一种发光器件及发光装置的制作方法

1.本发明实施例涉及发光技术领域，尤其涉及一种发光器件及发光装置。


背景技术：

2.oled(organic light-emitting diode，有机电致发光器件)产品由于整体尺寸较小，在制作和使用过程中容易产生黑点和亮点等问题，其中一种重要的原因即为静电作用。静电荷吸附在产品的表面，通过电极线或人体接触到达屏体内部，作用于器件结构，造成黑点或亮点，降低器件的可靠性和屏体寿命。
3.随着显示技术的发展，人们对发光器件的要求越来越高。现有的发光器件的防静电能力较弱，容易存在潜在的短路点，当静电作用时，易引发潜在短路点的击穿，影响发光装置的发光效果。


技术实现要素：

4.本发明实施例提供一种显示装置，以解决发光器件的防静电能力较弱，容易存在潜在的短路点，当静电作用时，易引发潜在短路点的击穿，影响发光装置的发光效果的问题。
5.为实现上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
6.本发明实施例提供了一种发光器件，包括：
7.至少一个发光区，
8.至少部分环绕发光区的走线区，
9.静电释放部，静电释放部设置于发光区，和/或设置于走线区；
10.静电释放部包括至少一个凸起部，静电释放部用于在发光器件的静电电荷累积量大于预设阈值时，通过凸起部释放静电电荷。
11.可选的，发光器件，包括：
12.基板，
13.设置于基板一侧的第一电极层；其中，第一电极层包括位于发光区的第一电极和位于走线区的第一电极引线；
14.静电释放部与第一电极层同层设置，静电释放部与第一电极层电连接，静电释放部用于将第一电极层的静电电荷导引至凸起部。
15.可选的，静电释放部位于发光区时，
16.静电释放部还包括第一导电结构，第一导电结构连接于凸起部与基板之间，第一导电结构与第一电极同层设置，第一导电结构用于将第一电极的电荷传输至凸起部。
17.可选的，所述发光器件，还包括：
18.第一电阻引线，所述第一导电结构通过第一电阻引线与第一电极电连接，所述第一电阻引线的电阻值大于等于400ω。
19.可选的，发光器件，还包括：
20.设置于第一电极远离基板一侧的发光层；
21.设置于发光层远离基板一侧的第二电极层；
22.第一电极包括透明导电材料，第一导电结构包括不透光导电材料。
23.可选的，发光区包括第一边和第二边；
24.第一电极引线与发光区连接于第一边；
25.静电释放部设置于发光区的发光区的第二边。
26.可选的，静电释放部位于走线区时，静电释放部设置于第一电极引线的至少一侧，第一电极引线与第一电极连接，静电释放部与第一电极引线电连接。
27.可选的，每条第一电极引线至少对应设置一个凸起部；
28.优选的，所述凸起部的锥度角大于或等于第一电极引线的锥度角。
29.可选的，发光器件，还包括：
30.设置于第一电极引线远离基板一侧的绝缘层；
31.设置于绝缘层远离基板一侧的第二电极层；
32.设置于第二电极层邻近基板一侧的有机层；
33.电极绑定区，电极绑定区用于向第一电极引线传输驱动信号；
34.有机层的靠近电极绑定区的边界与第二电极层的靠近电极绑定区的边界之间的第一区域；
35.静电释放部位于第一区域。
36.可选的，凸起部的顶部的直径范围包括10-500nm；
37.凸起部的高度范围包括100-1000nm。
38.根据本发明的另一方面，本发明提供一种发光装置，包括第一方面任意项提出的发光器件。
39.本发明实施例提供的发光器件，通过设置静电释放部，将静电释放部设置于发光区和/或走线区。静电释放部包括至少一个凸起部，静电释放部在发光器件的静电累积量大于预设阈值时，通过凸起部释放静电电荷，较好的为静电电荷提供了释放的潜在短路点，避免静电电荷发生静电累计而击穿，改善了发光器件的发光效果。
附图说明
40.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
41.图1是本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
42.图2是本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
43.图3是本发明实施例提供的一种发光器件的发光区的结构示意图；
44.图4是本发明实施例提供的一种发光器件的走线区的结构示意图；
45.图5是本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图。
具体实施方式
46.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
47.基于上述技术问题，本实施例提出了以下解决方案：
48.图1是本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图。图2是本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。图3是本发明实施例提供的一种发光器件的发光区的结构示意图。结合图1、图2和图3，本发明实施例提供的发光器件包括：至少一个发光区10，至少部分环绕发光区10的走线区20，静电释放部30，静电释放部30设置于发光区10，和/或设置于走线区20；静电释放部30包括至少一个凸起部31，静电释放部30用于在发光器件的静电电荷累积量大于预设阈值时，通过凸起部31释放静电电荷。
49.具体的，发光器件包括一个或多个发光区10。每个发光区10与走线区20连接。走线区20设置于发光区10的一侧。静电释放部30设置于发光区10，静电释放部30与发光区10连接。或者静电释放部30设置于走线区20，静电释放部30与走线区20连接。或者，静电释放部30设置于发光区10和走线区20，静电释放部30既与发光区10连接，又与走线区20连接。
50.静电释放部30包括至少一个凸起部31，由于电荷累计到一定程度，容易发生尖端放电，通过设置静电释放部30包括至少一个凸起部31，使得在发光器件的静电累积量大于预设阈值时，通过凸起部31释放静电电荷。凸起部31作为预设的潜在短路点，凸起部31将累积的静电电荷引于自身，并进行放电。这样设置较好的为发光器件的静电提供释放的路径，较好的避免静电电荷在发光区10或走线区20累积，提高了发光器件的抗静电能力，改善发光器件的发光效果和寿命。
51.本实施例提供的发光器件，通过设置静电释放部30，将静电释放部30设置于发光区10和/或走线区20。静电释放部30包括至少一个凸起部31，静电释放部30在发光器件的静电累积量大于预设阈值时，通过凸起部31释放静电电荷，较好的为静电电荷提供了释放的潜在短路点，避免静电电荷发生静电累积而击穿，改善了发光器件的发光效果。
52.需要说明的是，图1示例性的示出静电释放部30设置于发光区10的情况，图2示例性的示出静电释放部30设置于发光区10和走线区20的情况。
53.可选的，图3是本发明实施例提供的一种发光器件的发光区的结构示意图。图4是本发明实施例提供的一种发光器件的走线区的结构示意图。在上述实施例的基础上，结合图3和图4，发光器件可以包括：基板1，设置于基板1一侧的第一电极层2；其中，第一电极层2包括位于发光区10的第一电极和位于走线区20的第一电极引线3；静电释放部30与第一电极层2同层设置，静电释放部30与第一电极层2电连接，静电释放部30用于将第一电极层2的静电电荷导引至凸起部31。
54.具体的，第一电极可以为阳极。第一电极引线3可以为阳极引线。第一电极位于发光区10。第一电极引线3位于走线区20。发光区10用于将光线出射至发光器件的出光侧。静电释放部30与第一电极层2同层设置，便于将静电释放部30与第一电极层2电连接，静电释放部30将第一电极层2的电荷导引至静电释放部30的凸起部31。这样设置可以缩短静电电荷的路径，进一步提高发光器件的抗静电击穿能力，进一步改善发光器件的发光效果。
55.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图3，静电释放部30位于发光区10时，静
电释放部30还包括第一导电结构32，第一导电结构32连接于凸起部31与基板1之间，第一导电结构32与第一电极同层设置，第一导电结构32用于将第一电极的电荷传输至凸起部31。
56.具体的，静电释放部30位于发光区10时，静电释放部30还可以包括第一导电结构32，第一导电结构32连接于凸起部31与基板1之间，便于通过第一导电结构32将第一电极与凸起部31电连接。
57.第一导电结构32与第一电极同层设置，既能便于第一导电结构32与第一电极电连接，将静电电荷导引至第一导电结构32，第一导电结构32再将第一电极的电荷传输至凸起部31，又能减小发光器件的厚度。
58.可选的，继续参见图3，所述发光器件，还包括：第一电阻引线40，所述第一导电结构32通过第一电阻引线40与第一电极电连接，所述第一电阻引线40的电阻值大于所述静电释放部30的电阻值。
59.具体的，通过设置第一导电结构32通过第一电阻引线40与第一电极电连接，第一电阻引线40的电阻值的预设阈值大于等于400ω，使得第一电阻引线40的电阻较大，在没有静电电荷或静电电荷累积量较少时，不影响第一电极的驱动信号的传输。当静电电荷累积到一定程度，大于预设阈值时，第一电阻引线40可以较好的导通，并将静电电荷传输至电阻较小的凸起部31，便于凸起部31进行尖端放电，以将发光器件的静电电荷释放，进一步改善发光器件的发光效果。
60.示例性的，第一电阻引线40的电阻值可以根据需要设置为大于或等于1000ω、5000ω、10000ω、20000ω或40000ω等，本实施例并不做具体限定。
61.由于发光器件的发光区10通常会再次进行分割，形成四方形的像素，而由于发光区10形状可能不规则，发光区10边缘的像素可能不是完整的四方形，面积更小，导致发光区10的边缘成为静电释放的薄弱环节。在发光区10的边缘设置静电释放部30，作为潜在短路点，可以将凸起部31的电阻设置得更小，短路电阻更小，即尖端更小，便于将发光器件的静电电荷释放，改善发光器件的发光效果。
62.可选的，第一电阻引线40的电阻大于发光区10内各像素的防短路电阻。第一电阻引线40的材料包括ito、azo或fto等透明导电材料。
63.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图3，发光器件，还可以包括：设置于第一电极远离基板1一侧的发光层50；设置于发光层50远离基板1一侧的第二电极层60；第一电极包括透明导电材料，第一导电结构32包括不透光导电材料。
64.具体的，第一电极可以为阳极，第二电极层60可以为阴极。发光层50设置于第一电极和第二电极层60之间，这样设置可以使得发光层50通过第一电极和第二电极层60传输的驱动信号发光。
65.第一电极包括透明导电材料，例如ito(氧化铟锡)。第一导电结构32包括不透光导电材料，例如铜、铝、钛等导电材料。通过设置第一电极包括透明导电材料，第一导电结构32包括不透光导电材料可以较好的保证发光区10的发光效果及出光边界。即使第一导电结构32上传输有驱动信号，由于第一导电结构32为不透光的导电结构，使得发光层50产生的光线不能透过第一导电结构32，从而较好的保证第一电极的出光边界。可选的，发光器件还可以包括设置于第二电极层60远离基板1一侧的封装层。
66.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图2，发光区10包括第一边和第二边；第
一电极引线3与发光区10连接于第一边；静电释放部30设置于发光区10的第二边。
67.具体的，这样设置可以使得静电释放部30设置于发光区10没有连接走线区20的第二边，便于合理利用发光器件的空间，减小发光器件的体积。
68.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图4，静电释放部30位于走线区20时，静电释放部30设置于第一电极引线3的至少一侧，第一电极引线3与第一电极连接，静电释放部30与第一电极引线3电连接。
69.具体的，由于走线区20为发光器件抗静电的薄弱环节，静电释放部30设置于走线区20，可以较好的避免累积的静电电荷在走线区20击穿第一电极引线3。
70.通过将静电释放部30设置于电极引线的至少一侧，静电释放部30与第一电极引线3电连接，由于静电释放部30包括至少一个凸起部31，使得与第一电极引线3连接的静电释放部30可以将第一电极引线3上的静电电荷引导至自身，并通过凸起部31将静电电荷通过尖端放电释放，较好的避免静电电荷将第一电极引线3击穿，进一步改善发光装置的发光效果。
71.优选的，将静电释放部30设置于电极引线的两侧，进一步改善发光装置的发光效果。图4示例性的示出将静电释放部30设置于电极引线的两侧的情况，在此不作任何限定。
72.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图4，每条第一电极引线3至少对应设置一个凸起部31；优选的，凸起部31的锥度角α大于或等于第一电极引线3的锥度角α。需要说明的是，图4示例性的示出静电释放部30包括凸起部31，每条第一电极引线3对应设置两个凸起部31的情况，在此不作任何限定。
73.具体的，设置每条第一电极引线3至少对应设置一个凸起部31，使得每条第一电极引线3均能通过静电释放部30的凸起部31释放静电电荷，从而较好的将每条第一电极引线3的静电电荷进行释放，还能保护发光区10不被静电电荷击穿，进一步改善发光器件的寿命。
74.通过设置第一电极引线3的锥度角小于或等于凸起部31的锥度角，使得静电释放部30的尖端比第一电极引线3更尖，使得凸起部31相比与第一电极引线3更容易释放静电电荷，从而保护第一电极引线3不被击穿，进而保护走线区20和发光区10的发光器件不被击穿，从而提高发光器件的抗静电能力，提高发光器件的寿命。
75.示例性的，可以在第一电极引线3的锥度角区域的边缘形成尖端，可以在电极光刻阶段一起成型，节约制程，降低制作成本。
76.可选的，图5是本发明实施例提供的又一种发光器件的结构示意图。在上述实施例的基础上，结合图4和图5，发光器件，还可以包括：设置于第一电极引线3远离基板1一侧的绝缘层70；设置于绝缘层70远离基板1一侧的第二电极层60；设置于第二电极层60邻近基板1一侧的有机层80；电极绑定区90，电极绑定区90用于向第一电极引线3传输驱动信号；有机层80的靠近电极绑定区90的边界与第二电极层60的靠近电极绑定区90的边界之间形成的第一区域s1；静电释放部30位于第一区域s1。
77.具体的，为实现发光器件，例如oled屏体的点亮效果的多样性和信息的交互性，多通过对oled屏体进行分区设计。例如将基板上的第一电极进行图案化，然后通过第一电极引线3连接至封装外的电极绑定区90。且每个发光区的面积较小，所以等效电容降低，对静电的抵抗能力变弱。
78.由于第一电极引线3较窄，且第一电极引线3距离电极绑定区90较近，由于有机层
80对第一电极引线3的保护效果较好。有机层80的靠近电极绑定区90的边界之外的第一电极引线3由于没有有机层80的保护，使得第一区域s1成为静电的薄弱区域。
79.通过将静电释放部30设置于第一区域s1，使得在第一区域s1的第一电极引线3的至少一侧形成凸起部31，凸起部31作为潜在的短路点，使静电电荷在凸起部31释放，从而保护发光区10和第一电极引线3不被击穿，较好的改善了发光器件的发光效果。
80.可选的，继续参见图3和图4，凸起部31的顶部的直径范围包括10-500nm；凸起部31的高度范围包括100-1000nm。
81.具体的，这样设置便于凸起部31及时释放静电电荷，凸起部31可通过溅射一薄层金属，然后对其进行温度处理得到，使其应力释放，得到凸起部31。或者，通过腐蚀的方式制备凸起部31，凸起部31不透光。
82.可选的，继续结合图3和图4，对于从第二电极层60进入的静电，需要给凸起部31相连的第一导电结构32施加相应的电流产生电势差，从而实现通过静电释放部30的凸起部31对第二电极层60的静电电荷进行释放。
83.本发明提供一种发光装置，包括上述任意实施例提出的发光器件，具有上述任意实施例提出的发光器件的有益效果，在此不再赘述。
84.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

技术特征：
1.一种发光器件，其特征在于，包括：至少一个发光区，至少部分环绕所述发光区的走线区，静电释放部，所述静电释放部设置于所述发光区，和/或设置于所述走线区；所述静电释放部包括至少一个凸起部，所述静电释放部用于在所述发光器件的静电电荷累积量大于预设阈值时，通过所述凸起部释放所述静电电荷。2.根据权利要求1所述发光器件，其特征在于，所述发光器件，包括：基板，设置于所述基板一侧的第一电极层；其中，所述第一电极层包括位于所述发光区的第一电极和位于所述走线区的第一电极引线；所述静电释放部与所述第一电极层同层设置，所述静电释放部与所述第一电极层电连接，所述静电释放部用于将所述第一电极层的静电电荷导引至所述凸起部。3.根据权利要求2所述发光器件，其特征在于，所述静电释放部位于所述发光区时，所述静电释放部还包括第一导电结构，所述第一导电结构连接于所述凸起部与所述基板之间，所述第一导电结构与所述第一电极同层设置，所述第一导电结构用于将所述第一电极的电荷传输至所述凸起部。4.根据权利要求3所述发光器件，其特征在于，所述发光器件，还包括：第一电阻引线，所述第一导电结构通过第一电阻引线与第一电极电连接，所述第一电阻引线的电阻值大于等于400ω。5.根据权利要求3所述发光器件，其特征在于，所述发光器件，还包括：设置于所述第一电极远离所述基板一侧的发光层；设置于所述发光层远离所述基板一侧的第二电极层；所述第一电极包括透明导电材料，所述第一导电结构包括不透光导电材料；优选的，所述发光区包括第一边和第二边；所述第一电极引线与所述发光区连接于所述第一边；所述静电释放部设置于所述发光区的所述第二边。6.根据权利要求2所述发光器件，其特征在于，所述静电释放部位于所述走线区时，所述静电释放部设置于所述第一电极引线的至少一侧，所述第一电极引线与所述第一电极连接，所述静电释放部与所述第一电极引线电连接。7.根据权利要求6所述发光器件，其特征在于，每条所述第一电极引线至少对应设置一个所述凸起部；所述凸起部的锥度角大于或等于第一电极引线的锥度角。8.根据权利要求6所述发光器件，其特征在于，所述发光器件，还包括：设置于所述第一电极引线远离所述基板一侧的绝缘层；设置于所述绝缘层远离所述基板一侧的第二电极层；设置于所述第二电极层邻近所述基板一侧的有机层；电极绑定区，所述电极绑定区用于向所述第一电极引线传输驱动信号；
所述有机层的靠近所述电极绑定区的边界与所述第二电极层的靠近所述电极绑定区的边界之间形成的第一区域；所述静电释放部位于所述第一区域。9.根据权利要求1所述发光器件，其特征在于，所述凸起部的顶部的直径范围包括10-500nm；所述凸起部的高度范围包括100-1000nm。10.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的发光器件。

技术总结
本发明实施例公开一种发光器件及发光装置。该发光器件，包括至少一个发光区，至少部分环绕发光区的走线区，静电释放部，静电释放部设置于发光区，和/或设置于走线区；静电释放部包括至少一个凸起部，静电释放部用于在发光器件的静电累积量大于预设阈值时，通过凸起部释放静电电荷。本发明实施例提供的技术方案提高了发光器件的抗静电损伤能力，解决发光器件的防静电能力较弱，容易存在潜在的短路点，当静电作用时，易引发潜在短路点的击穿，影响发光装置的发光效果的问题。装置的发光效果的问题。装置的发光效果的问题。


技术研发人员：郭立雪 朱映光 张国辉 胡永岚
受保护的技术使用者：固安翌光科技有限公司
技术研发日：2023.06.01
技术公布日：2023/8/28