微器件基板及制作方法、显示面板及显示装置、转移方法与流程

1.本技术涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种微器件基板及制作方法、显示面板及显示装置、转移方法。


背景技术：

2.发光二极管(led)显示面板在诸多设备中越来越多地被使用，尤其是微型发光二极管显示面板。在制作发光二极管显示面板的过程中，通常会需要将发光二极管与转移基板连接，以完成转移过程。一般会使用激光释放胶来将发光二极管具有电极的一侧与临时基板粘接。在发光二极管与转移基板连接后，需要除去激光释放胶，使发光二极管的电极暴露，以连接阵列基板。但激光释放胶总会存留在发光二极管的电极上，影响发光二极管与阵列基板的键合。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供了一种微器件基板及制作方法、显示面板及显示装置、转移方法，能够将剥离单元除去，并留下部分的保护单元来保护发光二极管的电极。
4.第一方面，提供一种微器件基板，包括：第一基板；剥离单元，设置于第一基板的一侧表面；发光二极管组件，至少部分的发光二极管组件位于剥离单元背离第一基板的一侧，发光二极管组件包括发光二极管和保护单元；发光二极管包括相背设置的出光侧和背光侧；背光侧朝向第一基板；保护单元覆盖于发光二极管的背光侧，且至少部分发光二极管和至少部分的保护单元伸入剥离单元。
5.第二方面，提供一种显示面板，包括：阵列基板，包括多个电极组件，电极组件包括第一键合电极；多个发光二极管，发光二极管包括半导体叠层和第一电极，第一电极位于半导体叠层朝向阵列基板的一侧第一电极与第一键合电极电连接；多个保护单元，保护单元设置于半导体叠层朝向阵列基板的一侧，第一电极穿过保护单元。
6.第三方面，提供一种显示装置，包括本技术第二方面实施例的显示面板。
7.第四方面，提供一种微器件基板的制作方法，包括：提供生长基板，在生长基板上制备发光二极管，发光二极管包括半导体叠层和第一电极，第一电极位于半导体叠层背离生长基板一侧；形成第一区域和第二区域，在生长基板所在平面，第一区域的正投影与发光二极管的正投影间隔设置，发光二极管的正投影位于第二区域的正投影内；在生长基板朝向发光二极管的一侧制备光阻层，并进行图案化处理，除去光阻层中位于第二区域的部分；在光阻层背离生长基板的一侧制备保护膜层，保护膜层覆盖光阻层、发光二极管；对光阻层和保护膜层进行曝光处理；除去光阻层位于第一区域的部分；除去保护膜层中位于第一区域的部分，形成保护单元，使保护单元包覆至少部分的第一电极，并使保护单元覆盖半导体叠层背离生长基板的表面；提供第一基板，在第一基板上制作剥离层；连接保护单元与剥离层，使第一电极和保护单元伸入剥离层，分离发光二极管与生长基板分离；刻蚀剥离层，形成剥离单元；在第一基板所在平面，剥离单元的正投影与保护单元的正投影至少部分交叠，
获得微器件基板。
8.第五方面，提供一种发光二极管转移方法，包括：提供微器件基板，微器件基板包括：第一基板、剥离单元和发光二极管组件；剥离单元设置于第一基板的一侧表面；至少部分的发光二极管组件位于剥离单元背离第一基板的一侧，剥离单元，发光二极管组件包括发光二极管和保护单元；发光二极管包括相背设置的出光侧和背光侧；背光侧朝向第一基板；保护单元覆盖于发光二极管的背光侧；发光二极管包括半导体叠层和第一电极，第一电极位于半导体叠层朝向第一基板的一侧，至少部分第一电极和至少部分的保护单元伸入剥离单元；提供第二基板，连接发光二极管与第二基板，分离剥离单元与第一基板；除去剥离单元和部分的保护单元；剩余的保护单元覆盖半导体叠层背离第二基板的表面，第一电极相对保护单元暴露；提供阵列基板，将第一电极和阵列基板电连接，分离发光二极管与第二基板。
9.本技术实施例提供了一种微器件基板及制作方法、显示面板及显示装置、转移方法，微器件基板中，发光二极管组件的保护单元覆盖发光二极管的背光侧，发光二极管和保护单元都伸入到剥离单元中，使得保护单元将发光二极管与剥离单元隔开。在发光二极管与转移基板(第二基板)连接后，可以直接对保护单元进行清理，与保护单元连接的剥离单元可以被完全清理掉，而剩下的保护单元，可以用来保护发光二极管。
附图说明
10.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
11.图1为相关技术中微器件基板的一种结构示意图。
12.图2为本技术实施例的微器件基板的一种结构示意图。
13.图3为本技术实施例的微器件基板的另一种结构示意图。
14.图4为本技术实施例的微器件基板的另一种结构示意图。
15.图5为本技术实施例的微器件基板的另一种结构示意图。
16.图6为图3中的本技术实施例的微器件基板的b区域的局部放大图。
17.图7为本技术实施例的显示面板的一种结构示意图。
18.图8为本技术实施例的显示面板的另一种结构示意图。
19.图9为本技术实施例的显示面板的另一种结构示意图。
20.图10为图7中的本技术实施例的显示面板的c区域的局部放大图。
21.图11为图7中的本技术实施例的显示面板的c区域的局部放大图。
22.图12为本技术实施例的显示装置的一种结构示意图。
23.图13为本技术实施例的微器件基板的制作方法的一种流程图。
24.图14为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.1的一种结构示意图。
25.图15为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.1中第一区域和第二区域的一种结构示意图。
26.图16为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.2的一种结构示意图。
27.图17为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.3的一种结构示意图。
28.图18为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.4的一种结构示意图。
29.图19为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.6的一种结构示意图。
30.图20为本技术实施例的发光二极管转移方法的一种流程图。
31.图21为本技术实施例的发光二极管转移方法的步骤s2的一种结构示意图。
32.图22为本技术实施例的发光二极管转移方法的步骤s3的一种结构示意图。
33.图23为本技术实施例的发光二极管转移方法的步骤s4的一种结构示意图。
34.附图标记：
35.1、第一基板；11、剥离层；
36.2、剥离单元；21、第一表面；
37.3、发光二极管；31、背光侧；32、出光侧；33、半导体叠层；331、第二表面；332、第三表面；333、侧面；334、外延层；335、n型氮化镓层；336、量子阱层；337、p型氮化镓层；34、第一电极；341、第一端面；35、第二电极；
38.4、保护单元；
39.5、阵列基板；51、电极组件；511、第一键合电极；512、第二键合电极；52、薄膜晶体管；
40.6、电极层；
41.7、生长基板；71、光阻层；72、保护膜层；
42.8、第二基板；
43.9、发光二极管组件；
44.100、显示装置；200、显示面板；
45.a1、第一区域；a2、第二区域。
具体实施方式
46.下面将详细描述本技术的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本技术的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本技术的示例来提供对本技术的更好的理解。
47.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合附图对实施例进行详细描述。
48.诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
49.应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一
个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
50.另外，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
51.应理解，在本技术实施例中，“与a相应的b”表示b与a相关联，根据a可以确定b。但还应理解，根据a确定b并不意味着仅仅根据a确定b，还可以根据a和/或其它信息确定b。
52.图1为相关技术中微器件基板的一种结构示意图。
53.请参阅图1，申请人发现，在制作发光二极管显示面板时，例如制作微型发光二极管(micro-led)显示面板时，通常会在生长基板上制作发光二极管3’，再将发光二极管3’与临时基板1’连接，再通过临时基板1’将发光二极管3’移至转移基板，最后再将发光二极管3’从转移基板移至阵列基板。在上述过程中，通常会通过激光释放胶2’来将发光二极管3’固定在临时基板1’上，此时，激光释放胶会覆盖发光二极管3’的电极34’和电极35’。当发光二极管3’被移动至转移基板上时，需要除去激光释放胶2’，使电极34’和电极35’暴露，以使电极34’和电极35’可以与阵列基板键合。但是在除去激光释放胶2’时，由于激光释放胶2’的耐化学性能优异，一部分激光释放胶会残留在发光二极管3’的电极34’和电极35’上，影响发光二极管3’与阵列基板的键合。如果采用物理方式清除激光释放胶2’，容易对发光二极管的电极造成损伤。
54.鉴于上述问题，申请人提出了一种微器件基板及制作方法、显示面板及显示装置、转移方法。其中，微器件基板包括第一基板、剥离单元和发光二极管组件。三者依次连接，发光二极管组件的发光二极管和保护单元均至少部分地伸入剥离单元，从而使得保护单元将剥离单元与发光二极管隔开。在制作显示面板的过程中，当需要清理剥离单元时，可以直接对保护单元进行清理，使得与保护单元连接的剥离单元能够被除去，减少了剥离单元的残留，剩余的保护单元可以保护发光二极管，而保护层通常容易除去，减小了对发光二极管与阵列基板键合的影响。
55.图2为本技术实施例的微器件基板的一种结构示意图。
56.请参阅图2，本技术实施例提供了一种微器件基板，包括：第一基板1；剥离单元2，设置于第一基板1的一侧表面；发光二极管组件9，至少部分的发光二极管组件9位于剥离单元2背离第一基板1的一侧，发光二极管组件9包括发光二极管3和保护单元4；发光二极管3包括相背设置的出光侧32和背光侧31；背光侧31朝向第一基板1；保护单元4覆盖于发光二极管3的背光侧31，且至少部分发光二极管组件9和至少部分的保护单元4伸入剥离单元2。
57.本技术实施例中，第一基板1通常作为发光二极管3转移过程中的临时基板使用。
58.需要说明的是，剥离单元2的数量可以为多个，发光二极管3的数量可以为多个，保护单元4的数量可以为多个。剥离单元2、保护单元4和发光二极管3，三者一一对应，可以在第一基板1上阵列排布。保护单元4的材料相比剥离单元2的材料相比，保护单元4的材料更容易被清除。此外，本技术实施例中，发光二极管3也可以直接深入剥离单元2中，剥离单元2和发光二极管3，两者对应。
59.此外，发光二极管3可以为微型发光二极管3(micro-led)，也可以为小型发光二极管3(mini-led)。为了便于说明，本技术实施例中以发光二极管3为micro-led为例进行说
明。micro-led器件的阳极和阴极中，至少一个者位于发光二极管3的背光侧31，也就是说，发光二极管3可以采用倒装的形式，即阴极和阳极均位于背光侧31，也可以采用垂直结构的形式，即，阴极和阳极分别位于背光侧31和出光侧32。为了便于说明，本技术实施例中以发光二极管3采用倒装的形式为例进行说明。以上说明主要是为了方便本技术实施例的后续解释和说明，不应认为是对本技术实施例的限制。
60.剥离单元2位于第一基板1的一侧，在将发光二极管3从生长基板7移动至临时基板时，发光器件与生长基板7脱离，并与第一基板1连接形成本技术实施例的微器件基板。剥离单元2可以先制作在第一基板1上，再将发光二极管组件9伸入剥离单元2，也就是说，将部分的发光二极管3和部分的保护单元4伸入剥离单元2中。虽然部分的发光二极管3也伸入到剥离单元2中，但保护单元4将剥离单元2与发光二极管3分隔开，剥离单元2不与发光二极管3直接接触。
61.保护单元4覆盖发光二极管3的背光侧31，在发光二极管3与阵列基板连接后，发光二极管3的背光侧31朝向阵列基板。在发光二极管3与阵列基板连接前，也就是说，发光二极管3的出光侧32与转移基板连接时，需要除去剥离单元2，由于剥离单元2只与保护单元4直接连接，因此，只需要对保护单元4进行清理，就可以将剥离单元2除去。考虑到保护单元4通常采用可以通过化学方式清除的材料，因此，可以进一步清理剩余的保护单元4。直至保护单元4不对发光二极管3与阵列基板的连接产生明显的影响，也就是说为发光二极管3背光侧31的电极相对保护单元4暴露。此时，仍然会有一部分保护单元4残留，残留的保护单元4可以用来保护发光二极管3，起到防水汽的作用。
62.图3为本技术实施例的微器件基板的另一种结构示意图。
63.进一步地，请参阅图3，保护单元4与发光二极管3一一对应；发光二极管3包括半导体叠层33和第一电极34，第一电极34位于半导体叠层33朝向第一基板1的一侧；保护单元4包覆至少部分的第一电极34。
64.本技术实施例，发光二极管3的第一电极34位于发光二极管3的背光侧31。在发光二极管3的转移过程中，当发光二极管3与阵列基板连接时，第一电极34与阵列基板电连接。因此，保护单元4需要包覆至少部分的第一电极34。在将发光二极管3从生长基板移动至第一基板1(临时基板)时，保护单元4可以阻碍发光二极管3的第一电极34与剥离单元2直接接触，进而在清理保护单元4时，可以将剥离单元2清除。在进一步清理保护单元4后，第一电极34能够相对保护单元4暴露，以便于发光二极管3与阵列基板电连接。
65.第一电极34与半导体叠层33连接，当半导体叠层33通电后，可以发出光线，并从半导体叠层33的一侧射出，对应发光二极管3的出光侧32。
66.图4为本技术实施例的微器件基板的另一种结构示意图。图5为本技术实施例的微器件基板的另一种结构示意图。
67.进一步地，请参阅图4和图5发光二极管3还包括第二电极35；第二电极35位于半导体叠层33朝向第一基板1的一侧；保护单元4包覆至少部分的第二电极35；或，第二电极35位于半导体叠层33背离第一基板1的一侧。
68.当本技术实施例中的发光二极管3采用倒装结构的形式时，如图4所示，第二电极35与第一电极34均位于半导体叠层33的同一侧，即半导体叠层33朝向第一基板1的一侧。半导体叠层33包括外延层334、n型氮化镓层335、量子阱层336和p型氮化镓层337。n型氮化镓
层335位于外延层334朝向第一基板1的一侧，量子阱层336位于n型氮化镓层335背离外延层334的一侧，p型氮化镓层337位于量子阱层336背离n型氮化镓层335的一侧。第一电极34与p型氮化镓层337连接，第二电极35与n型氮化镓层335连接。在发光二极管3与阵列基板电连接时，第一电极34和第二电极35均与阵列基板电连接。因此，保护单元4同样包覆至少部分的第二电极35。在清理保护单元4后，剥离单元2同样不会在第二电极35上存在明显的残留。
69.当本技术实施例中的发光二极管3采用垂直结构的形式时，如图5所示，第二电极35和第一电极34分别位于半导体叠层33的两侧，也就是说，第二电极35位于半导体叠层33背离第一基板1的一侧，对应发光二极管3的出光侧32。半导体叠层33包括n型氮化镓层335、量子阱层336和p型氮化镓层337。量子阱层336位于n型氮化镓层335朝向第一基板1的一侧，p型氮化镓层337位于量子阱层336背离n型氮化镓层335的一侧。第一电极34与p型氮化镓层337连接，第二电极35与n型氮化镓层335连接。在发光二极管3与阵列基板电连接时，第一电极34与阵列基板电连接。在清理保护单元4后，剥离单元2不会在第一电极34上存在明显的残留。
70.图6为图3中的本技术实施例的微器件基板的b区域的局部放大图。
71.进一步地，请参阅图6，第一电极34具有朝向第一基板1的第一端面341，剥离单元2具有背离第一基板1的第一表面21，至少部分的保护单元4位于第一端面341与第一表面21之间。
72.第一电极34的第一端面341是第一电极34距离第一基板1最近的面。剥离单元2的第一表面21位于剥离单元2与保护单元4的交界面，考虑到保护单元4伸入剥离单元2，因此剥离单元2的第一表面21可以不是剥离单元2距离第一基板1最远的面。至少部分的保护单元4位于第一端面341与第一表面21之间，保护单元4将第一电极34与剥离单元2隔开，可以理解为，部分的第一电极34伸入保护单元4内，第一电极34和保护单元4再一同伸入剥离单元2。由于第一电极34与剥离单元2，二者不直接接触，在发光二极管3与转移基板连接后，当清理保护单元4时，剥离单元2会被一同剥离下来，从而使发光第一电极34和阵列基板之间能够保持稳定的连接。
73.进一步地，继续参阅图6，半导体叠层33包括相背设置的第二表面331和第三表面332，第二表面331位于第三表面332和第一基板1之间；半导体叠层33还包括侧面333，沿微器件基板的厚度方向，侧面333的两端分别与第二表面331和第三表面332连接，保护单元4覆盖至少部分的侧面333。
74.半导体叠层33包括相背设置的第二表面331和第三表面332，第二表面331朝向第一基板1，对应发光二极管3的背光侧31，第三表面332背离第一基板1，对应发光二极管3的出光侧32。半导体叠层33的侧面333为连接第二表面331和第三表面332的面。保护单元4覆盖至少部分的侧面333，在发光二极管3与转移基板连接后，当清理保护单元4时，可以保留覆盖半导体叠层33的侧面333的保护单元4，在发光二极管3与阵列基板连接后，保护单元4能够保护半导体叠层33与第一电极34的连接处，起到封装的作用。
75.进一步地，保护单元4包括遮光材料。
76.保护单元4添加了遮光材料，当发光二极管3与阵列基板连接后，残留的保护单元4可以起到遮光的作用，能够减少相邻的两个发光二极管3之间的光线串扰，从而提高显示效果。示例性地，保护单元4的材料可以与显示面板中黑矩阵的材料相同，使保护单元4容易清
除，同时清除过程几乎不会对第一电极34的表面造成损伤。示例性地，当保护单元4的透光率小于等于80％，可以保护单元4的遮光效果比较明显，能够明显减少相邻的两个发光二极管3之间的光线串扰。
77.图7为本技术实施例的显示面板的一种结构示意图。
78.请参阅图7，本技术实施例还提供了一种显示面板，阵列基板5，包括多个电极组件51，电极组件51包括第一键合电极511；多个发光二极管3，发光二极管3包括半导体叠层33和第一电极34，第一电极34位于半导体叠层33朝向阵列基板5的一侧第一电极34与第一键合电极511电连接；多个保护单元4，保护单元4设置于半导体叠层33朝向阵列基板5的一侧，第一电极34穿过保护单元4。
79.可以通过本技术前述实施例的微器件基板，将发光二极管3与阵列基板5连接。
80.阵列基板5包括多个薄膜晶体管52(thin film transistor，tft)以及由薄膜晶体管52构成像素电路，用于控制发光二极管3显示发光。本技术实施例以顶栅型的薄膜晶体管为例进行的结构说明。阵列基板5包括用于形成薄膜晶体管52的有源层，有源层包括通过掺杂n型杂质离子或p型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域，在源极区域和漏极区域之间区沟道区域；位于有源层上的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层上的薄膜晶体管的栅极。位于栅极上的层间绝缘层，层间绝缘层可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成，可选择地，层间绝缘层可以由绝缘有机层形成。薄膜晶体管52的源电极和漏电极位于层间绝缘层上。源电极和漏电极分别通过接触孔电连接(或结合)到源极区域和漏极区域，接触孔是通过选择性地去除栅绝缘层和层间绝缘层而形成的。阵列基板5通过电极组件51来与发光二极管3连接。电极组件51的第一键合电极511与发光二极管3的第一电极34电连接，实现发光二极管3与阵列基板5的键合过程。
81.保护单元4可以用于对发光二极管3进行封装，从而降低水汽污染第一电极34的风险。在位于转移基板上的发光二极管3与阵列基板5连接前，需要对发光二极管3上背光侧31的保护单元4进行清理，以除去剥离单元2。本技术实施例中的保护单元4可以为清理保护单元4过程中保护单元4剩余的部分。
82.图8为本技术实施例的显示面板的另一种结构示意图。图9为本技术实施例的显示面板的另一种结构示意图。
83.进一步地，请参阅图8和图9，发光二极管3还包括第二电极35；第二电极35位于半导体叠层33朝向阵列基板5的一侧；电极组件51还包括第二键合电极512，第二电极35与第二键合电极512电连接；或，第二电极35位于半导体叠层33背离阵列基板5的一侧；显示面板还包括电极层6，位于发光二极管3背离阵列基板5的一侧，第二电极35与电极层6电连接。
84.第一电极34和第二电极35分别作为发光二极管3的阳极和阴极使用。当发光二极管3采用倒装结构的形式时，如图8所示，第二电极35位于半导体叠层33朝向阵列基板5的一侧，并与电极组件51的第二键合电极512键合，使发光二极管3能够顺利发光。当发光二极管3采用垂直结构的形式时，如图9所示，第二电极35位于半导体叠层33背离阵列基板5的一侧，在发光二极管3背离阵列基板5的一侧，设置透明的电极层6，第二电极35与电极层6电连接，使发光二极管3能够顺利发光。
85.图10为图7中的本技术实施例的显示面板的c区域的局部放大图。
86.图11为图7中的本技术实施例的显示面板的c区域的局部放大图。
87.进一步地，请参阅图10和图11，半导体叠层33包括相背设置的第二表面331和第三表面332，第二表面331位于第三表面332和第一基板1之间；半导体叠层33还包括侧面333，沿微器件基板的厚度方向，侧面333的两端分别与第二表面331和第三表面332连接，保护单元4覆盖至少部分的侧面333。
88.半导体叠层33包括相背设置的第二表面331和第三表面332，第二表面331朝向第一基板1，对应发光二极管3的背光侧31，第三表面332背离第一基板1，对应发光二极管3的出光侧32。半导体叠层33的侧面333为连接第二表面331和第三表面332的面。在发光二极管3与转移基板连接后，当清理保护单元4时，剩余的保护单元4依然覆盖半导体叠层33的侧面333，能够保护半导体叠层33与第一电极34的连接处，起到封装的作用。
89.进一步地，保护单元4包括遮光材料。
90.保护单元4添加了遮光材料，保护单元4可以起到遮光的作用，能够减少相邻的两个发光二极管3之间的光线串扰，从而提高显示效果。示例性地，保护单元4的材料可以与显示面板中黑矩阵的材料相同，使保护单元4容易清除，同时清除过程几乎不会对第一电极34的表面造成损伤。示例性地，当保护单元4的透光率小于等于80％，可以保护单元4的遮光效果比较明显，能够明显减少相邻的两个发光二极管3之间的光线串扰。
91.图12为本技术实施例的显示装置的一种结构示意图。
92.请参阅图12，本技术实施例还提供了一种显示装置100，显示装置100包括前述实施例的显示面板200。本技术实施例提供的显示装置100可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
93.图13为本技术实施例的微器件基板的制作方法的一种流程图。
94.请参阅图13，本技术实施例还提供了一种微器件基板的制作方法，用于制作本技术前述实施例中的微器件基板。本技术实施例的微器件基板的制作方法包括：
95.步骤s1.1、提供生长基板7，在生长基板7上制备发光二极管3。
96.图14为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.1的一种结构示意图。图15为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.1中第一区域和第二区域的一种结构示意图。
97.请参阅图14和图15，并结合图13，发光二极管3包括半导体叠层33和第一电极34，第一电极34位于半导体叠层33背离生长基板7一侧。经过发光二极管3的制备，在生长基板7上，形成第一区域a1和第二区域a2。在生长基板7所在平面，第一区域a1的正投影与发光二极管3的正投影间隔设置，发光二极管3的正投影位于第二区域a2的正投影内。也就是说，发光二极管3与第二区域a2对应，第一区域a1围绕第二区域a2。
98.步骤s1.2、在生长基板7朝向发光二极管3的一侧制备光阻层71。
99.图16为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.2的一种结构示意图。
100.请参阅图16，并结合图13，可以先整面制备光阻层71，再对光阻层71进行图案化处理，除去光阻层71中位于第二区域a2的部分，使光阻层71只位于第一区域a1。
101.步骤s1.3、在光阻层71背离生长基板7的一侧制备保护膜层72。
102.图17为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.3的一种结构示意图。
103.请参阅图17，并结合图13，保护膜层72覆盖所有区域，也就是说，既覆盖第一区域a1内的光阻层71，又覆盖第二区域a2内的发光二极管3。此时在第二区域a2内，保护膜层72
覆盖部分的半导体叠层33和部分的第一电极34。
104.进一步地，继续参阅图17，步骤s1.3中，在光阻层71背离生长基板7的一侧制备保护膜层72，包括：沿生长基板7的厚度方向，保护膜层72靠近生长基板7的端面到生长基板7的距离为d1，半导体叠层33远离生长基板7的端面到生长基板7的距离为d2，其中d1＜d2。
105.考虑到保护膜层72覆盖部分的半导体叠层33和部分的第一电极34，可以看作为部分的发光二极管3伸入保护膜层72。保护膜层72朝向生长基板7的一侧具有多个表面，其中，保护膜层72靠近生长基板7的端面是最靠近生长基板7的表面。沿生长基板7的厚度方向，保护膜层72靠近生长基板7的端面到生长基板7的距离为d1，半导体叠层33远离生长基板7的端面到生长基板7的距离为d2，其中d1＜d2。保护膜层72靠近生长基板7的端面比半导体叠层33远离生长基板7的端面，更靠近生长基板7，也就是说，保护膜层72除了覆盖半导体叠层33远离生长基板7的端面以外，还覆盖半导体叠层33的部分侧面333。
106.步骤s1.4、对光阻层71和保护膜层72进行曝光处理。
107.图18为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.4的一种结构示意图。
108.请参阅图18，并结合图13，经过曝光处理后，步骤s1.2后剩余的光阻层71也会被清除，覆盖光阻层71的保护膜层72也会一并除去，剩下的保护膜层72位于第二区域a2内，形成保护单元4，保护单元4覆盖部分的半导体叠层33和部分的第一电极34。
109.步骤s1.5、提供第一基板1，在第一基板1上制作剥离层11。
110.继续参阅图13，在第一基板1的整面制备剥离层11，剥离层11可以采用激光释放胶。
111.步骤s1.6、连接保护单元4与剥离层11。
112.图19为本技术实施例的微器件基板的制作方法的步骤s1.6的一种结构示意图。
113.请参阅图19，并结合图13，此时剥离层11还具有一定的流动性，可以直接将保护单元4、发光二极管3和生长基板7一同靠近剥离层11，使第一电极34和保护单元4伸入剥离层11，此时保护单元4将剥离层11与第一电极34隔开。当剥离层11呈现固态时，分离发光二极管3和生长基板7。
114.进一步地，继续参阅图19，步骤s1.6中，连接保护单元4与剥离层11，包括：剥离层11背离第一基板1的端面到第一基板1的距离为d3，保护单元4背离第一基板1的端面到第一基板1的距离为d4，其中d3≤d4。
115.由于部分的保护单元4和部分的第一电极34伸入到剥离层11中，因此剥离层11背离第一基板1的一侧具有多个表面，其中，剥离层11背离第一基板1的端面是最远离第一基板1的表面。同理，保护单元4背离第一基板1的端面是最远离第一基板1的表面。剥离层11背离第一基板1的端面到第一基板1的距离为d3，保护单元4背离第一基板1的端面到第一基板1的距离为d4，其中d3≤d4。剥离层11背离第一基板1的端面比保护单元4背离第一基板1的端面更远离第一基板1，也就是说，发光二极管3上，剥离单元2不会覆盖到未被保护单元4覆盖的部分，即保护单元4将发光二极管3和剥离单元2分隔开。
116.继续参阅图13，步骤s1.7、刻蚀剥离层11。
117.出去部分的剥离层11，使剩余的剥离层11形成剥离单元2。在第一基板1所在平面，剥离单元2的正投影与保护单元4的正投影至少部分交叠，获得微器件基板。此时，发光二极管3、保护单元4、剥离单元2和第一基板1依次连接。
118.图20为本技术实施例的发光二极管转移方法的一种流程图。
119.请参阅图20，本技术实施例还提供了一种发光二极管3转移方法，包括：
120.步骤s1、提供微器件基板。
121.微器件基板可以直接使用本技术前述实施例提供的微器件基板。微器件基板具体也可以通过本技术前述实施例提供的微器件基板的制作方法来制备。
122.具体地，微器件基板包括：第一基板1、剥离单元2和发光二极管组件9；剥离单元2设置于第一基板1的一侧表面；至少部分的发光二极管组件9位于剥离单元2背离第一基板1的一侧，剥离单元2，发光二极管组件9包括发光二极管3和保护单元4；发光二极管3包括相背设置的出光侧32和背光侧31；背光侧31朝向第一基板1；保护单元4覆盖于发光二极管3的背光侧31；发光二极管3包括半导体叠层33和第一电极34，第一电极34位于半导体叠层33朝向第一基板1的一侧，至少部分第一电极34和至少部分的保护单元4伸入剥离单元2。
123.步骤s2、提供第二基板8，连接发光二极管3与第二基板8，分离剥离单元2与第一基板1。
124.图21为本技术实施例的发光二极管转移方法的步骤s2的一种结构示意图。
125.请参阅图21，并结合图20，第二基板8可以为转移基板。将微器件基板靠近第二基板8，使发光二极管3的半导体叠层33与第二基板8连接，再通过激光照射，使剥离单元2与第一基板1分开。此时，发光二极管3的第一电极34朝向半导体叠层33背离第二基板8的方向。
126.步骤s3、除去剥离单元2和部分的保护单元4。
127.图22为本技术实施例的发光二极管转移方法的步骤s3的一种结构示意图。
128.请参阅图22，并结合图20，通过光刻蚀的方式来处理保护单元4。沿第二基板8的厚度方向，保护单元4的背离第二基板8的一部分被除去，剥离单元2一同被除去。保护单元4靠近第二基板8的一部分被留下，用于封装发光二极管3。此时，剩余的保护单元4覆盖半导体叠层33背离第二基板8的表面，第一电极34相对保护单元4暴露，以便于发光二极管3与阵列基板5的连接。
129.进一步地，继续参阅图22，步骤s3中，除去剥离单元2和部分的保护单元4，包括：除去剥离单元2和部分的保护单元4之前，保护单元4背离第二基板8的端面到第二基板8的距离为d5，除去剥离单元2和部分的保护单元4之后，保护单元4背离第二基板8的端面到第二基板8的距离为d6，其中d6＜d5。
130.保护单元4背离第二基板8的端面是保护单元4距离第二基板8最远的表面。除去剥离单元2和部分的保护单元4之前，保护单元4背离第二基板8的端面到第二基板8的距离为d5，除去剥离单元2和部分的保护单元4之后，保护单元4背离第二基板8的端面到第二基板8的距离为d6，其中d6＜d5。在除去部分保护单元4后，沿第二基板8厚度方向，保护单元4被整体除去了一部分。可以看作，保护单元4具有靠近第二基板8的下层和远离第二基板8的上层，远离第二基板8的上层被除去，而靠近第二基板8的下层被保留，用以封装和保护发光二极管3。
131.步骤s4、提供阵列基板5，将第一电极34和阵列基板5电连接，分离发光二极管3与第二基板8。
132.图23为本技术实施例的发光二极管转移方法的步骤s4的一种结构示意图。
133.请参阅图23，并结合图20，阵列基板5包括多个电极组件51，电极组件51包括第一
键合电极511。将第一电极34与第一键合电极511键合，使发光二极管3与阵列基板5连接，完成发光二极管3的转移过程。
134.综上所述，本技术实施例提供了一种微器件基板及制作方法、显示面板及显示装置、转移方法，微器件基板中，发光二极管组件的保护单元覆盖发光二极管的背光侧，发光二极管和保护单元都伸入到剥离单元中，使得保护单元将发光二极管与剥离单元隔开。在发光二极管与转移基板(第二基板)连接后，可以直接对保护单元进行清理，与保护单元连接的剥离单元可以被完全清理掉，而剩下的保护单元，可以用来保护发光二极管。
135.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

技术特征：
1.一种微器件基板，其特征在于，包括：第一基板；剥离单元，设置于所述第一基板的一侧表面；发光二极管组件，至少部分的所述发光二极管组件位于所述剥离单元背离所述第一基板的一侧，所述发光二极管组件包括发光二极管和保护单元；所述发光二极管包括相背设置的出光侧和背光侧；所述背光侧朝向所述第一基板；所述保护单元覆盖于所述发光二极管的背光侧，且至少部分所述发光二极管和至少部分的所述保护单元伸入所述剥离单元。2.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，所述保护单元与所述发光二极管一一对应；所述发光二极管包括半导体叠层和第一电极，所述第一电极位于所述半导体叠层朝向所述第一基板的一侧；所述保护单元包覆至少部分的所述第一电极。3.根据权利要求2所述的微器件基板，其特征在于，所述发光二极管还包括第二电极；所述第二电极位于所述半导体叠层朝向所述第一基板的一侧；所述保护单元包覆至少部分的所述第二电极；或，所述第二电极位于所述半导体叠层背离所述第一基板的一侧。4.根据权利要求2所述的微器件基板，其特征在于，所述第一电极具有朝向所述第一基板的第一端面，所述剥离单元具有背离所述第一基板的第一表面，至少部分的所述保护单元位于所述第一端面与所述第一表面之间。5.根据权利要求2所述的微器件基板，其特征在于，所述半导体叠层包括相背设置的第二表面和第三表面，所述第二表面位于所述第三表面和所述第一基板之间；所述半导体叠层还包括侧面，沿所述微器件基板的厚度方向，所述侧面的两端分别与所述第二表面和所述第三表面连接，所述保护单元覆盖至少部分的所述侧面。6.根据权利要求2所述的微器件基板，其特征在于，所述剥离单元与所述发光二极管一一对应；在所述第一基板所在平面，所述剥离单元的正投影与所述保护单元的正投影至少部分交叠，所述发光二极管的正投影位于所述保护单元的正投影内部。7.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，所述保护单元包括遮光材料。8.根据权利要求1所述的微器件基板，其特征在于，所述保护单元的透光率小于等于80％。9.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，包括多个电极组件，所述电极组件包括第一键合电极；多个发光二极管，所述发光二极管包括半导体叠层和第一电极所述第一电极位于所述半导体叠层朝向所述阵列基板的一侧所述第一电极与所述第一键合电极电连接；多个保护单元，所述保护单元设置于所述半导体叠层朝向所述阵列基板的一侧，所述第一电极穿过所述保护单元。10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述发光二极管还包括第二电极；所述第二电极位于所述半导体叠层朝向所述阵列基板的一侧；所述电极组件还包括第二键合电极，所述第二电极与所述第二键合电极电连接；或，所述第二电极位于所述半导体叠层背离所述阵列基板的一侧；所述显示面板还包
括电极层，位于所述发光二极管背离所述阵列基板的一侧，所述第二电极与所述电极层电连接。11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述半导体叠层包括相背设置的第二表面和第三表面，所述第二表面位于所述第三表面和所述第一基板之间；所述半导体叠层还包括侧面，沿所述微器件基板的厚度方向，所述侧面的两端分别与所述第二表面和所述第三表面连接，所述保护单元覆盖至少部分的所述侧面。12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述保护单元包括遮光材料。13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9至12任一所述的显示面板。14.一种微器件基板的制作方法，其特征在于，包括：提供生长基板，在所述生长基板上制备发光二极管，所述发光二极管包括半导体叠层和第一电极，所述第一电极位于所述半导体叠层背离所述生长基板一侧；形成第一区域和第二区域，在所述生长基板所在平面，所述第一区域的正投影与所述发光二极管的正投影间隔设置，所述发光二极管的正投影位于所述第二区域的正投影内；在所述生长基板朝向所述发光二极管的一侧制备光阻层，并进行图案化处理，除去所述光阻层中位于所述第二区域的部分；在所述光阻层背离所述生长基板的一侧制备保护膜层，所述保护膜层覆盖所述光阻层、所述发光二极管；对所述光阻层和所述保护膜层进行曝光处理；除去所述光阻层位于所述第一区域的部分；除去所述保护膜层中位于所述第一区域的部分，形成保护单元，使所述保护单元包覆至少部分的所述第一电极，并使所述保护单元覆盖所述半导体叠层背离所述生长基板的表面；提供第一基板，在所述第一基板上制作剥离层；连接所述保护单元与所述剥离层，使所述第一电极和所述保护单元伸入所述剥离层，分离所述发光二极管与所述生长基板分离；刻蚀所述剥离层，形成剥离单元；在所述第一基板所在平面，所述剥离单元的正投影与所述保护单元的正投影至少部分交叠，获得微器件基板。15.根据权利要求14所述的微器件基板的制作方法，其特征在于，在所述生长基板朝向所述发光二极管的一侧制备光阻层，包括：所述光阻层的厚度小于所述半导体叠层的厚度。16.根据权利要求14所述的微器件基板的制作方法，其特征在于，在所述光阻层背离所述生长基板的一侧制备保护膜层，包括：沿所述生长基板的厚度方向，所述保护膜层靠近所述生长基板的端面到所述生长基板的距离为d1，所述半导体叠层远离所述生长基板的端面到所述生长基板的距离为d2，其中d1＜d2。17.根据权利要求14所述的微器件基板的制作方法，其特征在于，连接所述保护单元与所述剥离层，包括：所述剥离层背离所述第一基板的端面到所述第一基板的距离为d3，所述保护单元背离所述第一基板的端面到所述第一基板的距离为d4，其中d3≤d4。18.一种发光二极管转移方法，其特征在于，包括：
提供微器件基板，所述微器件基板包括：第一基板、剥离单元和发光二极管组件；所述剥离单元设置于所述第一基板的一侧表面；至少部分的所述发光二极管组件位于所述剥离单元背离所述第一基板的一侧，剥离单元，所述发光二极管组件包括发光二极管和保护单元；所述发光二极管包括相背设置的出光侧和背光侧；所述背光侧朝向所述第一基板；所述保护单元覆盖于所述发光二极管的背光侧；所述发光二极管包括半导体叠层和第一电极，所述第一电极位于所述半导体叠层朝向所述第一基板的一侧，至少部分所述第一电极和至少部分的所述保护单元伸入所述剥离单元；提供第二基板，连接所述发光二极管与所述第二基板，分离所述剥离单元与所述第一基板；除去所述剥离单元和部分的所述保护单元；剩余的所述保护单元覆盖所述半导体叠层背离所述第二基板的表面，所述第一电极相对所述保护单元暴露；提供阵列基板，将所述第一电极和所述阵列基板电连接，分离所述发光二极管与所述第二基板。19.根据权利要求18所述的发光二极管转移方法，其特征在于，除去所述剥离单元和部分的所述保护单元，包括：除去所述剥离单元和部分的所述保护单元之前，所述保护单元背离所述第二基板的端面到所述第二基板的距离为d5，除去所述剥离单元和部分的所述保护单元之后，所述保护单元背离所述第二基板的端面到所述第二基板的距离为d6，其中d6＜d5。

技术总结
本申请公开了一种微器件基板及制作方法、显示面板及显示装置、转移方法。微器件基板包括：第一基板；剥离单元，设置于第一基板的一侧表面；发光二极管组件，至少部分的发光二极管组件位于剥离单元背离第一基板的一侧，发光二极管组件包括发光二极管和保护单元；发光二极管包括相背设置的出光侧和背光侧；背光侧朝向第一基板；保护单元覆盖于发光二极管的背光侧，且至少部分发光二极管和至少部分的保护单元伸入剥离单元。本申请公开了一种微器件基板及制作方法、显示面板及显示装置、转移方法，能够将剥离单元除去，并留下部分的保护单元来封装和保护发光二极管的电极。装和保护发光二极管的电极。装和保护发光二极管的电极。


技术研发人员：黄安
受保护的技术使用者：天马新型显示技术研究院（厦门）有限公司
技术研发日：2023.06.30
技术公布日：2023/8/31