用于加工、尤其用于预分离扁平的基材的方法与流程

1.本发明涉及一种用于加工、尤其预分离扁平的基材、尤其玻璃基材的方法。


背景技术：

2.为了分离玻璃基材已知不同的方法，例如所谓的激光成丝。在此，在第一步骤中，借助超短脉冲激光器将限定的材料削弱部沿预先确定的分离线引入到材料中(预处理或预分离)。然后在第二步骤中，沿所产生的预损伤部分离基材(分开过程)，其中，这种材料分离可以例如由机械引起的拉应力触发。用于分离玻璃基材的另一种方法是划线和折断。在此，将材料在第一步骤中沿预先确定的分离线借助划轮、金刚石针或类似的工具刻痕(预分离)并且在第二步骤中沿分离线分离(分开过程)。
3.然而尤其在将该方法应用于薄玻璃(例如《100μm)时，会在此出现困难。因此，这可能是由于尤其具有与生产相关的滚边(borten)的薄玻璃在其热成型工艺之后受到由状态的“冻结”导致的内在的应力引起的。尤其，在薄的基材中和在较厚的滚边区域中的冷却速度的差异导致在冷却状态下应力的构建。这表现为玻璃基材的亚稳定的变形，使得基材在平坦的加工台上的玻璃基材产生波(“平整度”)。
4.为了针对例如借助激光成丝或划线处理实现足够的平整度，可以将玻璃基材拉伸并且平整地拉到底座上。然而，由于这种变形产生附加的应力，该应力根据原材料在高度上可能会如此高，使得超过了所加工网的分离线的强度并且分离线会不受控制地断裂。这例如可以在拆卸固定件时出现，其中材料中的应力重新分布并且在此拉应力碰到所处理的分离线上。
5.不受控制的断裂有时甚至可能导致待制造的基材的损坏。例如当主要的应力(第一主应力)超过断裂强度，但在几何形状上偏离所引入的预损坏定向时，可能不受控制地出现这样的断裂。由此，不受控制的断裂也可以延伸到最终产品的区域中。
6.所描述的困难尤其随着玻璃基材尺寸的增加变得更关键，因为在变形的平面拉伸时由热成型工艺产生的应力变得更大。


技术实现要素：

7.因此，本发明的目的是，给出一种用于加工、尤其预分离扁平的基材的方法，该方法避免了之前所述的困难，尤其能够实现薄玻璃基材的预分离，其中，基材沿预分离的分离线保持在一起，尤其不会不受控制地沿这些分离线破裂。当在基材中存在内部拉应力和/或存在滚边区域和/或基材具有相对大的面积，则优选也应当能够实现加工、尤其预分离。本发明的目的的另一方面是，提供一种装置以及必要时提供一种用于实施这种方法的合适的装置。
8.为了解决该目的，本发明公开了一种用于加工、尤其预分离扁平的基材、尤其玻璃基材的方法，其中，将基材放置到基材载体上，在作用区的区域内受到在基材载体的方向上作用的力，尤其使得基材在作用区的区域内更靠近基材载体，并且在补偿区的区域内不受
到在基材载体的方向上作用的力，尤其使得基材在补偿区的区域内可以形成暂时的变形。
9.通过使基材尤其在作用区的区域内而不是在补偿区的区域内张紧，可以局部地提高玻璃基材的平整度，使得能够实现例如借助激光成丝、划线或其它形式的加工。同时，在此在基材中出现的应力可以保持为小的，尤其保持为比在整面张紧的、即整体平面张紧的基材中小。其原因在于变形所需的能量明显更小并且因此也由于变形而出现的附加的应力明显更小。
10.原则上，局部受限的作用区可以设置在基材的任意位置上，并且作用区尤其也可以偏离基材被加工和/或出现局部提高的平整度的部位。
11.因此，例如可以仅在小的作用区中远离、尤其尽可能远地远离待处理的区来固定材料。然而，在借助激光加工的情况下，但通常也可以在加工区中由此实现的平整度有时还不足以例如借助激光在聚焦位置中处理玻璃片。
12.因此，在借助激光加工的情况下，但通常也可能适合的是，在处理区中或在处理区周围的足够小的区域中张紧玻璃片，使得其在该区中足够平坦地放置在基材载体上。
13.用于加工、尤其用于预分离扁平的基材的方法优选还包括基材在基材在作用区的区域内受到在基材载体的方向上作用的力时的基材的例如借助激光成丝、划线或通常任何类型的预分离的加工、尤其预分离。
14.根据本发明的方法特别适用于薄且大面积的基材，其中该基材可以具有使用面和废料面(例如滚边)。该基材优选包括或者由脆性材料构成，尤其具有内在的材料应力的脆性材料，例如玻璃、玻璃状材料、陶瓷或玻璃陶瓷。
15.优选地，基材在使用面的区域内具有小于100μm、优选小于70μm、特别优选小于50μm或小于40μm的厚度。
16.优选地，基材在废料面的区域内具有更大的厚度，尤其比在使用面的区域内的厚度大至少2倍、大至少3倍或大至少5倍的厚度。
17.废料面优选包括基材的沿基材的边缘延伸的边缘区域，特别优选地包括基材的两个相对置的、分别沿基材的边缘延伸的边缘区域，使用面位于边缘区域之间，其中基材的一个或两个相对置的边缘区域例如能够构造为滚边。
18.此外，废料面可以包括基材的一个或两个另外的分别沿与其垂直的边缘延伸的边缘区域，例如使得在四边形基材的情况下沿每个边缘设置一个待分离的边缘区域。
19.基材优选具有大于100mm、优选大于300mm、特别优选大于500mm、或大于600mm、或大于700mm的长度。长度尤其应理解为沿着滚边延伸的尺寸。
20.基材优选具有大于100mm、优选大于300mm、特别优选大于500mm、或者大于600mm、或者大于700mm的宽度。宽度尤其应理解为垂直于滚边延伸的尺寸。
21.总体上，基材可具有大于0.01m2、大于0.1m2或大于0.25m2的面积。
22.如已经描述的那样，在本发明的范围内基材不是整面地、而是仅局部地受力。在其内基材受到在基材载体的方向上作用的力的作用区尤其小于基材的面积的80％、优选小于基材的面积的60％、特别优选小于基材的面积的40％。
23.在其内基材不受在基材载体的方向上作用的力的补偿区尤其大于基材的面积的20％、优选大于基材的面积的40％、特别优选大于基材的面积的60％。
24.尤其在借助激光加工的情况下，但也通常适合的是，基材在加工区域中、在加工区
域的附近或者也在加工区域的周围受到力。在这种情况下，但也通常围绕待处理的区的宽度的横向特征根据特定于材料的应力凭经验确定或可确定。这些可以根据热成型工艺和材料而有很大不同。
25.例如可以规定，力在其内作用的作用区包括废料面的、尤其边缘区域的、尤其滚边的至少一部分以及基材的使用面的一部分。
26.优选地，作用区可以构造为条带，该条带尤其沿基材的长度延伸，尤其沿滚边延伸，其中，该条带具有优选小于基材宽度的50％、尤其优选小于基材宽度的40％或小于基材宽度的30％的宽度。
27.在本发明的一个示例性实施方式中，作用区例如也可以仅位于内侧上或仅位于外侧上，或者也可以在不同切口(400)的情况下提供组合。
28.根据本发明在作用区的区域内在基材载体的方向上作用的力(其例如引起玻璃片的局部固定)可以通过不同的机制产生，其中例如考虑真空、静电或力学，但也考虑力产生的其它形式。
29.在作用区的区域内在基材载体的方向上作用的力例如能够通过将负压施加到基材的朝向基材载体的表面上引起，尤其借助基材载体中的开口或基材载体的开放孔隙。该力也可以例如通过下压装置从上方施加到基材上。此外，力还可以由电气应力源(例如充电系统、电离系统)引起。
30.在作用区的区域内在基材载体的方向上作用的力也能够通过对基材和/或基材载体进行静电充电引起。
31.在作用区的区域内在基材载体的方向上作用的力还能够通过将基材机械地按压或牵拉到基材载体上引起。
32.一般而言，因此在基材载体的方向上作用的、基材在作用区的区域内所经受的力在物理意义上尤其可以是与面积相关的力(“压力”或“面积力”)。
33.与力在作用区的区域内如何引起无关地，基材的平整度可以被提高，尤其在作用区的区域内，但是原则上也在作用区的外部。同时，由于作用区的局部限制，在基材中出现的应力可以保持得较小，尤其保持得比在整体张紧的基材中更小。
34.在基材在作用区的区域内经受在基材载体的方向上作用的力期间，在作用区的区域内在基材载体与基材之间的最大间距可以小于5mm、优选小于3mm、尤其优选小于1mm。
35.如此产生的状态可以称为双稳态。示例性提到的数值仅能局部地给出。此外，该间距有时可以取决于材料厚度和/或初始的材料应力。在一个示例中，所提及的数值可以例如在具有小于100μm、尤其小于70μm或也小于50μm的厚度的基材的情况下给出。在一个示例中，这些数值可以在无需进一步的外部作用的情况下在支承平面上方点式地具有大于4mm的隆起部的基材的情况下产生。
36.此外，在基材在作用区的区域内经受在基材载体的方向上作用的力期间，在基材中的最大拉应力、尤其包括作用区以及补偿区的最大拉应力可以小于50mpa、优选小于30mpa、特别优选小于20mpa。
37.此外，当基材在作用区的区域内经受力期间，在基材中的作用区的区域内的最大拉应力可以小于33mpa、优选小于20mpa、特别优选小于15mpa。
38.与之前所谓的拉应力相比，在一个示例中，在基材被完全扁平地牵拉的情况下，在
边缘区域中可以形成高达100mpa或在100mpa范围内的拉应力。
39.之前给出的以mpa为单位的值可以例如借助模拟来确定。通过区域性的张紧，应力能够更强地迁移到边缘上。
40.如已经描述的那样，根据本发明的用于加工、尤其用于预分离扁平的基材的方法优选也包括在基材在作用区的区域内经受力期间加工、尤其预分离基材。
41.优选地，将基材沿预先确定的分离线进行加工、尤其预分离，该分离线可以至少部分地、亦或主要在作用区之内延伸。
42.所述预先确定的分离线优选沿基材的长度、尤其沿滚边延伸，其中，该分离线尤其将废料面与使用面分离，使得可分离废料面并且可从使用面中制造作为最终产品的玻璃基材。
43.原则上，分离线可以直线延伸、弯曲延伸和/或也可以设置多个彼此交叉的分离线。尤其在分离线交叉的情况下，可以设定顺序处理。
44.基材的加工、尤其预分离优选包括将激光辐射引入到基材中、尤其在作用区的区域内。在此，尤其可以将沿预先确定的分离线彼此间隔开的损伤部引入到基材中，其中损伤部优选构造为丝状损伤部并且特别优选地利用超短脉冲激光器的脉冲激光辐射产生。
45.基材的加工、尤其预分离一般可以包括将每种类型的预损伤部引入到尤其在作用区的区域内的基材中。在此，尤其可以沿预先确定的分离线将损伤部引入到基材中，其中该损伤部例如可以借助激光、借助划轮、借助针(例如金刚石针)或其它用于加工基材的工具来进行。
46.在其内基材经受在基材载体的方向上作用的力的作用区尤其能够构造为沿第一滚边的条带，并且基材的预分离所沿的预先确定的分离线在滚边旁边延伸，尤其沿基材的整个长度延伸，使得滚边可沿分离线分离。
47.根据本发明的方法的优点在于，整体的应力保持很小，从而也可以通过玻璃边缘实现对基材的预损伤。与此相对地，试验显示在整面固定的情况下，预先损坏部位通常不能被引入到玻璃边缘上，而是需要足够的距离，以便不发生不受控制的分离。其原因是，由于平面牵拉大空间波长的主要变形(穹顶、碗、鞍)而在基材边缘处出现的拉应力这样高，使得它们经常超过预损坏的断裂强度。
48.在一个进一步改进方案中，也可以设置不同的可组合的作用区，其根据过程可以局部地夹紧和/或平坦地固定特定的区域。
49.优选地，例如可以设置有第二作用区，其构造为沿与第一滚边相对置的第二滚边的条带，并且可以设置预先确定的第二分离线，其在第二滚边附近延伸，尤其沿基材的整个长度延伸，使得第二滚边可以沿分离线分离。
50.此外，也可以设置有第三和必要时第四作用区，它们例如分别构造为沿垂直于滚边延伸的边缘区域的条带，并且设置有预先确定的第三和必要时第四分离线，它们分别在基材的边缘附近延伸，使得相应的边缘区域可以沿分离线分离。
51.在多个作用区的情况下，力作用可以在多个作用区之内在时间上依次进行。在力作用在确定的作用区之内进行期间，优选沿相关的、即尤其延伸穿过该作用区的分离线进行预分离。此外可以规定，力作用在多个作用区的多个组的作用区之内同时进行并且在各组的作用区之间在时间上依次进行。例如可以规定，这些区“重叠”，即可以按时间顺序这样
激活，使得例如多个区同时激活(例如第一区和第二区，并且然后第三区和第四区)。
52.用于加工、尤其用于预分离扁平的基材的方法此外也可以包括在预分离之后的分离步骤。该方法例如可以在具有多个加工站的加工设备中实施，其中，一个加工站设计用于预分离并且另一个加工站设计用于分离。
53.尤其，在基材沿所设置的一个或多个预分离的分离线进行预分离之后(例如在设计用于预分离的加工站中进行)，基材沿所设置的一个或多个预分离的分离线进行分离(例如在设计用于分离的加工站中进行)。
54.在分离期间，基材又能够优选经受在基材载体的方向上作用的力，其中，该力尤其能够在使用面的区域内作用。
55.此外，在基材沿所设置的一个或多个分离线进行预分离(例如在设计用于预分离的加工站中进行)之前，能够将基材放置到基材载体上(尤其在设计用于放置的加工站中进行)。
56.在放置期间，基材也能够经受在基材载体的方向上作用的力，所述力例如可以在使用面的区域内并且也在废料面的区域内作用，其中，力尤其首先在使用面的区域内作用并且然后在废料面的区域内作用，以便将基材从内向外放置到基材载体上。
57.不同的加工站可以在空间上彼此分开地构造，例如在加工设备中在空间上并排地布置。
58.该基材载体可以尤其构造成可运动的并且例如在该方法期间从一个加工站运动到下一个加工站。该基材载体例如可以在一个设备内是可运动的。该基材载体也可以构造成可运输的，例如使得基材载体能够在各站或各设备之间运输(例如经由辊道、机器人和/或无人驾驶运输系统)
59.本发明还涉及一种用于尤其利用如上所述的方法放置扁平的基材以加工基材的基材载体。
60.基材载体具有用于将所放置的基材在作用区之内经受在基材载体的方向上作用的力的机构。该机构例如构造为基材载体中的开口或构造为基材载体的开放孔隙，以便将负压施加到放置在基材载体上的基材上。
61.在基材载体中的开口的情况下，其例如能够具有0.5mm至12mm之间、优选1mm至6mm之间的直径。这些开口例如能够构造为圆柱形的或大致圆柱形的通道。在开放孔隙的情况下，其可以由粉末冶金工艺产生。
62.一般而言，用于施加力的机构能够优选构造成确保局部施加力。例如可以规定，张紧系统(例如真空或真空系统)的结构可以足够好地局部构造。优选地，在此排除或尽可能地避免串扰到其它区上。在真空的情况下，这有时可以通过开口的小的直径来促进。
63.基材载体原则上可以包括不同的材料或者由其构成，例如包括塑料或陶瓷或者由其构成。
64.基材载体优选构造成可运动的和/或可运输的，以便能够连同所放置的基材一起运动，尤其从一个加工站运动到下一个加工站和/或在各设备之间运动。
65.在一个示例性的实施方式中，基材载体包括作用区域，在该作用区域区之内布置有用于施加力的机构，其中，作用区域小于基材载体的面积的80％、优选小于基材载体的面积的60％、特别优选小于基材载体的面积的40％，和/或包括补偿区域，在该补偿区域之内
没有布置用于施加力的机构，其中，补偿区域大于基材载体的面积的20％、优选大于基材载体的面积的40％、特别优选大于基材载体的面积的60％。
66.作用区也可以小于基材载体的面的70％或者小于基材载体的面的30％。
67.作用区域例如可以构造为条带，该条带尤其具有如下宽度，该宽度小于基材载体的宽度的50％、尤其优选小于基材载体的宽度的40％或者小于基材载体的宽度的30％。此外，基材载体优选能够包括第二作用区域，该第二作用区域特别优选平行于所述第一作用区域延伸并且此外优选包括第三作用区域以及必要时第四作用区域，它们特别优选垂直于所述第一或第二作用区域延伸。
68.构造为条带的作用区域也可以具有小于基材载体的宽度的70％的宽度。
69.本发明还涉及一种用于加工、尤其预分离和/或分离放置在基材载体上的扁平的基材、尤其玻璃基材的加工设备。
70.该加工设备包括设计用于预分离的加工站，以便沿预先确定的分离线预分离放置在基材载体上的扁平的基材，例如包括超短脉冲激光器，以便将沿预先确定的分离线彼此间隔开的损伤部引入到基材中，或者例如将划轮或例如针引入到基材中，以便沿分离线将损伤部刻入到基材中。
71.设计用于预分离的加工站优选包括用于引起力的机构，以便使放置到基材载体上的基材在作用区之内经受在基材载体的方向上作用的力，其中该机构例如构造为低压源，以便将低压施加到基材载体中的开口上或施加到基材载体的开放孔隙上，或者例如构造为下压装置或例如构造为电气应力源。
72.此外，加工设备优选包括设计用于分离的加工站，以便将放置在基材载体上的扁平的基材在沿所设置的分离线预分离之后分离。
73.设计用于分离的加工站又优选包括用于引起力的机构，以便使放置到基材载体上的基材经受在基材载体的方向上作用的力，其中力尤其在基材的使用面的区域内作用，其中该机构尤其构造为负压源，以便将负压施加到基材载体中的开口上或施加到基材载体的开放孔隙上，或者例如构造为下压装置或例如构造为电气应力源。
74.此外，加工设备优选包括设置用于放置的加工站，以便将放置在基材载体上的扁平的基材在预分离之前放置到基材载体上。
75.设计用于放置的加工站优选包括用于引起力的机构，以便使放置到基材载体上的基材经受在基材载体的方向上作用的力，其中力尤其在基材的使用面的区域内以及废料面的区域内作用，以便将基材从内向外放置到基材载体上，其中该机构尤其构造为负压源，以便将负压施加到基材载体中的开口上或施加到基材载体的开放孔隙上，或者例如构造为下压装置或例如构造为电气应力源。
76.基材载体可以在该设备中从加工工位传递到加工工位。因此，加工设备优选包括基材载体输送装置，以便使基材载体连同所放置的基材从一个加工站运动至下一个加工站。
77.原则上，每个加工站可以具有低压源、下压装置和/或应力源，以便在相应的作用区之内引起力。可以规定，在运输基材载体期间不施加力。
78.另一方面，也可以规定，在基材载体的运动期间或在基材载体的运输期间保持力。例如，基材载体包括负压源，使得例如也在基材载体传递期间存在负压。在这种情况下，例
如基材可以通过多个工作站保持固定。因此，张紧技术原则上也可以在运输期间被保持，也就是例如在两个加工站之间的过渡期间。
79.最后，本发明还涉及一种基材，尤其利用如上所述的方法可制造的或被制造的基材。该基材优选包括脆性材料，尤其具有内在的材料应力的脆性材料，例如玻璃、玻璃状材料、陶瓷或玻璃陶瓷，或者由这样的材料构成。
80.该基材具有小于100μm的厚度、优选小于70μm、特别优选小于50μm或小于40μm的厚度，以及大于0.01m2、优选大于0.1m2、特别优选大于0.25m2的面积。
81.此外，基材具有至少一个基材边缘，该基材边缘通过分离由预分离产生的所设置的分离线来制造，尤其通过分离借助激光器、划轮或针产生的所设置的分离线来制造。在借助激光器产生分离线的情况下，基材可以具有彼此间隔开的丝状损伤部，其沿基材的至少一个边缘并排地布置。
附图说明
82.下面借助附图详细解释本发明。附图示出：
83.图1示出了玻璃基材的俯视图，
84.图2示出了基材载体上的玻璃基材的侧向剖视图，
85.图3示出了具有作用区和所设置的分离线的玻璃基材的俯视图。
具体实施方式
86.图1示出了具有使用面120以及废料面140的基材100的俯视图。废料面140包括基材的两个相对置的、分别沿基材100的边缘延伸的边缘区域，使用面120位于这两个边缘区域之间。基材的两个相对置的边缘区域在该情况下构造为基材100的相对置的滚边。
87.图2示出了基材100的侧向剖视图，该基材在该示例中构造为薄玻璃。基材100在使用面120的区域内具有例如小于100μm的厚度。然而，在该示例中包括两个相对置的滚边的废料面140的区域内，基材然而具有更大的厚度。
88.为了加工基材100、尤其为了预分离，将基材放置到基材载体500上。通常希望以限定的方式分离薄的扁平的玻璃基材，即例如分离两个相对置的滚边。由于基材100中的内在的应力，基材100不是平坦地安置在基材载体500上，而是相对于基材载体具有局部不同的间距，该内在的应力例如在制造时可能由基材100在使用面120的区域内和在较厚的废料面140的区域内的不同冷却速度引起。
89.为了克服这种情况，原则上可行的是，例如通过扁平的真空系统引起在基材载体500的方向上整面地作用到基材100上的力，以便实现用于处理的足够的平整度。然而，这具有如下缺点：在基材100中形成附加的应力，该应力使安全的处理、尤其基材100的受控制的预分离变得困难或被阻碍。
90.图3示出了基材100的俯视图，其中，基材100在局部受限的作用区200(借助虚线限定的区域)的区域内经受在位于其下的基材载体500的方向上作用的力。在尤其包括基材的中心的补偿区300的区域内，基材100不经受在基材载体500的方向上作用的力。
91.基材100的加工、尤其预分离沿预先确定的分离线400进行，该分离线在所示出的示例中分别延伸穿过作用区200中的一个或者甚至主要地或完全地位于作用区200中。在所
示的示例中，一方面设置两个相对置的作用区200，它们作为条带沿长度l延伸并且部分地包括使用面120的区域以及部分地包括废料面140的区域。另一方面，还设置有两个垂直于其延伸的作用区200。
92.在力在作用区200之内作用期间，现在可以沿相应的分离线400进行预分离。不同区域的处理可以同时或相继地进行。
93.令人惊讶地发现，通过使基材100在分离线400中或围绕分离线400的足够小的作用区200中更靠近基材载体500，使得基材在作用区200中足够平坦地置于基材载体500上，能够沿分离线400良好地实现基材的足够的平整度。
94.然而根据框架条件原则上也可以设置如下作用区200，该作用区位于与相关的分离线400不同的其它位置处。例如，也可设想，将基材仅固定在小的区中、尽可能远离待处理的区。然而，根据基材的内在的应力和特性，这可能导致在待处理的区中不再实现用于处理的足够的平整度，例如以便利用处于聚焦位置的激光器来处理玻璃片。因此，在这种情况下，在作用区200附近或在作用区200之内的分离线400是有利的。
95.基材100的一个示例性的实施方式涉及具有小于100μm、尤其小于70μm、例如40μm或小于40μm的厚度的薄玻璃。作用区200例如可以具有围绕分离线(加工区)的至少10mm、优选至少20mm、例如30mm(+/-15mm)或大于30mm的宽度。分离线400例如可以以距玻璃边缘(滚边)50mm的间距延伸并且例如通过ukp激光器借助穿孔来形成。本发明能够以有利的方式实现使基材张紧、加工并且又再次松弛，而即使在分离线400达到直至玻璃边缘的情况下，预损伤部也不会不受控制地破裂。在对比示例中，在设定相同的情况下利用整面的应力(也就是说当基材整面平坦地固定时)使所有基材在松弛过程中不受控制地断裂。本发明适用于许多基材，例如脆性材料，尤其具有内在的材料应力的那些，例如玻璃基材或玻璃状基材，例如技术和光学玻璃或陶瓷或玻璃陶瓷。

技术特征：
1.一种用于加工、尤其预分离扁平的基材(100)、尤其玻璃基材的方法，其中，将基材(100)放置到基材载体(500)上，并且其中，所述基材(100)在作用区(200)的区域内经受在所述基材载体(500)的方向上作用的力，尤其使得所述基材在所述作用区(200)的区域内更靠近所述基材载体，并且其中，所述基材(100)在补偿区(300)的区域内不经受在所述基材载体(500)的方向上作用的力，尤其使得所述基材在所述补偿区(300)的区域内能够形成暂时的变形，其中，优选地进行对所述基材的加工、尤其预分离，此时所述基材(100)在所述作用区(200)的区域内经受在所述基材载体(500)的方向上作用的力。2.根据前述权利要求所述的用于加工基材的方法，其中，所述基材(100)在使用面(120)的区域内具有小于100μm、优选小于70μm、特别优选小于50μm或小于40μm的厚度，和/或其中，所述基材(100)在废料面(140)的区域内具有更大的厚度，特别其厚度比在使用面的区域内的厚度至少大2倍、至少大3倍或至少大5倍，其中，所述废料面(140)优选包括所述基材的沿所述基材的边缘延伸的边缘区域，特别优选包括所述基材的两个相对置的、分别沿所述基材的边缘延伸的边缘区域，所述使用面(120)位于所述边缘区域之间，其中，所述基材的一个或两个相对置的边缘区域优选构造成滚边，其中，所述废料面(140)优选包括所述基材的一个或两个另外的分别沿与其垂直的边缘延伸的边缘区域。3.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，所述基材具有尤其大于100mm、优选大于300mm、特别优选大于500mm、或大于600mm、或大于700mm的长度，其中，所述长度尤其沿所述滚边延伸，和/或其中，所述基材具有尤其大于100mm、优选大于300mm、特别优选大于500mm、或大于600mm、或大于700mm的宽度，其中，所述宽度尤其垂直于所述滚边延伸，和/或其中，所述基材具有大于0.01m2、优选大于0.1m2、特别优选大于0.25m2的面积。4.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，所述基材在其内经受在基材载体的方向上起作用的力的所述作用区(200)小于所述基材的面积的80％、优选小于所述基材的面积的60％、特别优选小于所述基材的面积的40％，和/或其中，所述基材在其内不经受在基材载体的方向上起作用的力的所述补偿区(300)大于所述基材的面积的20％、优选大于所述基材的面积的40％、特别优选大于所述基材的面积的60％，和/或其中，所述作用区(200)包括所述废料面(140)、尤其边缘区域、尤其滚边的至少一部分以及所述使用面(120)的一部分，和/或其中，所述作用区(200)构造为条带，该条带尤其沿所述基材的长度延伸、尤其沿滚边延伸，其中，该条带具有优选小于所述基材宽度的50％、尤其优选小于所述基材宽度的40％或小于所述基材宽度的30％的宽度。5.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，在所述作用区(200)的区域内在所述基材载体的方向上作用的力通过将负压施
加到所述基材的朝向基材载体的表面上引起，尤其借助所述基材载体中的开口或所述基材载体的开放孔隙，和/或其中，在所述作用区(200)的区域内在所述基材载体的方向上作用的力通过对所述基材和/或所述基材载体进行静电充电引起，和/或其中，在所述作用区(200)的区域内在所述基材载体的方向上作用的力通过将所述基材机械地按压或牵拉到所述基材载体上引起。6.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，在所述基材在所述作用区(200)的区域内经受在所述基材载体的方向上作用的力期间：在所述作用区的区域内在所述基材载体(500)与所述基材(100)之间的最大间距小于5mm、优选小于3mm、尤其优选小于1mm，和/或在所述基材中的最大拉应力小于50mpa、优选小于30mpa、特别优选小于20mpa，和/或在所述基材中的作用区(200)的区域内的最大拉应力小于33mpa、优选小于20mpa、特别优选小于15mpa。7.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，将所述基材沿预先确定的分离线(400)进行加工、尤其预分离，所述分离线至少部分地、优选主要在所述作用区(200)之内延伸，其中，所述预先确定的分离线(400)优选沿所述基材的长度、尤其沿滚边延伸，尤其使得该分离线将所述废料面与所述使用面分离，和/或其中，所述基材的加工、尤其预分离包括将激光辐射引入到在所述作用区的区域内的基材中，其中，尤其依次沿预先确定的分离线将彼此间隔开的损伤部引入到所述基材中，其中，所述损伤部优选构造为丝状损伤部并且特别优选地利用超短脉冲激光的脉冲激光辐射产生，和/或其中，所述基材的加工、尤其预分离包括将损伤部引入到在作用区的区域内的基材中，该作用区优选沿预先确定的分离线延伸并且特别优选地利用划轮或针产生。8.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，所述基材在其内经受在所述基材载体的方向上作用的力的所述作用区(200)构造为沿第一滚边的条带，并且所述基材的预分离所沿的预先确定的分离线在滚边旁边延伸、尤其沿所述基材的整个长度延伸，使得所述滚边可沿所述分离线分离，并且其中，优选设置有第二作用区(200)，其构造为沿与所述第一滚边相对置的第二滚边的条带，并且设置有预先确定的第二分离线，其在所述第二滚边附近延伸、尤其沿基材的整个长度延伸，使得所述第二滚边可沿分离线分离，并且其中，优选设置有第三和必要时第四作用区(200)，它们分别构造为沿垂直于滚边延伸的边缘区域的条带，并且设置有预先确定的第三和必要时第四分离线，它们分别在所述基材的边缘附近延伸，使得相应的边缘区域可以沿所述分离线分离。9.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，在所述多个作用区(200)之内的力作用在时间上依次进行，并且其中，优选在力作用在确定的作用区(200)之内进行期间，沿所属的分离线(400)进行
预分离，并且其中，优选力作用在所述多个作用区(200)的多个组的作用区之内同时并且在各组的作用区之间在时间上依次进行。10.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，在所述基材沿所设置的一个或多个分离线(400)尤其在设计用于预分离的加工站中进行预分离之后，所述基材沿所设置的一个或多个分离线(400)尤其在设计用于分离的加工站中进行分离，其中，优选所述基材在分离期间经受在基材载体的方向上作用的力，其中，所述力尤其在使用面的区域内作用。11.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，在所述基材沿所设置的一个或多个分离线(400)尤其在设计用于预分离的加工站中进行预分离之前，将所述基材尤其在设计用于分离的加工站中放置到所述基材载体上，其中，优选所述基材在放置期间经受在所述基材载体的方向上作用的力，所述力尤其在使用面的区域内并且在废料面的区域内作用，尤其首先在使用面的区域内作用并且然后在废料面的区域内作用，以便将所述基材从内向外放置到所述基材载体上。12.根据前述权利要求中任一项所述的用于加工基材的方法，其中，所述加工站、尤其设计用于放置的加工站、设计用于预分离的加工站和/或设计用于分离的加工站在空间上彼此分开地构造，尤其在加工设备中在空间上并排地布置，并且其中，所述基材载体构造成可运动的并且在该方法期间从一个加工站运动到下一个加工站。13.一种基材载体，用于尤其利用根据前述权利要求中任一项所述的方法放置扁平的基材，以便加工基材，其中，所述基材载体(500)具有用于将所放置的基材在作用区之内经受在所述基材载体的方向上作用的力的机构，其中，该机构优选构造为所述基材载体中的开口或构造为所述基材载体的开放孔隙，以便将负压施加到所放置的基材上，其中，所述基材载体(500)优选构造成可运动的，以便能够连同所放置的基材一起运动。14.根据前述权利要求所述的基材载体，其中，所述基材载体(500)包括作用区域，在该作用区域区之内布置有用于施加力的机构，其中，所述作用区域小于所述基材载体的面积的80％、优选小于所述基材载体的面积的60％、特别优选小于所述基材载体的面积的40％，和/或其中，所述基材载体(500)包括补偿区域，在该补偿区域之内不布置用于施加力的机构，其中，所述补偿区域大于所述基材载体的面积的20％、优选大于所述基材载体的面积的40％、特别优选大于所述基材载体的面积的60％，和/或其中，所述作用区域例如可以构造为条带，该条带尤其具有如下宽度，该宽度小于基材载体的宽度的50％、尤其优选小于基材载体的宽度的40％或者小于基材载体的宽度的30％，和/或
其中，所述基材载体优选包括第二作用区域，该第二作用区域特别优选平行于所述第一作用区域延伸，并且所述基材载体优选还包括第三作用区域以及必要时第四作用区域，它们特别优选垂直于所述第一或第二作用区域延伸。15.一种加工设备，用于加工、尤其预分离和/或分离放置在基材载体(500)上的扁平的基材(100)、尤其玻璃基材，其包括：设计用于预分离的加工站，以便沿预先确定的分离线预分离放置在基材载体上的扁平的基材，其中，设计用于预分离的加工站优选包括用于引起力的机构，以便使放置到基材载体上的基材在作用区之内经受在基材载体的方向上作用的力，优选还包括设计用于分离的加工站，以便将放置在基材载体上的扁平的基材在沿所设置的分离线预分离之后分离，其中，设计用于分离的加工站优选包括用于引起力的机构，以便使放置到基材载体上的基材经受在基材载体的方向上作用的力，其中，所述力尤其在所述基材的使用面的区域内作用，优选还包括设计用于放置的加工站，以便将放置在基材载体上的扁平的基材在预分离之前放置到所述基材载体上，其中，设计用于放置的加工站优选包括用于引起力的机构，以便使放置到基材载体上的基材经受在基材载体的方向上作用的力，其中，所述力尤其在所述基材的使用面的区域内以及废料面的区域内作用，以便将基材从内向外放置到所述基材载体上，并且优选还包括基材载体输送装置，以便使基材载体连同所放置的基材从一个加工站运动至下一个加工站。16.一种基材、尤其利用根据权利要求1至13中任一项所述的方法可制造的或被制造的基材，其包括：小于100μm、优选小于70μm、特别优选小于50μm或小于40μm的厚度，以及大于0.01m2、优选大于0.1m2或特别优选大于0.25m2的面积，以及至少一个基材边缘，所述基材边缘通过分离由预分离产生的所设置的分离线来制造，尤其通过分离借助激光器、划轮或针产生的所设置的分离线来制造。

技术总结
本发明涉及一种用于加工、尤其预分离扁平的基材、尤其玻璃基材的方法，其中，将所述基材放置到基材载体上并且在作用区的区域内经受在该基材载体的方向上作用的力，然而在补偿区的区域内不经受在该基材载体的方向上作用的力，并且其中，优选进行对所述基材的预分离，而所述基材在所述作用区的区域内经受在所述基材载体的方向上作用的力，以及涉及一种用于放置扁平的基材的基材载体、一种用于加工放置在基材载体上的基材的加工设备以及一种可按上述方法制造的基材。述方法制造的基材。述方法制造的基材。


技术研发人员：普拉珀 M
受保护的技术使用者：肖特股份有限公司
技术研发日：2021.11.04
技术公布日：2023/8/31