝光区域未全部曝光。5.根据权利要求4所述的曝光方法，其特征在于，对所述晶圆上全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理的具体步骤包括：将所述晶圆自所述第二曝光机台传输至所述第一曝光机台；在所述第一曝光机台内，驱动所述晶圆沿第一方向平移运动，并同时驱动所述晶圆围绕沿第二方向延伸的轴线转动，以对全部所述负性光刻胶层进行曝光处理，所述第一方向与所述第二方向垂直相交。6.根据权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，驱动所述晶圆沿第一方向平移运动，并同时驱动所述晶圆围绕沿第二方向延伸的轴线转动，以对全部所述负性光刻胶层进行曝光处理的具体步骤包括：于所述第一曝光机台中设置用于承载所述晶圆的承载台、以及位于所述承载台外部的平移结构，所述承载台上方具有曝光光源；放置所述晶圆至所述第一曝光机台内，使得所述晶圆的一端位于所述承载台上、另一端与所述平移结构连接；驱动所述承载台旋转，并驱动所述平移结构沿所述第一方向平移所述晶圆。7.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于，在所述第一曝光机台对全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理的具体步骤包括：根据所述负性光刻胶层的厚度，获取对全部所述负性光刻胶层进行曝光所需要的能量；根据所述能量获取所述曝光光源的照射功率；控制所述曝光光源采用所述照射功率对全部所述负性光刻胶层进行曝光处理。8.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，对所述晶圆上全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理之后，还包括如下步骤：对所述负性光刻胶层进行加热处理，和/或对所述负性光刻胶层进行显影处理。
9.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供晶圆，所述晶圆的整个上表面覆盖有负性光刻胶层；采用如权利要求1所述的曝光方法对所述负性光刻胶层进行曝光处理，形成光阻层；对所述光阻层进行灰化处理。10.一种曝光装置，用于采用如权利要求1所述的曝光方法对所述晶圆中全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理，其特征在于，包括：承载台，用于承载所述晶圆，所述承载台能够围绕沿第二方向延伸的轴线旋转；平移结构，位于所述承载台的外部，用于驱动所述晶圆沿水平方向平移运动。

技术总结
本公开涉及一种半导体结构的曝光装置及曝光方法、晶圆的处理方法。所述曝光方法包括如下步骤：提供晶圆，所述晶圆的表面上覆盖有负性光刻胶层，所述负性光刻胶层中包括待曝光区域；对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理；判断所述待曝光区域是否全部曝光，若否，则对所述晶圆上全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理。本公开改善了半导体结构的性能，并提高了半导体结构的产率。并提高了半导体结构的产率。并提高了半导体结构的产率。


技术研发人员：周曙亮
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2023.06.14
技术公布日：2023/8/31