一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置和方法与流程

1.本发明涉及砂线切割12吋半导体硅片清洗技术领域，具体的说是一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置和方法。


背景技术：

2.半导体硅片是芯片制造的衬底材料，尤其是12吋半导体硅片时高端芯片的主要草材料，其制造过程为：进多晶硅融化后通过单晶炉拉制成高品质单晶硅棒；单晶硅棒经过截断、滚磨加工成12吋的晶棒；12吋晶棒采用砂线线切割进行加工形成12吋半导体硅片。
3.半导体硅片砂线切割后需要对其进行清洗，目前，半导体硅片加工后清洗的过程为：将切割后的硅片组放入清洗设备中，且半导体硅片朝上晶托朝下放置；首先，向清洗设备注入78-85℃的水使水淹没树脂板，浸泡10分钟，此时，硅片与树脂板之间的胶水变软，但是具有一定的黏性；然后，机械部的吸盘部吸住硅片朝向外部的端面将硅片从树脂板上拔出，并将拔出的硅片放平到传送带上，传送带带动硅片运动至双层滚动毛刷之间，毛刷滚动刷洗硅片。即砂线切割后的半导体硅片单片脱胶、单片清洗，在实际应用时，12吋半导体晶棒切割后形成400片左右的半导体硅片，完成其清洗需要3个小时以上，用时较长，清洗效率低。
4.申请号为201911063219.5的中国专利公开了一种硅片清洗装置及方法，对硅片的表面同时清洗，具体地，硅片组固定在夹持机构上，且硅片朝下晶托朝上，清洗线位于具有清洗液的清洗槽内，硅片在清洗槽中沿竖直方向运动，清洗线作水平运动，硅片运动过程中清洗线相应进入相邻两个硅片的缝隙中，能够将清洗线相互粘连的硅片分开，使清洁液能够与每一个硅片的表面接触，能够有效的对硅片清洗。但是，砂线切割后的半导体硅片之间相互粘连，需要将清洗线一根一根认进缝隙中，耗费大量时间，即清洗效率低。


技术实现要素：

5.为了解决现有技术中的砂线切割后硅片清洗时间长导致清洗效率低的问题，本发明提供一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置和方法，对硅片的表面同时进行清洗，且清洗机构能够顺利的进入相邻两个硅片的缝隙中，硅片清洗用时短，提高了清洗效率。
6.为了实现上述目的，本发明采用的具体方案为：一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置，包括底端和顶端均开口的清洗槽，清洗槽上方设置有能够带动硅片组沿竖直方向往返运动的驱动机构，清洗槽内部设置有清洗机构，其特征在于：所述清洗槽上方设置有能够向硅片组喷水的喷水机构，喷水机构包括多个平均设置在硅片组两侧且始终朝向硅片组的树脂板喷水的喷嘴，喷嘴喷出的水进入树脂板与硅片连接处开口，使其沿相邻两个硅片之间的缝隙流下并撑开缝隙，所述清洗机构包括多个同轴间隔设置且与清洗槽侧壁转动连接的轮片，硅片沿竖直方向往返运动过程中轮片能够进入或者退出缝隙。
7.作为上述一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置的一种优化方案：所述轮片为树脂材质。
8.作为上述一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置的另一种优化方案：所述轮片同轴固定连接有转动轴，转动轴与清洗槽内侧壁转动连接，轮片的半径与转动轴的半径之差大于或者等于硅片的直径。
9.作为上述一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置的另一种优化方案：硅片组同侧相邻两个喷嘴之间的间距为。
10.作为上述一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置的另一种优化方案：所述轮片的边缘具有沿其径向延伸的尖端部。
11.作为上述一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置的另一种优化方案：所述喷嘴喷射的方向与树脂板长度方向形成的角度为90
°
。
12.一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗方法，基于上述的一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置，包括以下步骤：
13.s1，硅片组按照其晶托朝上、硅片朝下的方式固定在驱动机构上，同时，喷嘴始终朝向硅片组的树脂板喷水，喷水的流量为55-65l/min，水进入树脂板与硅片连接处开口，使其沿缝隙边缘部位流下，清洗硅片边缘的同时能够撑开缝隙；
14.s2，驱动机构带动硅片组向下移动，硅片向下移动过程中，轮片逐渐进入缝隙中，且轮片以260-310r/min的速度转动，轮片转动过程中将水带入相应缝隙中对硅片中心部位进行清洗；
15.s3，硅片组向下移动至轮片完全覆盖硅片的端面后停止移动，轮片继续转动保持2-3min，硅片组向上移动直至轮片退出缝隙。
16.作为上述一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗方法的一种优化方案：所述s1中，轮片硅片组进入缝隙硅片组后硅片硅片组向下移动的速度为45-55mm/min。
17.作为上述一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗方法的另一种优化方案：所述s3中，轮片硅片组退出缝隙硅片组前硅片硅片组向上移动的速度为45-55mm/min。
18.与现有技术相比，本发明有如下有益效果：
19.1、本发明提供了一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置和方法，喷嘴始终朝向树脂板喷水，水顺着硅片的缝隙向下流动能够将硅片粘连的硅片分开，即撑开相邻两个硅片之间的缝隙，不需要将轮片一片一片的塞入缝隙中，节约了清洗时间，提高了清洗效率；驱动机构带动硅片沿竖直方向往返运动，轮片在清洗槽内旋转，硅片向下运动过程中，轮片能够顺利进入相邻两个硅片的缝隙中，轮片转动过程中能够硅片边缘的水流带入到硅片内部，达到清洗硅片内部的效果，清洗质量高，且能够同时清洗硅片，清洗时间短，清洗效率高。
20.2、本发明中，轮片的边缘具有尖端部，硅片向下运动过程中，轮片的边缘首先进入缝隙中，尖端部的设置便于轮片进入缝隙中。
附图说明
21.图1是本发明清洗装置的结构示意图；
22.图2是轮片进入缝隙后本发明的结构示意图；
23.图3是本发明的侧视示意图；
24.图4是本发明的俯视示意图；
25.附图标记：1、轮片，101、尖端部，102、容纳空间，2、清洗槽，201、转动轴，3、驱动机构，4、硅片，401、缝隙，402、树脂板，403、晶托，5、喷嘴。
具体实施方式
26.下面结合具体实施例对本发明的技术方案做进一步的详细阐述，本发明以下各实施例中未详细记载和公开的部分，均应理解为本领域技术人员所知晓或应当知晓的现有技术，比如驱动机构的结构、驱动机构与晶托的连接方式、驱动单元的结构、驱动单元与转动轴的连接方式、喷水机构的结构、硅片组脱胶工艺以及硅片框的结构等。
27.实施例1
28.一种砂线切割12吋半导体硅片4的清洗装置，包括底端和顶端均开口的清洗槽2，本实施例中，清洗槽2为长方体结构，包括四个侧板且相邻两个侧板固定连接。清洗槽2上方设置有能够带动硅片组沿竖直方向往返运动的驱动机构3，需要说明的是，硅片组包括晶托403、树脂板402和硅片4，树脂板402位于晶托403和硅片4之间，12吋晶棒砂线切割前需要进行粘棒，即在树脂板402的底面和顶面涂胶，将树脂板402的顶面粘接在晶托403的底面；具体地，树脂板402的底面为圆弧面、顶面为水平面，其顶面与晶托403的底面粘接，且底面与晶棒的圆周面粘接，树脂板402的长度大于晶棒的长度且小于等于晶托403的长度，保证晶棒朝向树脂板402那部分圆周面完全粘接在树脂板402弧形面内。粘接后的晶棒放置在切割设备上进行砂线切割；砂线切割后，树脂板402的下部也被切割成片状结构，每一片树脂板402与一片硅片4相对应，即相邻两片树脂板402之间形成间隙。
29.清洗槽2上方设置有能够向硅片组喷水的喷水机构，喷水机构包括多个平均设置在硅片组两侧且始终朝向硅片组的树脂板402喷水的喷嘴5，喷嘴5水平设置且其喷射方向与树脂板402长度方向形成的角度为90
°
；避免喷嘴5喷出的水直接喷在硅片4上，就会造成水流边缘的硅片4向外挤压，相邻两个硅片4之间形成不均匀的缝隙401；同时，处于水流中间的硅片4由于水直接冲击，造成硅片4左右晃动，该区域的缝隙401波动大。喷嘴5喷出的水进入树脂板402与硅片4连接处开口，即水进入树脂板402下部的间隙内，使其沿相邻两个硅片4之间的缝隙401流下并撑开缝隙401，水沿着缝隙401的边缘流下，无法进入缝隙401中心位置，且水流下的过程中能够对缝隙401两侧的硅片4边缘进行清洗。
30.清洗槽2内部设置有用于清洗硅片4的清洗机构，清洗机构包括多个同轴间隔设置且与清洗槽2侧壁转动连接的轮片1，轮片1为树脂材质，硅片4沿竖直方向往返运动过程中轮片1能够进入或者退出缝隙401，即硅片4相对于清洗槽2沿竖直方向往返运动，轮片1相对于清洗槽2做绕其轴线的旋转运动；如图2所示，硅片4向下运动过程中，轮片1进入缝隙401中，轮片1转动能够带动水进入缝隙401内部，对缝隙401内部进行清洗，清洗质量好，且轮片1能够同时清洗所有的硅片4，硅片4清洗用时较短，清洗效率高。喷嘴5喷出的水撑开了缝隙401，便于轮片1的进入，不需要将轮片1一片一片的塞入缝隙401中，节约了清洗时间，提高了清洗效率。
31.轮片1的数量与缝隙401的数量相同且两者位置相对应，相邻两个轮片1之间形成容纳空间102，容纳空间102的数量与缝隙401的数量相比少1，硅片4往返运动过程中能够进入或者退出容纳空间102，此时，硅片组两端的硅片4外表面无法清洗，但是，实际生产过程中，硅片组两端的硅片4由于晶棒的倾斜会产生半片或者残片，因此，不需要轮片1对其外表
面进行清洗。
32.轮片1与清洗槽2的连接方式为：轮片1同轴固定连接有转动轴201，转动轴201与清洗槽2内侧壁转动连接，具体地，轮片1的中心位置开设有与转动轴201直径相同的通孔，转动轴201穿过通孔且与轮片1固定连接，转动轴201的两端与清洗槽2转动连接，清洗槽2外部设置有用于驱动转动轴201转动的驱动单元。
33.12吋硅片4的厚度为0.8mm，直径为301mm，相邻两个硅片4之间缝隙401的宽度为0.16mm，为了保证轮片1能够覆盖整个硅片4的端面，轮片1的半径与转动轴201的半径之差大于或者等于硅片4的直径，本实施例中，轮片1的半径与转动轴201的半径之差大于硅片4的直径。轮片1的厚度等于或者小于缝隙401的宽度，即轮片1的厚度等于或者小于0.16mm；相邻两个轮片1之间形成容纳空间102的宽度大于或者等于硅片4的厚度，本实施例中，轮片1的厚度为0.16mm，容纳空间102的宽度为0.8mm。
34.硅片组同侧相邻两个喷嘴5之间的间距为10mm，保证水能够撑开均匀的缝隙401，若喷嘴5之间的距离较大，造成相邻两个喷嘴5喷出的水流的连接处形成不均匀的缝隙401甚至无法撑开缝隙401，最后导致轮片1无法顺利进入缝隙401。
35.12吋晶棒砂线切割过程中，晶棒固定在晶托403上，晶托403固定在砂线切割设备上，固定后，晶托403沿晶棒长度方向分布的一个端面，与砂线切割设备上的主辊同侧端面处于同一竖直面上，主辊线网上靠近该端面的第一根砂线与主辊端面的间距为5.5mm，即第一根砂线切割形成的第一个缝隙401距离晶托403的距离为5.5mm。如图1所示，左侧第一个缝隙401与晶托403左侧端面的距离为5.5mm，在固定晶托403过程中，晶托403左侧端面与左侧第一个轮片1之间的距离为5.5mm。即能够保证晶托403固定在驱动机构3上后，左侧第一个轮片1与左侧第一个缝隙401相对应，进而保证每一个轮片与相应缝隙的位置对应。
36.以上为本发明的基本实施方式，可以在以上基础上做进一步改进、优化和限定，从而得到以下各实施例：
37.实施例2
38.本实施例是在实施例1的基础上所做的一种改进方案，其主体结构与实施例1相同，改进点在于：轮片1的边缘具有沿其径向延伸的尖端部101，尖端部101环绕轮片1的边缘设置，便于轮片1进入缝隙401中。
39.实施例3
40.一种砂线切割12吋半导体硅片4的清洗方法，基于上述实施例2所描述的一种砂线切割12吋半导体硅片4的清洗装置，包括以下步骤：
41.s1，硅片组按照其晶托403朝上、硅片4朝下的方式固定在驱动机构3上，如图1所示，此时，晶托403左侧端面与左侧第一个轮片1之间的距离为5.5mm，保证轮片1与缝隙401相对应，硅片4最低端与轮片1最顶端之间的距离为10-50mm，本实施例中，两者之间的距离为50mm。驱动机构3带动硅片组向下移动，同时，喷嘴5始终朝向硅片组的树脂板402喷水，本实施例中，喷嘴5水平设置且其喷射方向与树脂板402长度方向形成的角度为90
°
，喷水的流量为55-65l/min，本实施例中，喷水的流量为55l/min，水进入树脂板402与硅片4连接处开口，使其沿缝隙401边缘部位流下，清洗硅片4边缘的同时能够撑开缝隙401。
42.s2，硅片4向下移动过程中，轮片1逐渐进入缝隙401中，且轮片1以260-310r/min的速度转动，轮片1转动过程中将水带入相应缝隙401中对硅片4中心部位进行清洗；
43.s21，硅片4以速度为70-80mm/min下降至轮片1的上方，且硅片4最低端与轮片1最顶端的距离为3-4mm。本实施例中，硅片4以速度为70mm/min下降至轮片1的上方，且硅片4最低端与轮片1最顶端的距离为3mm。；
44.s22，硅片4以速度45-55mm/min下降直至轮片1进入缝隙401且轮片1覆盖整个硅片4，轮片1转动速度为260-310r/min，本实施例中，该步骤硅片4下降的速度为45mm/min，轮片1转动速度为260r/min。
45.即本实施例中，硅片4下降过程分为两个阶段，在硅片4位于轮片1上方时其下降速度大，轮片1进入缝隙401过程中硅片4的下降速度低，若硅片4整个下降过程的速度相同，若都为70mm/min，轮片1进入缝隙401过程中由于硅片4下降速度较大，容易损坏硅片4；若都为45mm/min，硅片4在轮片1上方运动时间长。
46.s3，硅片组向下移动至轮片1完全覆盖硅片4的端面后停止移动，轮片1继续转动保持2-3min，硅片组向上移动直至轮片1退出缝隙401。
47.s3包括：
48.s31，硅片组向下移动至轮片1完全覆盖硅片4的端面后停止移动，轮片1继续转动保持2-3min，本实施例中，轮片1继续转动保持2min；使轮片1对硅片4进行充分清洗，提高硅片4的清洗质量。
49.s32，驱动机构3带动硅片4以速度45-55mm/min向上移动至轮片1的上方位置，硅片4的最低端与轮片1的最顶端之间的距离为10-50mm，本实施例中，硅片4以速度45mm/min向上移动至轮片1的上方位置，硅片4的最低端与轮片1的最顶端之间的距离为50mm.
50.s33，硅片4以速度70-80mm/min向上移动至轮片1上方，本实施例中，硅片4的速度为70mm/min。
51.清洗后的硅片组以晶托403在上、硅片4在下的方式放入热水槽内浸泡进行脱胶，热水槽内水的温度大于80℃，浸泡20min，在硅片4重力作用下自动脱落至硅片框内。本实施例清洗和脱胶一根晶棒切割形成的所有硅片4，只需要34min左右。
52.实施例4
53.一种砂线切割12吋半导体硅片4的清洗方法，基于上述实施例2所描述的一种砂线切割12吋半导体硅片4的清洗装置，包括以下步骤：
54.s1，硅片组按照其晶托403朝上、硅片4朝下的方式固定在驱动机构3上，如图1所示，此时，晶托403左侧端面与左侧第一个轮片1之间的距离为5.5mm，保证轮片1与缝隙401相对应，硅片4最低端与轮片1最顶端之间的距离为40mm。驱动机构3带动硅片组向下移动，同时，喷嘴5始终朝向硅片组的树脂板402喷水，本实施例中，喷嘴5水平设置且其喷射方向与树脂板402长度方向形成的角度为90度，喷水的流量为55-65l/min，本实施例中，喷水的流量为65l/min，水进入树脂板402与硅片4连接处开口，使其沿缝隙401边缘部位流下，清洗硅片4边缘的同时能够撑开缝隙401。
55.s2，硅片4向下移动过程中，轮片1逐渐进入缝隙401中，且轮片1以260-310r/min的速度转动，轮片1转动过程中将水带入相应缝隙401中对硅片4中心部位进行清洗；
56.s21，硅片4以速度为70-80mm/min下降至轮片1的上方，且硅片4最低端与轮片1最顶端的距离为3-4mm。本实施例中，硅片4以速度为80mm/min下降至轮片1的上方，且硅片4最低端与轮片1最顶端的距离为4mm。；
57.s22，硅片4以速度45-55mm/min下降直至轮片1进入缝隙401且轮片1覆盖整个硅片4，轮片1转动速度为260-310r/min，本实施例中，该步骤硅片4下降的速度为55mm/min，轮片1转动速度为310r/min。
58.即本实施例中，硅片4下降过程分为两个阶段，在硅片4位于轮片1上方时其下降速度大，轮片1进入缝隙401过程中硅片4的下降速度低，若硅片4整个下降过程的速度相同，若都为80mm/min，轮片1进入缝隙401过程中由于硅片4下降速度较大，容易损坏硅片4；若都为55mm/min，硅片4在轮片1上方运动时间长。
59.s3，硅片组向下移动至轮片1完全覆盖硅片4的端面后停止移动，轮片1继续转动保持2-3min，硅片组向上移动直至轮片1退出缝隙401。
60.s3包括：
61.s31，硅片组向下移动至轮片1万千覆盖硅片4的端面后停止移动，轮片1继续转动保持2-3min，本实施例中，轮片1继续转动保持3min；使轮片1对硅片4进行充分清洗，提高硅片4的清洗质量。
62.s32，驱动机构3带动硅片4以速度45-55mm/min向上移动至轮片1的上方位置，硅片4的最低端与轮片1的最顶端之间的距离为3-4mm，本实施例中，硅片4以速度55mm/min向上移动至轮片1的上方位置，硅片4的最低端与轮片1的最顶端之间的距离为4mm.
63.s33，硅片4以速度70-80mm/min继续向上移动至硅片4的最低端与轮片1的最顶端之间的距离为40mm，本实施例中，硅片4的速度为80mm/min。
64.清洗后的硅片组以晶托403在上、硅片4在下的方式放入热水槽内浸泡进行脱胶，热水槽内水的温度大于80℃，浸泡20min，在硅片4重力作用下自动脱落至硅片框内。本实施例清洗和脱胶一根晶棒切割形成的所有硅片4，只需要34min左右。
65.实施例5
66.一种砂线切割12吋半导体硅片4的清洗方法，基于上述实施例2所描述的一种砂线切割12吋半导体硅片4的清洗装置，包括以下步骤：
67.s1，硅片组按照其晶托403朝上、硅片4朝下的方式固定在驱动机构3上，如图1所示，此时，晶托403左侧端面与左侧第一个轮片1之间的距离为5.5mm，保证轮片1与缝隙401相对应，硅片4最低端与轮片1最顶端之间的距离为30mm。驱动机构3带动硅片组向下移动，同时，喷嘴5始终朝向硅片组的树脂板402喷水，本实施例中，喷嘴5水平设置且其喷射方向与树脂板402长度方向形成的角度为90
°
，喷水的流量为55-65l/min，本实施例中，喷水的流量为55l/min，水进入树脂板402与硅片4连接处开口，使其沿缝隙401边缘部位流下，清洗硅片4边缘的同时能够撑开缝隙401。
68.s2，硅片4向下移动过程中，轮片1逐渐进入缝隙401中，且轮片1以260-310r/min的速度转动，轮片1转动过程中将水带入相应缝隙401中对硅片4中心部位进行清洗；
69.s21，硅片4以速度为70-80mm/min下降至轮片1的上方，且硅片4最低端与轮片1最顶端的距离为3-4mm。本实施例中，硅片4以速度为75mm/min下降至轮片1的上方，且硅片4最低端与轮片1最顶端的距离为3.5mm。；
70.s22，硅片4以速度45-55mm/min下降直至轮片1进入缝隙401且轮片1覆盖整个硅片4，轮片1转动速度为260-310r/min，本实施例中，该步骤硅片4下降的速度为50mm/min，轮片1转动速度为280r/min。
71.即本实施例中，硅片4下降过程分为两个阶段，在硅片4位于轮片1上方时其下降速度大，轮片1进入缝隙401过程中硅片4的下降速度低，若硅片4整个下降过程的速度相同，若都为75mm/min，轮片1进入缝隙401过程中由于硅片4下降速度较大，容易损坏硅片4；若都为50mm/min，硅片4在轮片1上方运动时间长。
72.s3，硅片组向下移动至轮片1完全覆盖硅片4的端面后停止移动，轮片1继续转动保持2-3min，硅片组向上移动直至轮片1退出缝隙401。
73.s3包括：
74.s31，硅片组向下移动至轮片1万千覆盖硅片4的端面后停止移动，轮片1继续转动保持2-3min，本实施例中，轮片1继续转动保持2.5min；使轮片1对硅片4进行充分清洗，提高硅片4的清洗质量。
75.s32，驱动机构3带动硅片4以速度45-55mm/min向上移动至轮片1的上方位置，硅片4的最低端与轮片1的最顶端之间的距离为3-4mm，本实施例中，硅片4以速度50mm/min向上移动至轮片1的上方位置，硅片4的最低端与轮片1的最顶端之间的距离为3.5mm.
76.s33，硅片4以速度70-80mm/min向上移动至硅片4的最低端与轮片1的最顶端之间的距离为30mm，本实施例中，硅片4的速度为75mm/min。
77.清洗后的硅片组以晶托403在上、硅片4在下的方式放入热水槽内浸泡进行脱胶，热水槽内水的温度大于80℃，浸泡20min，在硅片4重力作用下自动脱落至硅片框内。本实施例清洗和脱胶一根晶棒切割形成的所有硅片4，只需要34min左右。
78.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置，包括底端和顶端均开口的清洗槽(2)，清洗槽(2)上方设置有能够带动硅片组沿竖直方向往返运动的驱动机构(3)，清洗槽(2)内部设置有清洗机构，其特征在于：所述清洗槽(2)上方设置有能够向硅片组喷水的喷水机构，喷水机构包括多个平均设置在硅片组两侧且始终朝向硅片组的树脂板(402)喷水的喷嘴(5)，喷嘴(5)喷出的水进入树脂板(402)与硅片(4)连接处开口，使其沿相邻两个硅片(4)之间的缝隙(401)流下并撑开缝隙(401)，所述清洗机构包括多个同轴间隔设置且与清洗槽(2)侧壁转动连接的轮片(1)，硅片(4)沿竖直方向往返运动过程中轮片(1)能够进入或者退出缝隙(401)。2.如权利要求1所述的一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置，其特征在于：所述轮片(1)为树脂材质。3.如权利要求1所述的一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置，其特征在于：所述轮片(1)同轴固定连接有转动轴(201)，转动轴(201)与清洗槽(2)内侧壁转动连接，轮片(1)的半径与转动轴(201)的半径之差大于或者等于硅片(4)的直径。4.如权利要求1所述的一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置，其特征在于：硅片组同侧相邻两个喷嘴(5)之间的间距为。5.如权利要求1所述的一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置，其特征在于：所述轮片(1)的边缘具有沿其径向延伸的尖端部(101)。6.如权利要求1所述的一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置，其特征在于：所述喷嘴(5)喷射的方向与树脂板(402)长度方向形成的角度为90
°
。7.一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗方法，基于权利要求1-5任意一项权利要求所述的一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置，其特征在于：包括以下步骤：s1，硅片组按照其晶托(403)朝上、硅片(4)朝下的方式固定在驱动机构(3)上，同时，喷嘴(5)始终朝向硅片组的树脂板(402)喷水，喷水的流量为55-65l/min，水进入树脂板(402)与硅片(4)连接处开口，使其沿缝隙(401)边缘部位流下，清洗硅片(4)边缘的同时能够撑开缝隙(401)；s2，驱动机构(3)带动硅片组向下移动，硅片(4)向下移动过程中，轮片(1)逐渐进入缝隙(401)中，且轮片(1)以260-310r/min的速度转动，轮片(1)转动过程中将水带入相应缝隙(401)中对硅片(4)中心部位进行清洗；s3，硅片组向下移动至轮片(1)完全覆盖硅片(4)的端面后停止移动，轮片(1)继续转动保持2-3min，硅片组向上移动直至轮片(1)退出缝隙(401)。8.如权利要求7所述的一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述s1中，轮片(1)进入缝隙(401)后硅片(4)向下移动的速度为45-55mm/min。9.如权利要求7所述的一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述s3中，轮片(1)退出缝隙(401)前硅片(4)向上移动的速度为45-55mm/min。

技术总结
一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置和方法，包括底端和顶端均开口的清洗槽，清洗槽上方设置有能够带动硅片组沿竖直方向往返运动的驱动机构，清洗槽内部设置有清洗机构，所述清洗槽上方设置有能够向硅片组喷水的喷水机构，喷水机构包括多个平均设置在硅片组两侧且始终朝向硅片组的树脂板喷水的喷嘴，喷嘴喷出的水进入树脂板与硅片连接处开口，使其沿相邻两个硅片之间的缝隙流下并撑开缝隙，所述清洗机构包括多个同轴间隔设置且与清洗槽侧壁转动连接的轮片，硅片沿竖直方向往返运动过程中轮片能够进入或者退出缝隙。本发明，硅片清洗用时短，提高了清洗效率。提高了清洗效率。提高了清洗效率。


技术研发人员：张亮 王晓飞 崔小换 刘元涛 张倩
受保护的技术使用者：麦斯克电子材料股份有限公司
技术研发日：2023.05.23
技术公布日：2023/8/24