发光二极管和发光装置的制作方法

1.本发明涉及一种发光二极管，属于半导体光电子器件与技术领域。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、algaas、al
x
gayinp等二元、三元、四元半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结构，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区，电子与空穴复合而使得发光二极管发光。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，广泛应用于各个领域。
3.gaas晶体质量好，和金属能形成很好的金半欧姆接触，是目前led广泛应用的欧姆接触层材料。但因其本征波长是860nm，所以在红光、黄光、绿光波段非常吸光。因此，通过对欧姆接触材料的优化设计，以解决发光二极管发光效率不足的问题，是本领域技术人员亟待解决的技术难题之一。


技术实现要素：

4.为了解决上述的问题，本发明提供一种发光二极管，所述发光二极管包括；半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，沿第一表面至第二表面的方向依次包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体远离有源层的一侧设置有复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层自第一表面至第二表面的方向至少包括第一子层和第二子层，所述复合欧姆接触层的带隙宽度大于1.8ev。
5.在一些可选的实施例中，所述第一子层的带隙宽度小于所述第二子层的带隙宽度。
6.在一些可选的实施例中，所述第一子层的材料为al
x1
ga
1-x1
as，其中0.5≤x1《1。
7.在一些可选的实施例中，所述第一子层的厚度为100-300nm，所述第二子层的掺杂浓度为1
×
10
17
cm-3
~1
×
10
19
cm-3
。
8.在一些可选的实施例中，所述第二子层的材料为al
x2
ga
y2
inp，其中0≤x2≤1或0≤y2≤1。
9.在一些可选的实施例中，所述第二子层的厚度为5-50nm，所述第二子层的掺杂浓度为1
×
10
18
cm-3~1×
10
22
cm-3
。
10.在一些可选的实施例中，所述复合欧姆接触层为图案化结构。
11.在一些可选的实施例中，所述发光二极管还包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极和第二接触电极分别与所述第一导电类型半导体层和复合欧姆接触层形成电连接。
12.在一些可选的实施例中，所述发光二极管还包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极与所述第一接触电极和第二接触电极电连接。
13.在一些可选的实施例中，所述第二接触电极包括至少由au、ge、ni三种元素及其合金组成。
14.在一些可选的实施例中，所述第二接触电极还包含pt和ti。
15.在一些可选的实施例中，所述第二接触电极和所述复合欧姆接触层的界面处含有ni元素。
16.在一些可选的实施例中，所述发光二极管还包含绝缘层，所述绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极通过所述第一开口和第二开口与所述第一接触电极和第二接触电极电连接。
17.在一些可选的实施例中，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极包括ti、al、pt、au、ni、sn、in或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。
18.在一些可选的实施例中，所述第一接触电极和第二接触电极的厚度为0.5~3μm。
19.在一些可选的实施例中，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极的厚度为1~5μm。
20.在一些可选的实施例中，所述发光二极管辐射波长为550~950 nm的光。
21.本发明提供一种发光装置，所述发光装置包含前述任一项所述的发光二极管。
22.本发明通过复合欧姆接触层的设置，可减少欧姆接触层的吸光，提升欧姆接触层和接触电极的界面的平整度，提升发光二极管的发光效率。
23.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
24.虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。
附图说明
25.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
26.图1为本发明实施例1中所提到的发光二极管的剖面结构示意图。
27.图2为本发明实施例1中所提到的欧姆接触层和接触电极间存在粗糙界面的fib剖面图。
28.图3为本发明实施例1中所提到的复合欧姆接触层和接触电极存在平整界面的fib剖面图。
29.图4~图8为本发明实施例2中所提到的发光二极管制备过程中的结构示意图。
30.图9为本发明实施例3中所提到的发光装置的结构示意图。
31.图中元件标号说明：10：生长衬底；100：基板； 101：键合层； 102：第一导电类型半导体层；103：有源层；104：第二导电类型半导体层； 105：复合欧姆接触层；1051：复合欧姆接触层的第一子层；1052：复合欧姆接触层的第二子层；106：第一接触电极；s1：第一台面； 107：第二接触电极； 108：绝缘层；109：第一焊盘电极；110：第二焊盘电极；201金属连接层；200：固晶基板。
实施方式
32.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
33.需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
34.以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
实施例
35.图1为本发明一实施例的一种发光二极管芯片的剖面结构示意图。
36.请参考图1，为达本发明欲实现的优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提供一种发光二极管芯片，其包括如下堆叠层：100：基板； 101：键合层； 102：第一导电类型半导体层；103：有源层；104：第二导电类型半导体层层； 105：复合欧姆接触层；1051：复合欧姆接触层的第一子层；1052：复合欧姆接触层的第二子层；106：第一接触电极； 107：第二接触电极； 108：绝缘层；109：第一焊盘电极；110：第二焊盘电极。
37.发光二极管芯片可为常规尺寸的发光二极管芯片。发光二极管芯片可具有约90000μm2以上且约2000000μm2以下的水平截面积。
38.发光二极管芯片也可为小尺寸或者微尺寸的发光二极管芯片。发光二极管芯片可具有约90000μm2以下的水平截面积。例如，发光二极管芯片的可具有100μm以上至300μm以下的长度和/或宽度，进而可具有40μm以上至100μm以下的厚度。
39.发光二极管芯片还可为更小尺寸的微型发光二极管芯片。发光二极管芯片可具有约10000μm2以下的水平截面积的发光二极管芯片。例如，发光二极管芯片可具有2μm以上至100μm以下的长度和/或宽度，进而可具有2μm以上至100μm以下的厚度。本实施例的发光二极管芯片可以具有上述水平截面积及厚度，因此所述发光二极管芯片可容易地应用到要求小型和/或微型发光装置的各种电子装置。
40.请再参考图1，半导体外延叠层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体外延叠层通过mocvd或其它的生长方式获得，为能够提供常规的如紫外、蓝、绿、黄、红、红外光等辐射的半导体材料，具体的可以是200~950nm的材料，如常见的氮化物，具体的如氮化镓基半导体外延叠层，氮化镓基外延叠层常见有掺杂铝、铟等元素，主要提供200~550nm波段的辐射；或者常见的铝镓铟磷基或铝镓砷基半导体外延叠层，主要提供550~950nm波段的辐射。本实施例中优选所述半导体外延叠层为铝镓铟磷基或者铝镓砷基材料组成，所述半导体外延叠层主要提供550~950nm波段的辐射。
41.半导体外延叠层包括第一导电类型半导体层102、第二导电类型半导体层104以及位于第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104之间的有源层103；所述第二导电类型半导体104远离有源层103的一侧设置有复合欧姆接触层105。半导体外延叠层具
有第一台面s1，所述第一台面s1暴露所述第一导电类型半导体层102。
42.第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104具有不同的导电型态、电性、极性或依掺杂的元素以提供电子或空穴，即：第一导电类型半导体层102具有第一导电性，第二导电类型半导体层104具有第二导电性，其中第一导电性与第二导电性不同，例如第一导电类型半导体层102可为p型半导体层，第二导电类型半导体层104可为n型半导体层；反之亦然。来自于n型半导体层的电子与来自于p型半导体层的空穴在外加电流驱动的下，在有源层103实现将电能转换成光能并发射出光线。
43.在本实施例中，半导体外延叠层为砷化镓(gallium arsenide，gaas)系列的材料，其中，第一导电类型半导体层102的掺杂为p型，第二导电类型半导体层104的掺杂为n型。
44.在本发明公开的其他实施例中，第一导电类型半导体层102的材料包含
ⅱ‑ⅵ
族材料(例如，硒化锌(znse))或
ⅲ‑ⅴ
氮族化合物材料(例如，砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、氮化铝(aln)、氮化铟(inn)、氮化铟镓(ingan)、氮化铝镓(algan)或氮化铝铟镓(alingan))，且第一导电类型半导体层102的材料还可包含可包含镁(mg)、碳(c)等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他实施例中，第一导电类型半导体层102也可以是单层或多层结构。
45.在本发明公开的其他实施例中，第二导电类型半导体层104的材料包含
ⅲ‑ⅴ
氮族化合物材料(例如，砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、氮化铝(aln)、氮化铟(inn)、氮化铟镓(ingan)、氮化铝镓(algan)或氮化铝铟镓(alingan))，且所述第二导电类型半导体层104的材料可包含硅(si)或锗(ge)等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。在一些其他实施例中，第二导电类型半导体层104也可以是单层或多层结构。
46.在本实施例中，有源层103采用砷化镓(gaas)系列的半导体材料。具体来说，当有源层103以磷化铝铟镓(algainp)系列、砷化镓(gaas)系列的半导体材料为基础时，可以发出红光、橙光或黄光；当以氮化铝镓铟(algainn)系列的半导体材料为基础时，可以发出蓝光或绿光。在本发明的一些实施例中，所述有源层103可为单异质结构(singleheterostructure,sh)，双异质结构(doubleheterostructure,dh)，双侧双异质结构(double-sidedoubleheterostructure,ddh)，或多层量子阱结构(multi-quantumwell,mqw)，但本公开实施例并非以此为限。
47.gaas晶体质量好，和金属能形成很好的金半欧姆接触，是目前led广泛应用的欧姆接触层材料。但因其本征波长是860nm，所以在红光、黄光、绿光波段非常吸光。
48.采用对红光透明的n型alinp或algainp半导体材料作为欧姆接触层，解决了gaas欧姆接触层吸光的问题，但是在欧姆接触界面，金属电极中的au容易与n型alinp或algainp半导体材料中的al元素和in元素发生反应，使得该欧姆接触层与金属电极的欧姆接触界面较粗糙且金属扩散较深，如图2所示，所述较为粗糙的欧姆接触界面会吸光，从而降低发光二极管的发光效率。
49.采用对红光透明的n型algaas半导体材料作为欧姆接触层，该n型algaas半导体材料与金属电极欧姆接触界面平整同时可有效控制金属扩散深度，但是该n型algaas半导体材料与金属电极形成欧姆接触的窗口较小，容易导致接触电阻升高，影响发光元件的光电性能。
50.为了解决上述的欧姆接触界面粗糙或者欧姆接触的窗口较小的问题，本实施例中
设置复合欧姆接触层105，所述复合欧姆接触层105自第一表面至第二表面的方向至少包括第一子层1051和第二子层1052，所述复合欧姆接触层的带隙宽度大于1.8ev。通过控制复合欧姆接触层的带隙宽度大于1.8ev，可使复合欧姆接触层105的本征波长小于690nm；从而减少复合欧姆接触层的吸光，提升发光二极管的发光效率。
51.本实施例中优选所述复合欧姆接触层的第一子层1051的带隙宽度小于所述第二子层1052的带隙宽度。本实施例中，所述复合欧姆接触层的第一子层1051的材料为al
x1
ga
1-x1
as，其中0.5≤x1《1，可使所述复合欧姆接触层的第一子层1051的本征波长小于640nm，从而减小复合欧姆接触层105的吸光，从而提升发光二极管的发光效率。本实施例中，优选所述复合欧姆接触层的第一子层1051的厚度为100-300nm，所述复合欧姆接触层的第一子层1051的掺杂浓度为1
×
10
17
cm-3
~1
×
10
19
cm-3
。
52.本实施例中，优选所述复合欧姆接触层的第二子层1052的材料为al
x2
ga
y2
inp，其中0≤x2≤1或0≤y2≤1。具体地，复合欧姆接触层的第二子层1052采用铝镓铟磷（本征波长介于490~650nm）或铝铟磷（本征波长为490nm）或镓铟磷（本征波长为650nm）等短波材料，其吸光性远小于gaas（本征波长为860nm），应用于如红光、近红外光等发光二极管中，欧姆接触层吸光大幅降低，可有效提升二极管的发光亮度。
53.为了保证复合欧姆接触层105与第二接触电极107形成良好的欧姆接触，优选所述复合欧姆接触层的第二子层1052的厚度为5-50nm，所述复合欧姆接触层的第二子层1052的掺杂浓度为1
×
10
18
cm-3
~1
×
10
22
cm-3
。
54.本实施例中，使用复合欧姆接触层105，可使复合欧姆接触层105和第二接触电极107间存在平整的界面，如图3所示。所述复合欧姆接触层105和第二接触电极107间的平整的界面可减少吸光，同时可保证复合欧姆接触层105和第二接触电极107间形成良好的欧姆接触，从而提升发光二极管的光电性能和发光效率。
55.在一些可选的实施例中，所述复合欧姆接触层105为图形化结构，复合欧姆接触层105只位于第一接触电极的下方，其他区域可以去除复合欧姆接触层105.请再参考图1，半导体外延叠层通过键合层101键合至基板100，优选地，所述半导体外延叠层面向所述基板100的一侧形成为粗糙表面，以减少光输出过程中的反射次数，提高发光二极管的亮度。在本实施例中，所述基板100为蓝宝石衬底。基板100可以是透明衬底，透明衬底的材料包含无机材料或
ⅲ‑ⅴ
族半导体材料。无机材料包含碳化硅(sic)、锗(ge)、蓝宝石(sapphire)、铝酸锂(lialo2)、氧化锌(zno)、玻璃或石英。
ⅲ‑ⅴ
族半导体材料包含磷化铟(inp)、磷化镓(gap)、氮化镓(gan)、氮化铝(aln)材料。基板100具有足以机械性地支撑半导体外延叠层的强度，并且能透过从半导体外延叠层射出的光。基板100的厚度优选为50μm以上。另外，为了便于在向半导体外延叠层键合后对基板100的机械加工，优选为厚度不超过300μm的厚度。
56.需要指明的是，本发明的发光二极管芯片并不局限于只包含一个半导体外延叠层，亦可包含多个半导体外延叠层位于基板100上，其中多个半导体外延叠层间可具有一导线结构使多个半导体外延叠层于此基板100上以串联、并联、串并联等方式彼此电连接。
57.键合层101的材料可为绝缘材料和/或导电材料。绝缘材料包含但不限于聚亚酰胺(pi)、苯并环丁烯(bcb)、过氟环丁烷(pfcb)、氧化镁(mgo)、su8、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸树脂(acrylicresin)、环烯烃聚合物(coc)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚对苯二甲酸乙二
酯(pet)、聚碳酸酯(pc)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、氟碳聚合物(fluorocarbonpolymer)、玻璃(glass)、氧化铝(al2o3)、氧化硅(sio
x
)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氮化硅(sin
x
)或旋涂玻璃(sog)。导电材料包含但不限于氧化铟锡(ito)、氧化铟(ino)、氧化锡(sno)、氧化镉锡(cto)、氧化锑锡(ato)、氧化铝锌(azo)、氧化锌锡(zto)、氧化锌(zno)、氧化铟锌(izo)、类钻碳薄膜(dlc)或氧化镓锌(gzo)等。当键合层101采用导电材料与第一导电类型半导体层102接触，可起电流扩展层的作用，改善电流扩展的效果，提升电流分布的均匀性。
58.在一些实施例中，键合层101的折射率优选介于第一导电类型半导体层102的折射率和基板100的折射率之间。举例来说，第一导电类型半导体层102具一折射率n1，键合层100具有一折射率n2，基板100具有一折射率n3，其中，折射率n1＞折射率n2＞折射率n3。在一些实施例中，键合层100的折射率范围为1.2～3。所述键合层101可为单层结构或者多层结构。
59.为了将后述的第一接触电极106及第二接触电极107配置于第一导电类型半导体层102及第二导电类型半导体层104的同一面侧，可以以第一导电类型半导体层102的一部分露出的方式将第二导电类型半导体层104层积于第一导电类型半导体层102上，或者以第二导电类型半导体层104的一部分露出的方式将第一导电类型半导体层102层积于第二导电类型半导体层104上。举例来说，请再参考图1，在本实施例中，半导体外延叠层包括至少局部地贯通第二导电类型半导体层104、有源层103而露出第一导电类型半导体层102的第一台面s1。
60.发光二极管芯片包括位于第一导电类型半导体层102上并且直接或间接地电连接至第一导电类型半导体层102的一个或多个第一接触电极106，以及位于第二导电类型半导体层104上并且直接或间接地电连接至第二导电类型半导体层104的一个或多个第二接触电极107。在第一导电类型半导体层102为p型的情况下，第一接触电极106是指p侧接触电极；在第一导电类型半导体层102为n型的情况下，第一接触电极106是指n侧接触电极。而第二接触电极106与第一接触电极107相反。本实施例中，优选所述第一接触电极106为p侧接触电极。
61.所述第一接触电极106和第二接触电极107可以是金属电极，第二接触电极107至少由au、ge、ni三种元素及其合金组成。在一些实施例中，所述第二接触电极107还包含ti和pt。具体地，第一接触电极106优选为au、zn或者be组成的合金或者它们中的任意组合的叠层，第二接触电极107优选为au、ge或者ni组成的合金或者它们中的任意组合的叠层。第一接触电极106和第二接触电极107的厚度为0.5~3μm，优选为1μm以上，以保证第一接触电极106和第二接触电极107与半导体外延叠层形成良好的欧姆接触。本实施例中优选所述复合欧姆接触层105和第二接触电极107的界面含有ni元素，以保证复合欧姆接触层与第二接触电极形成良好的欧姆接触。
62.绝缘层108覆盖半导体外延叠层的上表面及侧面，并且覆盖第一接触电极106、第二接触电极107，同时，该绝缘层108能够以延伸覆盖至部分露出在半导体外延叠层的周边的基板100的上表面的方式形成。由此，绝缘层108可与基板100的上表面相接，因此可更稳定地覆盖在半导体外延叠层的侧面。所述绝缘层108用于保护半导体外延叠层免受水汽或者污染物的损坏，保证半导体外延叠层的光学及电学性能。所述绝缘层可为单层或者多层
结构，所述绝缘层可为sio2、sin
x
、al2o3等材料组成。
63.所述绝缘层具有第一开口和第二开口，第一焊盘电极109及第二焊盘电极110布置于所述绝缘层108的上部。第一焊盘电极109可通过所述绝缘层108的第一开口电连接至所述第一接触电极106。第二焊盘电极110可通过所述第二开口电连接至所述第二接触电极107。第一开口和第二开口可以是呈圆形形状，在一些其他的实施例中，该第一开口和第二开口也可是方形等，各开口部的形状与个数不受特别的限制，可以是仅设置有一个开口部，若是设置有多个开口部，则可以更为均匀地分散电流。此外，在一些其他的实施例中，设置有多个开口部的情况下，各开口部可依据实际需求，而选择等间距或非等间距的分布形式，并不以本发明公开的实施例为限。在一些实施例中，所述第一焊盘电极109包括ti、al、pt、au、ni、sn或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。在一些实施例中，所述第二焊盘电极110包括ti、al、pt、au、ni、sn或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。所述第一焊盘电极109和第二焊盘电极110的厚度为1~5μm，优选为3~4μm。
64.本实施例中发光二极管通过设置复合欧姆接触层105，可减少解决了传统欧姆接触层的光吸收问题，同时也可以得到较为平整且稳定的欧姆接触界面，从而提升发光二极管的光电性能和发光效率。
实施例
65.下面对上述实施例1的发光二极管的制作工艺进行详细的说明。
66.请参考图4，在生长衬底10上形成半导体外延叠层，通常可利用已知的各种方法生长，例如可利用有机金属化学气相沉积(metal organic chemical vapordeposition，mocvd)、分子束磊晶(molecular beam epitaxy，mbe)或氢化物气相磊晶(hydride vapor phase epitaxy，hvpe)等技术生长。所述生长衬底10为砷化镓衬底。所述半导体外延叠层为砷化镓(gallium arsenide，gaas)系列的材料，所述半导体外延叠层包括第一导电类型半导体层102、第二导电类型半导体层104以及位于第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104之间的有源层103；以及位于所述第二导电类型半导体层远离有源层一侧的复合欧姆接触层105。
67.请参考图5，通过粗化处理制成，在第一导电类型半导体层102表面形成粗化面，形成粗化面的方法没有特别限制，例如可使用蚀刻或机械研磨。在粗化后的第一导电类型半导体层102表面沉积键合层101，抛光键合层101的表面，所述键合层101优选为二氧化硅。
68.请参考图6，先将半导体外延叠层与基板100通过键合层101键合，所述基板100为蓝宝石衬底；然后去除生长衬底10。
69.请参考图7，定义半导体外延叠层表面形成光刻胶图形，在复合欧姆接触层105表面部分区域去除第二导电类型半导体层104、有源层103，直至露出部分第一导电类型半导体层102，形成第一台面s1，然后在第一台面和复合欧姆接触层上形成第一接触电极106和第二接触电极107；请参考图8，沉积绝缘层108，所述绝缘层108完全覆盖半导体外延叠层的表面，半导体外延叠层的侧壁，以及裸露出的键合层101表面。
70.然后，分别在位于第一导电类型半导体层102和第二导电类型半导体层104上的绝缘层108形成第一开口和第二开口，制备第一焊盘电极109和第二焊盘电极110并通过相对
应的第一开口和第二开口分别与第一导电类型半导体层102和复合欧姆接触层105形成电连接，得到如图1所示的发光二极管。
71.本实施例中发光二极管通过设置复合欧姆接触层105，可减少解决了传统欧姆接触层的光吸收问题，同时也可以得到较为平整且稳定的欧姆接触界面，从而提升发光二极管的光电性能和发光效率。
实施例
72.本实施例提供一种发光装置，如图9所示，该发光装置包括固晶基板200以及位于固晶基板200上的发光二极管。该发光二极管可以是本技术实施例1中提供的发光元件。该固晶基板200可以是陶瓷基板、印刷电路板等。固晶基板200上方具有固晶区域，该固晶区域按照特定的逻辑设计顺序排列，该发光二极管位于固晶基板200的固晶区域上，两者之间有金属连接层201，例如锡连接层。所述的发光装置可以但不限于是灯具、显示屏等领域。
73.本发光装置中的发光二极管通过设置复合欧姆接触层105，可减少解决了传统欧姆接触层的光吸收问题，同时也可以得到较为平整且稳定的欧姆接触界面，从而提升发光二极管的光电性能和发光效率。
74.另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者背景技术中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。
75.尽管本文中较多的使用了诸如衬底、生长衬底、半导体外延叠层、第一导电类型半导体层、发光层、第二导电类型半导体层、第一接触电极、第一焊盘电极、第二接触电极、第二焊盘电极、绝缘层、键合层等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本发明的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本发明精神相违背的；本发明实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
76.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

技术特征：
1.发光二极管包括；半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，沿第一表面至第二表面的方向依次包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体远离有源层的一侧设置有复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层自第一表面至第二表面的方向至少包括第一子层和第二子层，所述复合欧姆接触层的带隙宽度大于1.8ev。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层的带隙宽度小于所述第二子层的带隙宽度。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层的材料为al
x1
ga
1-x1
as，其中0.5≤x1<1。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层的厚度为100-300nm，所述第二子层的掺杂浓度为1
×
10
17
cm-3
~1
×
10
19
cm-3
。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于；所述第二子层的材料为al
x2
ga
y2
inp，其中0≤x2≤1或0≤y2≤1。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二子层的厚度为5-50nm，所述第二子层的掺杂浓度为1
×
10
18
cm-3~1×
10
22
cm-3
。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述复合欧姆接触层为图案化结构。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极和第二接触电极分别与所述第一导电类型半导体层和复合欧姆接触层形成电连接。9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极与所述第一接触电极和第二接触电极形成电连接。10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极包括至少由au、ge、ni三种元素及其合金组成。11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极还包含pt和ti。12.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极和所述复合欧姆接触层的界面处含有ni元素。13.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：还包含绝缘层，所述绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极通过所述第一开口和第二开口与所述第一接触电极和第二接触电极电连接。14.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘电极和第二焊盘电极包括ti、al、pt、au、ni、sn、in或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。15.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和第二接触电极的厚度为0.5~3μm。16.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘电极和第二焊盘电极的厚度为1~5μm。
17.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管辐射波长为550~950 nm的光。18.一种发光装置，其特征在于：所述发光装置包含权利要求1~17中任一项所述的发光二极管。

技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体外延叠层，所述半导体外延叠层具有相对的第一表面和第二表面，沿第一表面到第二表面的方向依次包括第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体远离有源层的一侧设置有复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层自第一表面至第二表面的方向至少包括第一子层和第二子层，所述复合欧姆接触层的带隙宽度大于1.8eV。通过复合欧姆接触层的设置，可减少欧姆接触层的吸光，提升欧姆接触层和接触电极的界面的平整度，提升发光二极管的发光效率。提升发光二极管的发光效率。提升发光二极管的发光效率。


技术研发人员：吴志伟 王燕云 熊伟平 郭桓卲 彭钰仁
受保护的技术使用者：泉州三安半导体科技有限公司
技术研发日：2023.07.13
技术公布日：2023/8/28